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SGT Industrielle Niederspannungsleistung Mosfet, Stabiler Mosfet Niedrigspannung Torschwelle
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
|---|---|
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
P-Kanal Niederspannungs-MOSFET
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
|---|---|
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
| Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |
Energiespeicherung Niederspannungs-MOSFET praktische N-Kanal-Hoch-EAS-Fähigkeit
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
|---|---|
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
MOSFET mit hoher Effizienz für Konverter
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
|---|---|
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
Multiscene Niederspannungs-MOSFET-P-Kanal für die Energiespeicherung
| Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |
|---|---|
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
MOSFET-Multiscene mit stabiler Ultra-Niedrigspannung für schnelles Laden
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
|---|---|
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
Motorfahrer Niederspannung Fet stabil für Hochfrequenzschalter
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
|---|---|
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
SGT Stabil Low Gate Threshold Spannung Mosfet für Gleichstrom-Gleichstromwandler
| Vorteile des Grabenverfahrens: | Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we |
|---|---|
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
Industrielle langlebige Niedrigspannungs-VGS-Mosfet, kleine RSP-Niedrigspannungs-Schalttransistoren
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
|---|---|
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Multiscene 20V Mosfet Niedrigspannung, 5G Basisstation Niedrigleistungstransistor
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
|---|---|
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
| Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |