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Industrie-MOSFET-N-Kanal-Mehrschichtprozess

  • Industrial Super Junction MOSFET N Channel Multi Layer Process
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Innenwiderstand Ultra kleiner Innenwiderstand Anwendung LED-Fahrer, PFC-Stromkreis, Schaltnetzteil, UPS des Dauerleistungs-Versorgungssystems, der New Energ
Vorteile Es wird durch mehrschichtigen Epitaxie-Prozess gemacht. Verglichen mit Graben-Prozess, hat es ausgez EMS-Rand Große EMI Margin
Kapazitanz Ultra-niedrige Kreuzungs-Kapazitanz Paket Ultra Päckchen
Typ N Einheitentyp Energie-getrennte Geräte
Hervorheben

MOSFET mit industrieller Superverbindung

,

MOSFET-N-Kanal für die Überschneidung

,

Mehrschicht Mosfet N Kanal
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

N-Typ-Transistor mit Metalloxidfeld-Effekt mit extrem geringer innerer Widerstandsleistung

Beschreibung des Produkts:

Der Super Junction Metal Oxide Field Effect Transistor (super mosfet) ist eine neue Generation von Stromgeräten.Es verfügt über ausgezeichnete Fähigkeiten gegen EMI und Überspannungen., so dass es die ideale Wahl für LED-Treiber, PFC-Schaltung, Schaltstromversorgung, UPS der kontinuierlichen Stromversorgungssystem und neue Energie-Energie-Ausrüstung.Zu seinen bemerkenswerten Eigenschaften gehört die ultra-niedrige Verbindungskapazität, eine große EMI-Marge und ein extrem geringer innerer Widerstand.

Super Junction Metal Oxide Field Effect Transistor (super mosfet) ist eine gute Wahl für Anwendungen, bei denen eine große EMI-Marge und eine ultra-niedrige Verbindungskapazität gewünscht werden.Sein mehrschichtiger Epitaxiprozess und seine Fähigkeiten gegen EMI und Überspannung machen es für LED-Treiber geeignetDie Anlagen sind in der Regel mit einer hohen Leistungsfähigkeit ausgestattet, die durch eine hohe Leistungsdichte, eine hohe Leistungsdichte, eine hohe Leistungsdichte, eine hohe Leistungsdichte, eine hohe Leistungsdichte, eine hohe Leistungsdichte, eine hohe Leistungsdichte, eine hohe Leistungsdichte, eine hohe Leistungsdichte, eine hohe Leistungsdichte, eine hohe Leistungsdichte, eine hohe Leistungsdichte, eine hohe Leistungsdichte, eine hohe Leistungsdichte, eine hohe Leistungsdichte, eine hohe Leistungsdichte und eine hohe Leistungsdichte.

Zusammenfassend ist der Super Junction Metal Oxide Field Effect Transistor (Super mosfet) ein hochentwickeltes Leistungsgerät mit außergewöhnlichen Eigenschaften.Anti-EMI- und Anti-Surge-Fähigkeiten, und der ultrakleine interne Widerstand machen es zur idealen Wahl für LED-Treiber, PFC-Schaltkreis, Schaltnetzteil, UPS des kontinuierlichen Stromversorgungssystems und neue Energieversorgungsausrüstung.

 

Technische Parameter:

Parameter Wert
Produktbezeichnung Super Junction MOSFET (SJ MOSFET)
EWI-Marge Große EMI-Marge
Kapazität Ultra-niedrige Knotenkapazität
Paket Ultra-kleines Paket
Anwendung LED-Treiber, PFC-Schaltkreis, Schaltversorgung, UPS des kontinuierlichen Stromversorgungssystems, neue Energieversorgungsausrüstung usw.
Vorteile Es wird durch mehrschichtigen Epitaxy-Prozess hergestellt. Im Vergleich zum Trench-Prozess hat es ausgezeichnete Anti-EMI- und Anti-Surge-Fähigkeiten.
Der innere Widerstand Ultraschmaler innerer Widerstand
Gerätetypen Stromdiskrete Geräte
Typ N
 

Anwendungen:

REASUNOS Super Junction MOSFETs: Eine ideale Lösung für leistungsdiskrete Geräte

REASUNOS, eine international anerkannte Marke, ist stolz darauf, seine Super Junction Metal Oxide Field Effect Transistors (MOSFETs) als ideale Lösung für leistungsdiskrete Geräte anzubieten.Dieses Si-Super-Junction-MOSFET wird mit Hilfe eines mehrschichtigen Epitaxy-Verfahrens hergestelltDarüber hinaus verfügen die REASUNOS Si Super Junction MOSFETs auch über eine ultra-niedrige Verbindungskapazität und einen ultra-kleinen inneren Widerstand.

Diese Geräte sind in ultra-kleinen Verpackungen erhältlich und zu einem preiswerten Preis, der auf jedes einzelne Produkt zugeschnitten ist.mit Bestellungen, die je nach Menge in der Regel innerhalb von zwei bis dreißig Tagen geliefert werden. Die REASUNOS Super Junction MOSFETs sind mit staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen ausgestattet, die in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt werden.Die Zahlung ist im Voraus erforderlich und wird per T/T akzeptiertReasonos garantiert eine Lieferung von bis zu 5 000 Tonnen.000Es sind mehr als 1.000 Einheiten der Super Junction MOSFETs pro Monat.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Unser Team von erfahrenen Ingenieuren steht zur Verfügung, um bei der Auswahl der Produkte zu helfen.Auswertung des EntwurfsWir bieten auch umfassende technische Ressourcen und Design-Tools an, um Kunden-Design-Reviews zu erleichtern.Unser erfahrenes Vertriebsteam steht Ihnen bei der Produktauswahl zur Verfügung und bietet technische Unterstützung.Wir bieten auch eine Vielzahl von Bildungsressourcen, um Kunden dabei zu unterstützen, sich über die neuesten Technologien und Designtrends auf dem Laufenden zu halten.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Super Junction MOSFET

Super Junction MOSFETs werden in der Regel in Standard-Kunststoffverpackungen geliefert, die einen guten Schutz vor Staub, Feuchtigkeit und anderen Umweltfaktoren bieten können.Die Verpackung sollte so ausgelegt sein, dass das Gerät während des Transports vor mechanischen Schocks oder Beschädigungen geschützt wird.Die Verpackungen sollten auch mit dem Hersteller- und Produktnamen klar gekennzeichnet sein.

Die Versandmethode sollte auf der Grundlage der Größe und des Gewichts des Super Junction MOSFET gewählt werden.Während größere Pakete über den Bodentransport versendet werden solltenDie Versandmethode sollte auf der Grundlage der Lieferzeit und der Kosten gewählt werden.

 

Häufige Fragen:

F: Was ist ein Super Junction MOSFET?
A: Ein Super Junction MOSFET ist eine Art Metalloxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistor (MOSFET), der für Hochspannungs-Schalteranwendungen entwickelt wurde.Es wird von REASUNOS hergestellt und ist in verschiedenen Größen und Verpackungen erhältlich..

F: Was ist der Ursprung von REASUNOS Super Junction MOSFET?
A: REASUNOS Super Junction MOSFET ist ein Produkt aus Guangdong, China.

F: Wie hoch ist der Preis für das Super Junction MOSFET?
A: Der Preis von Super Junction MOSFET hängt vom Produkt ab. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.

F: Wie wird Super Junction MOSFET verpackt?
A: Super Junction MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatische Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt.

F: Wie lange dauert die Lieferung für das Super Junction MOSFET?
A: Die Lieferzeit für Super Junction MOSFET liegt je nach Gesamtmenge zwischen 2 und 30 Tagen.

Umbauten:

Transistor mit Metalloxid-Superverbindung

PFC-Schaltkreis-MOSFET mit Überschneidung

Stromversorgung Super Junction MOSFET