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UPS praktische Silikon-N-Typ Halbleiter Temperaturbeständigkeit
| Effizienz: | Hohe Leistungsfähigkeit |
|---|---|
| Sperrverzögerungsstrom: | Extrem geringer Rückwärtsstrom |
| Temperatur-Widerstand: | Hochtemperaturbeständigkeit |
Industrielle Halbleiter auf Siliziumbasis, Mehrzweck-Hochfrequenztransistoren
| Sperrverzögerungsstrom: | Extrem geringer Rückwärtsstrom |
|---|---|
| Macht: | Hohe Leistung |
| Häufigkeit: | Hochfrequenz |
UPS Hochspannungs Halbleiter, stabiler Halbleiter des Typs N Silizium
| Häufigkeit: | Hochfrequenz |
|---|---|
| Anwendung: | Solarumrichter, Hochspannungs-DC/DC-Umrichter, Motorantrieb, UPS, Schaltanlage, Umrichter, UPS, Moto |
| Temperatur-Widerstand: | Hochtemperaturbeständigkeit |
Langlebiger Halbleiter aus Siliziumkarbid, Multifunktionaler Hochleistungstransistor
| Antisurge-Strom: | Stärkung der Leistungsfähigkeit des Überspannungstroms |
|---|---|
| Produktbezeichnung: | Halbleiter mit hoher Leistung |
| Anwendung: | Solarumrichter, Hochspannungs-DC/DC-Umrichter, Motorantrieb, UPS, Schaltanlage, Umrichter, UPS, Moto |
Praktische 60KHz Hochfrequenz IGBT, Multi-Funktion Gate Bipolar Transistor
| Schaltverzögerung: | Schnellere Schaltgeschwindigkeit |
|---|---|
| Anwendungs-Frequenz: | 60KHz |
| Macht: | Hohe Leistung |
Multiscene Niedrigleistungs-Mosfet-Transistoren SGT stabil mit niedriger Schwellenspannung
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
|---|---|
| Produktbezeichnung: | Niederspannungs-MOSFET |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
60V 150V Niederspannung Hochstrom Mosfet Dauerhafte Multifunktion
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
|---|---|
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
Dauerhafte Schütze Niederspannung Leistung MOSFET, SGT Ultra Niederspannung Schwellen MOSFET
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
|---|---|
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
Mehrzweck-Niedrigleistungsmosfetten, N-Kanal-Mosfet Niedrigspannungsschwelle
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
|---|---|
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Stabiler 20V Niedrigstrom-P-Kanal Mosfet, praktischer Niederspannungs-Hochstrom-Transistor
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
|---|---|
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |