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LED-Treiber Super Junction MOSFET Überspannungsgegenstand

  • LED Driver Super Junction MOSFET Anti Surge Anti EMI Small Internal Resistance
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Einheitentyp Energie-getrennte Geräte Kapazitanz Ultra-niedrige Kreuzungs-Kapazitanz
Produktbezeichnung Superkreuzung MOSFET/SJ MOSTET EMS-Rand Große EMI Margin
Paket Ultra Päckchen Anwendung LED-Fahrer, PFC-Stromkreis, Schaltnetzteil, UPS des Dauerleistungs-Versorgungssystems, der New Energ
Typ N Innenwiderstand Ultra kleiner Innenwiderstand
Hervorheben

MOSFET mit LED-Treiber-Superschnitt

,

Super Junction MOSFET Anti Überspannung

,

Anti EMI Super Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Super Junction MOSFET für LED-Treiber mit hervorragenden Anti-EMI- und Anti-Surge-Fähigkeiten

Beschreibung des Produkts:

Super Junction MOSFET Ultra-kleines Paket und große EMI-Marge

Super Junction MOSFETs sind eine ideale Wahl für Anwendungen wie LED-Treiber, PFC-Schaltkreis, Schaltversorgung, UPS von kontinuierlicher Stromversorgung und neue Energieversorgungsgeräte.Mit seinem ultra-kleinen Paket und seiner großen EMI-Marge ist es sehr effizient und zuverlässig..

Die große EMI-Marge von Super-Junction-MOSFETs wird durch ihre ultra-niedrige Verbindungskapazität erreicht, die dazu beiträgt, EMI-Rauschen aus der Schaltung zu reduzieren.führt zu einem effizienteren und zuverlässigeren BetriebDarüber hinaus macht die ultra-kleine Verpackungsgröße von Super Junction MOSFETs sie zu einer geeigneten Wahl für Anwendungen, bei denen der Platzspaß begrenzt ist.

Insgesamt sind Super Junction MOSFETs so konzipiert, dass sie in einer Vielzahl von Anwendungen maximale Leistung und Zuverlässigkeit bieten.Ihre große EMI-Marge und das ultra-kleine Paket machen sie zu einer idealen Wahl für LED-Treiber, PFC-Schaltkreis, Schaltversorgung, UPS des kontinuierlichen Stromversorgungssystems und neue Energieversorgungsausrüstung.

 

Technische Parameter:

Eigenschaft Wert
Paket Ultra-kleines Paket
Vorteile Es ist durch mehrschichtigen Epitaxy-Prozess hergestellt. Verglichen mit Trench-Prozess, hat es ausgezeichnete Anti-EMI und Anti-Surge Fähigkeiten
Der innere Widerstand Ultraschmaler innerer Widerstand
Gerätetypen Stromdiskrete Geräte
Anwendung LED-Treiber, PFC-Schaltkreis, Schaltnetzteil, UPS von kontinuierlicher Stromversorgungssystem, neue Energie Energie Ausrüstung, usw.
EMI-Marge Große EMI-Marge
Kapazität Ultra-niedrige Knotenkapazität
Produktbezeichnung Überschneidung MOSFET/SJ MOSTET
Typ N
 

Anwendungen:

MOSFET mit Superverbindung:Dieser Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (sj mosfet) der Marke REASUNOS wird in Guangdong, CN, hergestellt. Er ist in staub-, wasser- und antistatischer Rohrverpackung verpackt,in einer Kartonscheibe in Kartonschichten. Die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) und die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus ((EXW).Verglichen mit dem GräbenverfahrenEs ist für LED-Treiber, PFC-Schaltkreis, Schaltversorgung, UPS von kontinuierlicher Stromversorgung, neue Energie-Leistungsausrüstung usw. geeignet.Es handelt sich um ein leistungsunabhängiges Gerät mit N-Typ.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Wartung von Super Junction MOSFET

Wir bieten technische Unterstützung und Service für unsere Super Junction MOSFET Produkte, damit Kunden die beste Leistung aus ihren Geräten herausholen können.

Unser technisches Support-Team steht Ihnen zur Verfügung, um Fragen zu Ihrem Produkt zu beantworten oder bei der Installation und Einrichtung zu helfen.

Wir bieten auch eine umfassende Garantie für unsere Super Junction MOSFET-Produkte an, die alle Material- und Verarbeitungsfehler sowie andere unerwartete Probleme abdeckt.

Wenn Sie Fragen haben oder Hilfe benötigen, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren. Unser Team ist rund um die Uhr zur Verfügung, um Ihnen zu helfen, das Beste aus Ihrem Super Junction MOSFET zu machen.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand

Super Junction MOSFETs werden entweder in einem Rohr oder in einem Band-und-Roll-Format verpackt und versandt.

Die Schläuche sind mit Schaum ausgekleidet und in Plastiktüten versiegelt, während die Klebebandteile in antistatischen Beuteln mit Trocknungsmitteln verpackt sind.

 

Häufige Fragen:

F: Was ist ein Super Junction MOSFET?
A: Super Junction MOSFET ist eine Art MOSFET, die Fortschritte in der Prozesstechnologie nutzt, um den Einsatzwiderstand des Geräts zu reduzieren.mit einer Leistung von mehr als 50 W, Motorsteuerung und Stromversorgung.
F: Was ist der Markenname von Super Junction MOSFET?
A: Der Markenname von Super Junction MOSFET ist REASUNOS.
F: Wo ist der Ursprungsort von Super Junction MOSFET?
A: Der Ursprungsort von Super Junction MOSFET ist Guangdong, China.
F: Wie hoch ist der Preis für Super Junction MOSFET?
A: Der Preis von Super Junction MOSFET hängt vom Produkt ab, bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.
F: Wie wird das Super Junction MOSFET verpackt?
A:Super Junction MOSFET ist mit staub-, wasser- und antistatischer Rohrverpackung verpackt und in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt.
F: Wie lange dauert die Lieferung des Super Junction MOSFET?
A:Die Lieferung von Super Junction MOSFET dauert in der Regel 2-30 Tage, je nach Gesamtmenge.
Umbauten:

Transistor mit Metalloxid-Superverbindung

PFC-Schaltkreis-MOSFET mit Überschneidung

Stromversorgung Super Junction MOSFET