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1μA 인버터 고전압 MOS, 산업용 고전압 양극 트랜지스터

  • 1μA Inverters High Voltage MOS , Industrial High Voltage Bipolar Transistor
원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
지불 조건 사전에 100% T/T(EXW)
공급 능력 5KK/월

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제품 상세 정보
장점 새로운 측면 가변 도핑 기술, 특수 Power MOS 구조, 고온 특성이 우수합니다. HV MOSFET 애플리케이션 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 인버터 등
전압 정격 고전압/초고압 기술 MOSFET
누출 낮은 누설은 1 µ A 미만에 도달할 수 있습니다. 임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지/풀 브리지 회로 애플리케이션 등
Ultra-HV MOSFET 애플리케이션 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급 장치, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 전력 시스템 등 종류 엔
강조하다

1μA 고전압 MOS

,

인버터 고전압 MOS

,

산업용 고전압 양극 트랜지스터
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
제품 설명

제품 설명:

초고전압 애플리케이션을 위해 특별히 설계된 MOS-Gate 트랜지스터인 고전압 MOSFET를 소개합니다.산업용 스위치 전원 공급 장치, 및 전기 전력 시스템 응용 프로그램. 그것의 낮은 누출은 1μA 이하에 도달 할 수 있으며, 낮은 전압 저항을 가진 N 유형입니다. 이 장치는 모든 유형의 고전압 응용 프로그램에 적합합니다.

 

기술 매개 변수:

제품 이름 고전압 MOSFET
열 분산 큰 열 분산
누출 낮은 누출은 1μA 이하로 도달 할 수 있습니다.
장점 새로운 변동성 도핑 기술, 특수 전력 MOS 구조, 높은 온도에서 우수한 특성.
전압 등급 고전압/극대고전압
고전압 MOSFET 응용 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급, 산업 스위칭 전력 공급, 전기 전력 시스템, 등
기술 MOSFET
FRD HV MOSFET 적용 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지 / 풀 브리지 회로 응용 프로그램, 등
종류 N
저항력 낮은 전원 저항
 

응용 프로그램:

중국 광둥에서 REASUNOS에서 생산하는 고전압 MOSFET은 많은 장점을 가지고 있습니다. 그 가격은 제품에 따라 확인됩니다. 먼지, 방수, 반 정적 튜버 포장에 포장됩니다.그리고 카드본 상자 안에 박스에 넣어배달 시간은 전체 양에 따라 2-30일이며, 지불 조건은 100% T/T 사전 (EXW) 이다. REASUNOS는 또한 5KK / 월의 큰 용량을 가지고 있습니다.제품의 누출은 매우 낮습니다.또한 새로운 변변성 변변성 도핑 기술과 특별한 전력 MOS 구조를 갖추고 있어 고온에서도 탁월합니다.열을 잘 방출합니다.이 고전압 MOSFET는 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지 / 풀 브리지 회로 애플리케이션 등에 사용할 수 있습니다. 그것은 고전압과 초고전압으로 평가됩니다.

 

지원 및 서비스:

고전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스

우리는 고전압 MOSFET 제품에 대한 포괄적인 기술 지원 및 서비스를 제공합니다.경험 많은 엔지니어와 기술자의 우리 팀은 귀하의 질문에 답하고 제품 선택에 대한 지침을 제공 할 수 있습니다, 응용 프로그램 최적화 및 문제 해결. 우리는 또한 사용자 정의 솔루션과 설계 지원을 제공하여 귀하의 특정 요구 사항을 충족시킬 수 있습니다.

우리의 기술 지원 서비스는 다음을 포함합니다:

  • 제품 선택 및 평가
  • 응용 프로그램 최적화
  • 설계 지원
  • 문제 해결
  • 맞춤형 솔루션

우리는 고전압 MOSFET 제품에 대한 최고의 기술 지원과 서비스를 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 질문이 있거나 도움이 필요한 경우 저희에게 연락하는 것을 주저하지 마십시오.

 

포장 및 운송:

포장 및 운송
  • 고전압 MOSFET 제품은 정전 전기로부터 보호하기 위해 반 정적 물질에 포장되어야 합니다.
  • 모든 운송에는 적절한 포장과 보호가 있어야 합니다.
  • 모든 패키지에 제품 이름, 부품 번호, 목적지 등이 표시됩니다.
  • 모든 패키지는 추적 정보와 함께 배송되어야 합니다.
 

FAQ:

Q: 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?
A: 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.
Q: 고전압 MOSFET은 어디서 왔나요?
A: 고전압 MOSFET는 중국 광둥에서 생산됩니다.
Q: 고전압 MOSFET의 가격은 얼마입니까?
A: 고전압 MOSFET의 가격은 제품에 따라 다릅니다. 요금을 위해 저희에게 연락하십시오.
Q: 고전압 MOSFET는 어떻게 포장됩니까?
A: 고전압 MOSFET는 먼지, 방수 및 반 정적 튜버형 포장지로 포장되어 있으며, 카튼 상자 안에 배치됩니다.
Q: 고전압 MOSFET을 만드는 데 얼마나 걸리나요?
A: 배송은 2~30일 정도 소요됩니다. 전체 주문량에 따라 다릅니다.
꼬리표:

안정적인 고전압 전원 모스페트

고전압 시크 모스페트

산업용 초고전압 트랜지스터