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SGT 산업용 저전압 전력 모스페트, 안정적인 모스페트 낮은 게이트 임계 전압
| 구조 프로세스: | 트렌치/SGT |
|---|---|
| 트렌치 공정의 장점: | 더 작은 RSP, 직렬 및 병렬 구성 모두 자유롭게 결합하고 활용할 수 있습니다. |
| 저항: | 낮은 RDS(ON) |
P 채널 저전압 MOSFET 무선 충전용 내구성 낮은
| 트렌치 공정 적용: | 무선 충전, 고속 충전, 모터 드라이버, DC/DC 컨버터, 고주파 스위치, 동기 정류. |
|---|---|
| SGT 프로세스 적용: | 모터 드라이버, 5G 기지국, 에너지 저장, 고주파 스위치, 동기 정류. |
| 제품 이름: | 저전압 MOSFET |
에너지 저장 저전압 MOSFET 실용 N 채널 높은 EAS 용량
| EAS 기능: | 높은 EAS 기능 |
|---|---|
| 트렌치 공정의 장점: | 더 작은 RSP, 직렬 및 병렬 구성 모두 자유롭게 결합하고 활용할 수 있습니다. |
| 구조 프로세스: | 트렌치/SGT |
다기능 저전압 MOSFET 변환기
| SGT 프로세스의 장점: | 획기적인 FOM 최적화로 더 많은 애플리케이션을 포괄합니다. |
|---|---|
| EAS 기능: | 높은 EAS 기능 |
| 트렌치 공정의 장점: | 더 작은 RSP, 직렬 및 병렬 구성 모두 자유롭게 결합하고 활용할 수 있습니다. |
에너지 저장 SGT 프로세스를 위한 다단계 저전압 MOSFET P 채널
| 제품 이름: | 저전압 MOSFET |
|---|---|
| 효율성: | 높은 효율성과 신뢰성 |
| 트렌치 공정 적용: | 무선 충전, 고속 충전, 모터 드라이버, DC/DC 컨버터, 고주파 스위치, 동기 정류. |
급속 충전을 위한 안정적인 초저전압 MOSFET 멀티스케인
| SGT 프로세스의 장점: | 획기적인 FOM 최적화로 더 많은 애플리케이션을 포괄합니다. |
|---|---|
| 트렌치 공정 적용: | 무선 충전, 고속 충전, 모터 드라이버, DC/DC 컨버터, 고주파 스위치, 동기 정류. |
| 소비 전력: | 낮은 전력 손실 |
SGT DC DC 변환기 위한 안정적인 낮은 게이트 임계 전압 모스페트
| 트렌치 공정의 장점: | 더 작은 RSP, 직렬 및 병렬 구성 모두 자유롭게 결합하고 활용할 수 있습니다. |
|---|---|
| SGT 프로세스 적용: | 모터 드라이버, 5G 기지국, 에너지 저장, 고주파 스위치, 동기 정류. |
| 구조 프로세스: | 트렌치/SGT |
산업용 내구성 낮은 VGS 모스페트, 작은 RSP 저전압 스위칭 트랜지스터
| SGT 프로세스의 장점: | 획기적인 FOM 최적화로 더 많은 애플리케이션을 포괄합니다. |
|---|---|
| 소비 전력: | 낮은 전력 손실 |
| 트렌치 공정 적용: | 무선 충전, 고속 충전, 모터 드라이버, DC/DC 컨버터, 고주파 스위치, 동기 정류. |