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Schalter praktischer Mosfet Niedrigstrom, Multifunktionaler Niederspannungstransistor
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
|---|---|
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
Praktische Niederspannungs-MOSFET Multifunktions-N-Kanal-Niederspannungs-Rds
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
|---|---|
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
Konverter Niederspannungs-MOSFET Mehrzweck für drahtlose Ladung
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
|---|---|
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Langlebige SGT Niederspannungs-MOSFET-Multifunktion mit kleinerer RSP
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
|---|---|
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Multipurpose Niederspannungs-MOSFET hohe Effizienz für Motorfahrer
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
|---|---|
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
Praktische Hochspannungs-MOSFET-Wärmedimmer 300V-1500V für Halbbrücke
| Vorteile: | Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig |
|---|---|
| Anwendung MOSFET-Ultra-Hochspg: | Intelligentes Meter, Kabinett-Stromversorgung, industrielles Schaltnetzteil, System der elektrischen |
| Technologie: | MOSFET |
Multifunktionales Hochspannungs-MOSFET stabil für die Kabinettstromversorgung
| Leckage: | Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen |
|---|---|
| Eingebettete FRD Hochspg MOSFET-Anwendung: | Bewegungs-Reihe, Inverter, Halbbrücke-/Vollbrückenschaltung Anwendungen, etc. |
| Vorteile: | Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig |
Anti-Surge Hochspannungs-MOSFET
| Nennspannung: | Hochspannungs-/Ultrahochspannung |
|---|---|
| Wärmeableitung: | Große Wärmeableitung |
| Widerstand: | Niedriger Auf-Widerstand |
Motor Ultra-Hochspannungstransistor Multifunktionell Langlebig
| Leckage: | Niedriges Durchsickern kann weniger als 1 µ A erreichen |
|---|---|
| Vorteile: | Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig |
| Technologie: | MOSFET |
Langlebiger Transistor mit sehr hoher Spannung
| Vorteile: | Neue seitliche variable lackierende Technologie, spezielle Energie MOS Structure, ausgezeichnete Eig |
|---|---|
| Hochspg Mosfet-Anwendung: | LED-Fahrer, Adapter, industrielles Schaltnetzteil, Inverter usw. |
| Produktbezeichnung: | Hochspannungs-MOSFET |