N-Typ-MOSFET-Mehrzweck-Superschnitt für die Schaltvorrichtung
Herkunftsort | Guangdong, KN |
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Markenname | REASUNOS |
Preis | Confirm price based on product |
Verpackung Informationen | Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons |
Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |

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xAnwendung | LED-Fahrer, PFC-Stromkreis, Schaltnetzteil, UPS des Dauerleistungs-Versorgungssystems, der New Energ | Vorteile | Es wird durch mehrschichtigen Epitaxie-Prozess gemacht. Verglichen mit Graben-Prozess, hat es ausgez |
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EMS-Rand | Große EMI Margin | Innenwiderstand | Ultra kleiner Innenwiderstand |
Paket | Ultra Päckchen | Einheitentyp | Energie-getrennte Geräte |
Typ | N | Kapazitanz | Ultra-niedrige Kreuzungs-Kapazitanz |
Hervorheben | N-Typ-MOSFET mit Überschneidung,Super Junction MOSFET Mehrzweck,Stromversorgung N Überschneidungsdiode |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
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1 | RSE60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
2 | RSE60R190S | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-263 | 800 | |
3 | RSE60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
4 | RSF60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
5 | RSF60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
6 | RS60R130F | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO-220F | 1000 | |
7 | RS60R130W | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO247-3 | 600 | |
8 | RSF60R099F | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO-220F | 1000 | |
9 | RSF60R099W | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO247-3 | 600 | |
10 | RSF60R070W | N | 45 | 600 | 61 | 70 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSF60R041W | N | 70 | 600 | 35 | 41 | TO247-3 | 600 | |
12 | RSF60R070F | N | 48 | 600 | 58 | 68 | TO-220F | 1000 | |
13 | RSF60R026W | N | 100 | 600 | 20 | 26 | TO247-3 | 600 | |
14 | RSU4N65D | N | 4 | 650 | 880 | 1000 | TO-252 | 2500 | |
15 | RSU7N65D | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-252 | 2500 | |
16 | RSU7N65F | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-220F | 1000 | |
17 | RS65R600D | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-252 | 2500 | |
18 | RS65R600F | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
19 | RSE65R550D | N | 7.6 | 650 | 480 | 550 | TO-252 | 2500 | |
20 | RSU12N65F | N | 12 | 650 | 380 | 420 | TO-220F | 1000 | |
21 | RS65R380D | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-252 | 2500 | |
22 | RS65R380F | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-220F | 1000 | |
23 | RS65R280D | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-252 | 2500 | |
24 | RS65R280F | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-220F | 1000 | |
25 | RSE65R210F | N | 16.8 | 650 | 185 | 210 | TO-220F | 1000 | |
26 | RS65R190F | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220F | 1000 | |
27 | RS65R190S | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-263 | 800 | |
28 | RS65R190T | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220 | 1000 | |
29 | RSF65R190T | N | 20 | 650 | 170 | 190 | TO-220 | 1000 | |
30 | RSE65R180F | N | 22 | 650 | 150 | 180 | TO-220F | 1000 | |
31 | RSE65R165F | N | 20.4 | 650 | 145 | 165 | TO-220F | 1000 | |
32 | RSF65R130F | N | 26 | 650 | 115 | 130 | TO-220F | 1000 | |
33 | RSE70R600F | N | 7.3 | 700 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
34 | RSE70R420F | N | 11 | 700 | 365 | 420 | TO-220F | 1000 | |
35 | RSE70R360F | N | 12 | 700 | 315 | 360 | TO-220F | 1000 | |
36 | RSE80R850D | N | 7 | 800 | 740 | 850 | TO-252 | 2500 | |
37 | RS80R500F | N | 9 | 800 | 420 | 500 | TO-220F | 1000 | |
38 | RSE80R380F | N | 13 | 800 | 330 | 380 | TO-220F | 1000 | |
39 | RSE80R250F | N | 18 | 800 | 220 | 250 | TO-220F | 1000 |
Ultra-niedrige Verbindungskapazität N Dioden-Sondergeräte mit Superverbindung
Beschreibung des Produkts:
Super Junction MOSFET, auch bekannt als Super Junction Metal Oxide Field Effect Transistor, ist eine Art von Stromdiskretgerät mit einem ultra kleinen Paket.Es verfügt über einen sehr geringen inneren Widerstand, ultra-niedrige Verbindungskapazität und große EMI-Marge, was es zu einer idealen Wahl für Anwendungen wie Leistungskonversion, Strommanagement, Hochfrequenzschaltung, Verstärker und Motorsteuerung macht.Es ist auch als Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor bekannt.
Technische Parameter:
Eigentum | Wert |
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Gerätetypen | Stromdiskrete Geräte |
Typ | N |
Produktbezeichnung | Überschneidung MOSFET/SJ MOSTET |
Paket | Ultra-kleines Paket |
Vorteile | Es ist durch mehrschichtigen Epitaxy-Prozess hergestellt. Verglichen mit Trench-Prozess, hat es ausgezeichnete Anti-EMI und Anti-Surge Fähigkeiten |
Kapazität | Ultra-niedrige Knotenkapazität |
Der innere Widerstand | Ultraschmaler innerer Widerstand |
EMI-Marge | Große EMI-Marge |
Anwendung | LED-Treiber, PFC-Schaltkreis, Schaltnetzteil, UPS von kontinuierlicher Stromversorgungssystem, neue Energie Energie Ausrüstung, usw. |
Anwendungen:
REASUNOS Super Junction MOSFET (SJ MOSFET) ist ein Metalloxid Halbleiterfeldwirkungstransistor (MOSFET) mit einem großen EMI-Margin und einem ultra kleinen inneren Widerstand.Es handelt sich um ein Gerät des Typs N und hat große Anwendungsmöglichkeiten in LED-Treiber, PFC-Schaltkreis, Schaltnetzversorgung, UPS des kontinuierlichen Stromversorgungssystems und neue Energieversorgungsausrüstung usw.
REASUNOS Super Junction MOSFET ist ein hochwertiges Produkt mit zuverlässiger Leistung und stabilem Betrieb.in einer Kartonscheibe in Kartonschichten. Der Preis dieses Produkts wird je nach Produkt bestätigt und kann 2-30 Tage nach Erhalt der Zahlung geliefert werden. REASUNOS kann 5KK / Monat des Super Junction MOSFET liefern.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Wir bieten technische Unterstützung und Service für das Super Junction MOSFET.Unsere erfahrenen Fachkräfte sind bereit, den Kunden die zuverlässigsten und effizientesten Lösungen für ihre Anwendungen zu bietenWir bieten diese Dienstleistungen über unsere Website, Telefon und E-Mail an.
- Design- und Simulationsunterstützung für die Produktauswahl, Anwendungen und Fehlerbehebung
- Produktspezifische und anwendungsspezifische Dokumentation, einschließlich Datenblättern und Anwendungsnotizen
- technische Unterstützung vor Ort
- Konstruktion und Herstellung von individuellen Lösungen
- Reparatur- und Wartungsarbeiten
- Installation und Inbetriebnahme vor Ort
Verpackung und Versand:
Unsere Super Junction MOSFETs werden in hochwertigen Behältern verpackt und versandt, die das Produkt vor Umweltschäden während des Transports schützen.Die Behälter sind so ausgelegt, dass die Produkte sicher und sicher ankommen.
Der Verpackungsprozess umfasst folgende Schritte:
- Die MOSFETs sind einzeln in antistatisches Material eingewickelt.
- Die verpackten MOSFETs werden für zusätzlichen Schutz in Behälter mit Blasenfolie gelegt.
- Die Behälter sind mit den Produktinformationen und der Versandadresse versehen.
- Die Container werden in größere Versandkisten mit zusätzlicher Polsterung gelegt.
- Die Versandboxen sind versiegelt und mit der Versandadresse versehen.
Alle Pakete werden mit einer Nachverfolgungsnummer versendet, so dass die Kunden den Fortschritt ihrer Sendung überwachen können.
Häufige Fragen:
F1: Was ist ein Super Junction MOSFET?
A1:Super Junction MOSFET is a type of MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) that features a structure with multiple connected junctions to reduce on-resistance and increase current handling capabilities.
F2: Wo wird REASUNOS Super Junction MOSFET hergestellt?
A2: REASUNOS Super Junction MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.
F3: Wie viel kostet das REASUNOS Super Junction MOSFET?
A3: Der Preis für REASUNOS Super Junction MOSFET ist Preis, der auf dem Produkt basiert.
F4: Wie wird REASUNOS Super Junction MOSFET verpackt?
A4:REASUNOS Super Junction MOSFET ist mit staub-, wasser- und antistatischer Rohrverpackung verpackt und in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt.
F5: Wie lange dauert die Lieferung des REASUNOS Super Junction MOSFET?
A5:Die Lieferung des REASUNOS Super Junction MOSFET dauert 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge).