1μA عاكس التوتر العالي MOS ، التوتر العالي الصناعي ترانزستور ثنائي القطب
مكان المنشأ | قوانغدونغ ، CN |
---|---|
اسم العلامة التجارية | REASUNOS |
الأسعار | Confirm price based on product |
تفاصيل التغليف | عبوات أنبوبية مقاومة للغبار والماء ومضادة للكهرباء الساكنة، موضوعة داخل صندوق من الورق المقوى في علب |
وقت التسليم | 2-30 يومًا (يعتمد على الكمية الإجمالية) |
شروط الدفع | 100% T/T مقدمًا (EXW) |
القدرة على العرض | 5 مليون/شهر |

اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.
ال WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
سكايب: sales10@aixton.com
إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.
xمزايا | تقنية المنشطات الجانبية المتغيرة الجديدة، وهيكل MOS ذو القدرة الخاصة، وخصائص ممتازة في درجات الحرارة | تطبيق HV Mosfet | سائق LED، محولات، تحويل التيار الكهربائي الصناعي، العاكسون الخ |
---|---|---|---|
القوة الكهربائية | الجهد العالي/الجهد العالي للغاية | تكنولوجيا | موسفيت |
تسرب | يمكن أن يصل التسرب المنخفض إلى أقل من 1 ميكرو أمبير | جزءا لا يتجزأ من تطبيق FRD HV MOSFET | سلسلة المحركات، العاكس، تطبيقات دائرة نصف الجسر/الجسر الكامل، إلخ. |
تطبيق MOSFET فائق الجهد | العداد الذكي، مصدر طاقة الخزانة، مصدر طاقة التحويل الصناعي، نظام الطاقة الكهربائية، إلخ. | النوع | ن |
إبراز | 1μA MOS الجهد العالي,المحولات عالية الجهد MOS,ترانزستور ثنائي القطب الصناعي عالي الجهد,Inverters High Voltage MOS,Industrial High Voltage Bipolar Transistor |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
وصف المنتج:
مقدمة MOSFET عالية الجهد، MOS-بوابة الترانزستور مصممة خصيصا لتطبيقات عالية الجهد فائقة. هذا الجهاز بالتحديد مثالية لمقاييس الذكاء،إمدادات الطاقة الصناعية للتبديل، وتطبيقات أنظمة الطاقة الكهربائية. يمكن أن يصل تسربها المنخفض إلى أقل من 1 ميكرو أمبيا ، وهو من النوع N مع مقاومة منخفضة. هذا الجهاز مثالي لأي نوع من تطبيقات الجهد العالي.
المعلمات التقنية:
اسم المنتج | MOSFET عالية الجهد |
---|---|
تبديد الحرارة | تبديد الحرارة الكبير |
تسرب | تسرب منخفض يمكن أن يصل إلى أقل من 1 ميكرو أيه |
المزايا | تكنولوجيا الدوبينج المتغيرة الجانبية الجديدة، هيكل MOS خاص القوة، خصائص ممتازة في درجات الحرارة العالية. |
تصنيف الجهد | الجهد العالي / الجهد العالي للغاية |
تطبيق MOSFET عالي الجهد | العدادات الذكية ، إمدادات الطاقة للخزانة ، إمدادات الطاقة الصناعية ، نظام الطاقة الكهربائية ، الخ. |
التكنولوجيا | MOSFET |
تطبيق FRD HV MOSFET | سلسلة المحركات ، المحولات ، نصف الجسر / تطبيقات الدوائر الكاملة ، الخ. |
النوع | ن |
المقاومة | المقاومة المنخفضة |
التطبيقات:
الموزفيت عالي الجهد ، الذي تنتجه شركة REASUNOS في قوانغدونغ ، الصين ، له العديد من المزايا. يتم تأكيد سعره بناءً على المنتج. يتم تعبئته في عبوات أنبوبية مضادة للغبار والماء ومضادة للثبات ،ووضعت داخل صندوق من الورق المقوى في صناديق الكرتونوقت التسليم هو 2-30 يوماً، اعتماداً على الكمية الإجمالية؛ وشروط الدفع هي 100% T/T مقدماً (EXW).تسرب المنتج منخفض جداً، والتي يمكن أن تصل إلى أقل من 1 ميكرو أمبيا. كما يتميز بتكنولوجيا التنفس المتغير الجانبي الجديدة وهيكل MOS خاصة، مما يجعلها ممتازة في درجات الحرارة العالية.لديه تبديد كبير للحرارة. يمكن استخدام هذا MOSFET عالي الجهد لمجموعة المحركات ، والعاكس ، وتطبيقات الدائرة نصف الجسر / الجسر الكامل ، وما إلى ذلك. يتم تصنيفه بجهد عال وجهد فائق.
الدعم والخدمات:
نحن نقدم الدعم التقني الشامل والخدمات لمنتجات MOSFET عالية الجهد.فريقنا من المهندسين والفنيين ذوي الخبرة متاح للإجابة على أسئلتك وتقديم إرشادات حول اختيار المنتج، وتحسين التطبيقات، وإصلاح الأخطاء. يمكننا أيضا توفير حلول مخصصة ومساعدة التصميم لتلبية متطلباتك المحددة.
خدمات الدعم الفني لدينا تشمل:
- اختيار المنتج وتقييمه
- تحسين التطبيقات
- المساعدة في التصميم
- حل المشاكل
- حلول مخصصة
نحن ملتزمون بتوفير أفضل الدعم التقني والخدمات لمنتجات MOSFET عالية الجهد. إذا كان لديك أي أسئلة أو تحتاج إلى مساعدة، يرجى عدم التردد في الاتصال بنا.
التعبئة والشحن:
- يجب أن تكون منتجات MOSFET عالية الجهد معبأة في مادة مضادة للستاتيكية لحمايتها من الكهرباء الثابتة.
- كل شحن يجب أن يحتوي على ملابس كافية وحماية.
- ضع علامة واضحة على جميع العبوات مع اسم المنتج ورقم الجزء والمقصد.
- يجب أن يتم شحن جميع الطرود مع معلومات التتبع.