1μA Инверторы высоковольтные MOS, промышленные высоковольтные биполярные транзисторы
Место происхождения | Гуандун, CN |
---|---|
Фирменное наименование | REASUNOS |
Цена | Confirm price based on product |
Упаковывая детали | Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка |
Время доставки | 2-30 дней (зависит от общего количества) |
Условия оплаты | 100% T/T заранее ((EXW) |
Поставка способности | 5кк/месяц |

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xПреимущества | Новая боковая переменная давая допинг технология, особенная структура MOS силы, превосходные характе | Применение Mosfet HV | Водитель СИД, переходники, промышленное переключая электропитание, инверторы Etc |
---|---|---|---|
Оценка напряжения тока | Высоковольтное/ультравысокое напряжение тока | Технологии | MOSFET |
Утечка | Низкая утечка может достигнуть меньше чем 1 µ a | Врезанное применение MOSFET HV FRD | Серия мотора, инвертор, половинный мост/полные применения мостиковой схемы, Etc. |
Применение MOSFET Ультра-HV | Умный метр, электропитание шкафа, промышленное переключая электропитание, система электропитания, Et | Тип | N |
Выделить | 1μA MOS высокого напряжения,Инверторы MOS высокого напряжения,Промышленный высоковольтный биполярный транзистор |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | Diode Trr(nS) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSF38N30F | N | 38 | 300 | 0.09 | 0.11 | TO-220F | 1000 | 80 | |
2 | RSF45N50W | N | 45 | 500 | 0.1 | 0.125 | TO-247 | 600 | 95 | |
3 | RSF5N50D | N | 5 | 500 | 1.5 | 1.85 | TO-252 | 2500 | 61 | |
4 | RSF7N50D | N | 7 | 500 | 1.1 | 1.5 | TO-252 | 2500 | 100 | |
5 | RSF3N60D | N | 3 | 600 | 2.8 | 3.4 | TO-252 | 2500 | 55 | |
6 | RSF4N60D | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | 60 | |
7 | RSF4N60F | N | 4 | 600 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | 60 | |
8 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
9 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
10 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
11 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
12 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
13 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | -- | |
14 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 | -- | |
15 | RS6N65D | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-252 | 2500 | -- | |
16 | RS6N60F | N | 6 | 600 | 1 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
17 | RS6N65F | N | 6 | 650 | 1.65 | 1.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
18 | RS7N65D | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-252 | 2500 | -- | |
19 | RS7N65MD | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-251 | 4000 | -- | |
20 | RS7N65F | N | 7 | 650 | 1.1 | 1.4 | TO-220F | 1000 | -- | |
21 | RS8N60F | N | 8 | 600 | 0.75 | 0.9 | TO-220F | 1000 | -- | |
22 | RS8N65F | N | 8 | 650 | 0.95 | 1.15 | TO-220F | 1000 | -- | |
23 | RS10N65D | N | 10 | 650 | 0.93 | 1.05 | TO-252 | 2500 | -- | |
24 | RS10N65F | N | 10 | 650 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
25 | RS10N60F | N | 10 | 600 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
26 | RS12N65F | N | 12 | 650 | 0.6 | 0.72 | TO-220F | 1000 | -- | |
27 | RS12N60F | N | 12 | 600 | 0.5 | 0.62 | TO-220F | 1000 | -- | |
28 | RS13N65F | N | 13 | 650 | 0.52 | 0.65 | TO-220F | 1000 | -- | |
29 | RS16N65F | N | 16 | 650 | 0.45 | 0.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
30 | RS20N65F | N | 20 | 650 | 0.35 | 0.45 | TO-220F | 1000 | -- | |
31 | RS5N50D | N | 5 | 500 | 1.25 | 1.45 | TO-252 | 2500 | -- | |
32 | RS6N50D | N | 6 | 500 | 1.2 | 1.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
33 | RS9N50D | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-252 | 2500 | -- | |
34 | RS9N50F | N | 9 | 500 | 0.65 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
35 | RS10N50F | N | 10 | 500 | 0.66 | 0.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
36 | RS11N50F | N | 11 | 500 | 0.48 | 0.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
37 | RS13N50F | N | 13 | 500 | 0.39 | 0.46 | TO-220F | 1000 | -- | |
38 | RS15N50F | N | 15 | 500 | 0.35 | 0.42 | TO-220F | 1000 | -- | |
39 | RS18N50F | N | 18 | 500 | 0.28 | 0.34 | TO-220F | 1000 | -- | |
40 | RS20N50F | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-220F | 1000 | -- | |
41 | RS20N50W | N | 20 | 500 | 0.21 | 0.27 | TO-247-3 | 600 | -- | |
42 | RS25N50F | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-220F | 1000 | -- | |
43 | RS25N50W | N | 25 | 500 | 0.18 | 0.24 | TO-247-3 | 600 | -- | |
44 | RS28N50W | N | 28 | 500 | 0.14 | 0.18 | TO-247-3 | 600 | -- | |
45 | RS30N50W | N | 30 | 500 | 0.085 | 0.12 | TO-247-3 | 600 | -- | |
46 | RS4N80F | N | 4 | 800 | 3.2 | 3.8 | TO-220F | 1000 | -- | |
47 | RS8N80F | N | 8 | 800 | 1.35 | 1.6 | TO-220F | 1000 | -- | |
48 | RS10N80F | N | 10 | 800 | 1 | 1.2 | TO-220F | 1000 | -- | |
49 | RS3N90MD | N | 3 | 900 | 4 | 4.8 | TO-251 | 4000 | -- | |
50 | RS4N90D | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
51 | RS4N90F | N | 4 | 900 | 3 | 3.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
52 | RS6N90F | N | 6 | 900 | 1.7 | 2.05 | TO-220F | 1000 | -- | |
53 | RS9N90F | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-220F | 1000 | -- | |
54 | RS9N90PF | N | 9 | 900 | 1.2 | 1.55 | TO-3PF | 300 | -- | |
55 | RS2N100D | N | 2 | 1000 | 6 | 7.2 | TO-252 | 2500 | -- | |
56 | RSE3N100F | N | 3 | 1000 | 4.6 | 5.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
57 | RS6N100F | N | 6 | 1000 | 1.2 | 1.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
58 | RS2N120D | N | 2 | 1200 | 10.5 | 12.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
59 | RS3N120D | N | 3 | 1200 | 7.3 | 8.5 | TO-252 | 2500 | -- | |
60 | RS6N120T | N | 6 | 1200 | 2.1 | 2.5 | TO-220 | 1000 | -- | |
61 | RS3N150F | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-220F | 1000 | -- | |
62 | RS3N150PF | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO-3PF | 300 | -- | |
63 | RS3N150W | N | 3 | 1500 | 5.5 | 6.5 | TO247-3 | 600 | -- |
Описание продукта:
Представляем высоковольтный MOSFET, транзистор MOS-Gate, специально разработанный для применения сверхвысокого напряжения.Промышленное коммутационное питаниеЭто устройство идеально подходит для любого типа высоковольтных приложений.
Технические параметры:
Наименование продукта | MOSFET высокого напряжения |
---|---|
Рассеивание тепла | Большое рассеивание тепла |
Утечка | Низкая утечка может достигать менее 1 мкА |
Преимущества | Новая технология латерального переменного допинга, специальная структура MOS с мощностью, отличные характеристики при высоких температурах. |
Направление напряжения | Высокое напряжение/Ультравысокое напряжение |
Применение высоковольтных MOSFET | Умный счетчик, электроснабжение кабинета, промышленное переключающее электроснабжение, система электроэнергии и т.д. |
Технологии | MOSFET |
Применение FRD HV MOSFET | Моторные серии, инверторы, Half Bridge/Full Bridge Circuit приложения и т.д. |
Тип | N |
Сопротивление | Низкое сопротивление |
Применение:
Высоковольтный MOSFET, производимый REASUNOS в Гуандун, Китай, имеет много преимуществ. Его цена подтверждается на основе продукта. Он упакован в пылестойкую, водонепроницаемую и антистатическую трубчатую упаковку,и помещены в картонную коробку в картонные коробки. Время доставки составляет 2-30 дней, в зависимости от общего количества; и условия оплаты 100% T / T заранее (EXW).Утечка продукта очень низкая.Он также оснащен новой технологией латерального переменного допинга и специальной силовой структурой MOS, что делает его превосходным при высоких температурах.У него большое теплораспределение.Этот высоковольтный MOSFET может быть использован для серии двигателей, инверторов, приложений полного моста / полного моста и т. Д. Он рассчитан на высокое напряжение и сверхвысокое напряжение.
Поддержка и услуги:
Мы предоставляем комплексную техническую поддержку и услуги для высоковольтных продуктов MOSFET.Наша команда опытных инженеров и техников готовы ответить на ваши вопросы и предложить рекомендации по выбору продуктаМы также можем предоставить индивидуальные решения и помощь в разработке, чтобы удовлетворить ваши конкретные требования.
Наши услуги технической поддержки включают:
- Выбор и оценка продукта
- Оптимизация приложений
- Помощь в проектировании
- Устранение неполадок
- Конфигурационные решения
Мы стремимся предоставить лучшую техническую поддержку и услуги для высоковольтных продуктов MOSFET. Если у вас есть вопросы или вам нужна помощь, пожалуйста, не стесняйтесь связаться с нами.
Упаковка и перевозка:
- Высоковольтные MOSFET-продукты должны быть упакованы в антистатический материал для защиты от статического электричества.
- Все перевозки должны включать в себя надлежащую подстилку и защиту.
- Все упаковки должны быть четко обозначены названием продукта, номером части и пунктом назначения.
- Все пакеты должны быть отправлены с информацией о отслеживании.