すべての製品
SGT 産業低電圧電源 モスフェット 安定 モスフェット 低ゲート 限界電圧
| 構造プロセス: | トレンチ/SGT |
|---|---|
| トレンチプロセスの利点: | より小型のRSP、直列・並列構成を自由に組み合わせて活用できます。 |
| 抵抗: | 低いRDS （） |
Pチャネル低電圧MOSFET 無線充電用耐久性 低
| トレンチプロセスの適用: | ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。 |
|---|---|
| SGTのプロセス適用: | モーター運転者、5G基地局、エネルギー蓄積、高周波スイッチ、同期改正。 |
| 製品名: | 低電圧MOSFET |
エネルギー貯蔵 低電圧 MOSFET 実用 N チャネル 高EAS 能力
| EAS機能: | 高い EAS 機能 |
|---|---|
| トレンチプロセスの利点: | より小型のRSP、直列・並列構成を自由に組み合わせて活用できます。 |
| 構造プロセス: | トレンチ/SGT |
多機能低電圧 MOSFET 高効率の変換器
| SGTのプロセス利点: | より多くの適用をカバーする進歩FOMの最適化。 |
|---|---|
| EAS機能: | 高い EAS 機能 |
| トレンチプロセスの利点: | より小型のRSP、直列・並列構成を自由に組み合わせて活用できます。 |
多面低電圧MOSFET Pチャネル エネルギー貯蔵のためのSGTプロセス
| 製品名: | 低電圧MOSFET |
|---|---|
| 効率性: | 高効率と信頼性 |
| トレンチプロセスの適用: | ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。 |
安定した超低電圧 MOSFET マルチスクリーン 急速充電
| SGTのプロセス利点: | より多くの適用をカバーする進歩FOMの最適化。 |
|---|---|
| トレンチプロセスの適用: | ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。 |
| 電力消費量: | 低い電力の損失 |
SGT 安定低ゲート 限界電圧 モスフェット DC DC 変換器
| トレンチプロセスの利点: | より小型のRSP、直列・並列構成を自由に組み合わせて活用できます。 |
|---|---|
| SGTのプロセス適用: | モーター運転者、5G基地局、エネルギー蓄積、高周波スイッチ、同期改正。 |
| 構造プロセス: | トレンチ/SGT |
産業用耐久性低VGSモスフェット 小型RSP低電圧スイッチトランジスタ
| SGTのプロセス利点: | より多くの適用をカバーする進歩FOMの最適化。 |
|---|---|
| 電力消費量: | 低い電力の損失 |
| トレンチプロセスの適用: | ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。 |