Stabiler Transistor mit sehr hoher Spannung

Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Hochspg Mosfet-Anwendung LED-Fahrer, Adapter, industrielles Schaltnetzteil, Inverter usw. Wärmeableitung Große Wärmeableitung
Widerstand Niedriger Auf-Widerstand Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen
Technologie MOSFET Leckage Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen
Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. Nennspannung Hochspannungs-/Ultrahochspannung
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Stabiler Transistor mit sehr hoher Spannung

,

Sehr hohe Spannung Transistor Multiscene

,

Wärmeabbau Hochspannungs-Bipolartransistor

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
Produkt-Beschreibung

Beschreibung des Produkts:

Hochspannungs-MOSFET Niedrigwiderstands-N-Transistor

Hochspannungs-MOSFETs sind Hochspannungs-Strom-MOSFETs, die speziell für einen geringen Ansprechwiderstand konzipiert sind.Diese N-Typ-Transistoren sind äußerst zuverlässig und bieten eine hervorragende Leistung in mehreren Anwendungen.

Diese Transistoren werden üblicherweise für LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltnetzteile, Wechselrichter, intelligente Zähler, Schrankenstromversorgung, industrielle Schaltnetzteile,und Stromversorgungssystem.

Hochspannungs-MOSFETs sind sehr zuverlässig und bieten einen geringen Widerstand, was sie zur idealen Wahl für verschiedene Anwendungen macht.Diese Transistoren können in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet werden, die eine hohe Spannungsleistung erfordern.

Bei XYZ Electronics bieten unsere Hochspannungs-MOSFETs eine überlegene Leistung und sind so konzipiert, dass sie alle Ihre Bedürfnisse erfüllen.Sie können das perfekte Hochspannungs-MOSFET für Ihre Anwendung finden.

 

Technische Parameter:

Parameter Wert
Typ N
Produktbezeichnung Hochspannungs-MOSFET
Wärmeabbau Große Wärmeverteilung
Eingebettete FRD HV MOSFET-Anwendung Motorreihe, Wechselrichter, Halbbrücken-/Vollbrücken-Schaltkreis-Anwendungen usw.
Anwendung von HV Mosfet LED-Treiber, Adapter, industrielle Schaltanlage, Wechselrichter usw.
Widerstand Niedriger Einsatzwiderstand
Vorteile Neue Technologie für das doppende Abwechslungsmittel, spezielle MOS-Struktur, ausgezeichnete Eigenschaften bei hohen Temperaturen.
Anwendung von Ultra-HV-MOSFET Smart Meter, Kabinettstromversorgung, industrielle Schaltanlage, elektrische Stromversorgung usw.
Technologie MOSFET
Nennspannung Hochspannung/Ultrahochspannung
 

Anwendungen:

REASUNOS Hochspannungs-MOSFET ist bekannt für seine hervorragende Leistung in verschiedenen Anwendungsfällen.Es handelt sich um ein Leistungs-MOSFET mit ultrahoher Spannung und kann in verschiedenen Bereichen wie intelligenten Zählern angewendet werden, Schrankenstromversorgung, industrielle Schaltanlage, Stromversorgungssystem, LED-Treiber, Adapter, Wechselrichter, Motorreihe und Anwendungen für Halbbrücken-/Vollbrückenkreisläufe.Das Produkt zeichnet sich auch durch seine neue seitliche variable Dopingtechnologie aus., spezielle Leistung MOS-Struktur und große Wärmeabgabe.

REASUNOS Hochspannungs-MOSFET bietet Kunden eine wettbewerbsfähige Preis, staub-, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, 2-30 Tage Lieferzeit, 100% T/T im Voraus (EXW) Zahlungsbedingungen,und 5KK/Monat Lieferfähigkeit.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Service von Hochspannungs-MOSFET

Wir verpflichten uns, die beste technische Unterstützung und den besten Service für alle unsere Hochspannungs-MOSFET-Produkte zu bieten.Unser Expertenteam ist bereit, Ihre Fragen zu beantworten und Ihnen bei Problemen zu helfen.Wir stellen auch Produktupdates und neue Versionen zur Verfügung, um Ihr System auf dem neuesten Stand zu halten und reibungslos zu laufen.

Wenn Sie Hilfe bei der Fehlerbehebung benötigen, kann unser Expertenteam Ihnen Schritt für Schritt Anweisungen und Anleitungen geben.Wir haben auch eine umfassende Wissensbasis mit häufig gestellten Fragen und Antworten, auf die Sie für schnelle Lösungen zugreifen können.

Wir verstehen, wie wichtig es ist, zuverlässige und sichere Produkte zu haben. Wir aktualisieren ständig unsere Sicherheitsmaßnahmen, um das höchste Maß an Schutz Ihrer Daten zu gewährleisten.Wir stellen auch regelmäßige Wartung und Unterstützung zur Verfügung, um sicherzustellen, dass unsere Produkte immer reibungslos funktionieren.

Wenn Sie Fragen haben oder Hilfe benötigen, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren. Wir stehen Ihnen jederzeit zur Verfügung.

 

Verpackung und Versand:

Hochspannungs-MOSFETs sollten so verpackt und versendet werden, dass Schäden vermieden und ihre sichere Ankunft gewährleistet wird.Bei Verpackung und Versand von Hochspannungs-MOSFETs sind folgende Schritte zu unternehmen::

  • Die MOSFETs sollten sicher in einen antistatischen Beutel oder einen statisch-dissivierenden Beutel gelegt werden.
  • Der Beutel sollte in eine Schachtel mit ausreichend Polstermaterial wie Schaumstoff oder Blasenfolie gelegt werden.
  • Die Schachtel sollte fest verschlossen und klar als Hochspannungs-MOSFETs gekennzeichnet sein.
  • Die Kiste sollte mit einem zuverlässigen Spediteur versandt werden, vorzugsweise einem, der eine Nachverfolgung und Versicherung anbietet.
 

Häufige Fragen:

F1: Wie heißt der Markenname von Hochspannungs-MOSFET?

A1: Der Markenname von Hochspannungs-MOSFET ist REASUNOS.

F2: Wo liegt der Ursprungsort von Hochspannungs-MOSFET?

A2: Der Ursprungsort von Hochspannungs-MOSFET ist Guangdong, China.

F3: Wie hoch ist der Preis für Hochspannungs-MOSFET?

A3: Der Preis für Hochspannungs-MOSFET hängt vom Produkt ab. Bitte bestätigen Sie den Preis bei uns.

F4: Wie wird Hochspannungs-MOSFET verpackt?

A4: Das Hochspannungs-MOSFET ist mit staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einem Karton verpackt.

F5: Wie lange dauert die Lieferzeit für Hochspannungs-MOSFET?

A5: Die Lieferzeit für Hochspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.