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Dauerhafte Superjunction Power Mosfet, Überspannungshemmung N-Kanal Mosfet

  • Durable Superjunction Power Mosfet , Anti Surge N Channel Mosfet
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Kapazitanz Ultra-niedrige Kreuzungs-Kapazitanz Paket Ultra Päckchen
Einheitentyp Energie-getrennte Geräte Innenwiderstand Ultra kleiner Innenwiderstand
Anwendung LED-Fahrer, PFC-Stromkreis, Schaltnetzteil, UPS des Dauerleistungs-Versorgungssystems, der New Energ EMS-Rand Große EMI Margin
Vorteile Es wird durch mehrschichtigen Epitaxie-Prozess gemacht. Verglichen mit Graben-Prozess, hat es ausgez Produktbezeichnung Superkreuzung MOSFET/SJ MOSTET
Hervorheben

Dauerhafte Überschneidungskraft Mosfet

,

Überschneidung Power Mosfet N Kanal

,

Anti-Surge N-Kanal Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

N-Typ MOSFET mit hervorragenden Fähigkeiten gegen EMI und Überspannungen für Anwendungen usw.

Beschreibung des Produkts:

Super Junction MOSFET Die beste Wahl für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen

Super Junction MOSFET, auch bekannt als SJ MOSFET, ist eine Art von Leistungsdiskretgerät. Es ist entwickelt, um eine überlegene Leistung in LED-Treiber, PFC-Schaltung, Schaltstromversorgung,UPS für kontinuierliche Stromversorgungssysteme und neue EnergieversorgungsanlagenDieses Gerät bietet eine ultra-große EMI-Marge und eine ultra-niedrige Verbindungskapazität, um eine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit zu gewährleisten.

  • Ausgezeichnete EMI-Marge zur Erfüllung der strengen EMI-Anforderungen an neue Energieversorgungsgeräte
  • Ultra-niedrige Verbindungskapazität für hohen Wirkungsgrad und geringen Leistungsverlust
  • Hochleistungs-Schaltmöglichkeiten für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen
  • Niedrige Kosten und geringe Größe für eine einfache Integration in Stromversorgungssysteme

Super Junction MOSFET ist die beste Wahl für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen.und kostengünstig und leicht in jedes Stromversorgungssystem zu integrieren.

 

Technische Parameter:

Parameter Werte
Produktbezeichnung Überschneidung MOSFET/SJ MOSTET
Typ N
Paket Ultra-kleines Paket
Kapazität Ultra-niedrige Knotenkapazität
Der innere Widerstand Ultraschmaler innerer Widerstand
Gerätetypen Stromdiskrete Geräte
Vorteile Es ist durch mehrschichtigen Epitaxy-Prozess hergestellt. Verglichen mit Trench-Prozess, hat es ausgezeichnete Anti-EMI und Anti-Surge Fähigkeiten
EMI-Marge Große EMI-Marge
Anwendung LED-Treiber, PFC-Schaltkreis, Schaltnetzteil, UPS von kontinuierlicher Stromversorgungssystem, neue Energie Energie Ausrüstung, usw.
 

Anwendungen:

Super Junction MOSFET, hergestellt von REASUNOS aus Guangdong, China, ist ein fortschrittliches Halbleitergerät, das viele Vorteile gegenüber dem Gräbenverfahren aufweist.Es verfügt über ausgezeichnete Anti-EMI und Anti-Surge Fähigkeiten, mit einem großen EMI-Margin und einer ultra-niedrigen Verbindungskapazität, so dass es für leistungsdiskrete Geräte geeignet ist.in einer Rohrverpackung verpackt und in einer Kartonschachtel in Kartons gepackt, um eine sichere Lieferung zu gewährleisten. Der Preis von Super Junction MOSFET ist der Preis, der auf dem Produkt basiert. Die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage und die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus ((EXW).Die Versorgungsfähigkeit beträgt bis zu 5KK/Monat..

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Service für Super Junction MOSFET

Bei XYZ bieten wir umfassende technische Unterstützung und Service für Super Junction MOSFET.Unser Team von erfahrenen Ingenieuren und Technikern ist zur Verfügung, um Kunden mit einer breiten Palette von Dienstleistungen, einschließlich:

  • Entwurfsleitlinien für ein MOSFET mit Superverbindung
  • Fehlerbehebung und Reparatur von Super Junction MOSFET
  • Installation und Wartung vor Ort
  • Technische Ausbildung und Seminare
  • Individuelle Lösungen und Dienstleistungen

Für detaillierte Informationen über unseren technischen Support und Service für Super Junction MOSFET kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam bei XYZ.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von MOSFET mit Superverbindung

Super Junction MOSFETs werden in ESD-sicheren Kunststoffröhren geliefert, die mit leitfähigem Schaum versiegelt sind.Die Rohre werden dann in feuchtigkeitsdichte Kisten gelegt und nach der vom Kunden angegebenen Liefermethode verschifft.

Die Box enthält alle relevanten Produktdokumentationen, einschließlich Produktdatenblätter, Sicherheitswarnungen und Installations- und Gebrauchsanweisungen.Alle Sendungen werden verfolgt und für den vollen Wert der Bestellung versichert..

 

Häufige Fragen:

Frage und Antwort zu REASUNOS Super Junction MOSFET

F1:Was ist der Ursprungsort von REASUNOS Super Junction MOSFET?
A1:Der Ursprungsort von REASUNOS Super Junction MOSFET ist Guangdong, China.

Q2: Was ist das?Wie hoch ist der Preisbereich für REASUNOS Super Junction MOSFET?
A2:Der Preis von REASUNOS Super Junction MOSFET hängt vom Produkt ab. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.

F3:Welche Verpackung enthält REASUNOS Super Junction MOSFET?
A3:Die Verpackung von REASUNOS Super Junction MOSFET besteht aus staub-, wasser- und antistatischer Rohrverpackung, die in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt wird.

Q4:Wie lange wird es dauern, das REASUNOS Super Junction MOSFET zu liefern?
A4:Die Lieferzeit von REASUNOS Super Junction MOSFET hängt von der Gesamtmenge ab und dauert in der Regel 2-30 Tage.

F5:Welche Zahlungsbedingungen gelten für REASUNOS Super Junction MOSFET?
A5:Die Zahlungsbedingungen für REASUNOS Super Junction MOSFET sind 100% T/T im Voraus (EXW).

 

Umbauten:

Transistor mit Metalloxid-Superverbindung

PFC-Schaltkreis-MOSFET mit Überschneidung

Stromversorgung Super Junction MOSFET