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SGT Puissance à basse tension industrielle Mosfet, Mosfet stable Voltage de seuil de basse porte
Processus de structuration: | Tranchée/SGT |
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Avantages du procédé de tranchée: | Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé |
Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
MOSFET à basse tension de canal P Durable pour une charge sans fil basse
Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
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Application de processus de SGT: | Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r |
Nom du produit: | MOSFET basse tension |
Stockage de l'énergie MOSFET basse tension pratique N-canal Haute capacité EAS
Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
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Avantages du procédé de tranchée: | Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé |
Processus de structuration: | Tranchée/SGT |
MOSFET à basse tension multifonctionnel à haut rendement pour convertisseur
Avantages de processus de SGT: | Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. |
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Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
Avantages du procédé de tranchée: | Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé |
Multi-scène basse tension MOSFET P canal pour le stockage de l'énergie
Nom du produit: | MOSFET basse tension |
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l'efficacité: | Haute efficacité et fiabilité |
Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
MOSFET multi-scène à ultra-faible tension stable pour une charge rapide
Avantages de processus de SGT: | Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. |
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Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
Consommation d'électricité: | Perte de puissance faible |
Conducteur moteur basse tension Fet stable pour le commutateur haute fréquence
l'efficacité: | Haute efficacité et fiabilité |
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Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
SGT Stable basse porte seuil de tension Mosfet Pour le convertisseur DC DC
Avantages du procédé de tranchée: | Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé |
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Application de processus de SGT: | Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r |
Processus de structuration: | Tranchée/SGT |
Transistor à basse tension résistant à l' électricité
Avantages de processus de SGT: | Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. |
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Consommation d'électricité: | Perte de puissance faible |
Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
Multiscène 20V Mosfet basse tension, station de base 5G Transistor à faible puissance
Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
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Processus de structuration: | Tranchée/SGT |
Nom du produit: | MOSFET basse tension |