Praktische Super Junction Fet N Typ Multi-Funktion für Konverter
Herkunftsort | Guangdong, KN |
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Markenname | REASUNOS |
Preis | Confirm price based on product |
Verpackung Informationen | Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons |
Lieferzeit | 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) |
Zahlungsbedingungen | 100% T/T im Voraus (EXW) |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit | 5KK/Monat |

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xProduktbezeichnung | Superkreuzung MOSFET/SJ MOSTET | Anwendung | LED-Fahrer, PFC-Stromkreis, Schaltnetzteil, UPS des Dauerleistungs-Versorgungssystems, der New Energ |
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Innenwiderstand | Ultra kleiner Innenwiderstand | Paket | Ultra Päckchen |
Vorteile | Es wird durch mehrschichtigen Epitaxie-Prozess gemacht. Verglichen mit Graben-Prozess, hat es ausgez | Typ | N |
EMS-Rand | Große EMI Margin | Einheitentyp | Energie-getrennte Geräte |
Hervorheben | Praktische Super Junction Fet,Super Junction Fet N-Typ,Mehrfunktions-N-Typ Fet |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
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1 | RSE60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
2 | RSE60R190S | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-263 | 800 | |
3 | RSE60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
4 | RSF60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
5 | RSF60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
6 | RS60R130F | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO-220F | 1000 | |
7 | RS60R130W | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO247-3 | 600 | |
8 | RSF60R099F | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO-220F | 1000 | |
9 | RSF60R099W | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO247-3 | 600 | |
10 | RSF60R070W | N | 45 | 600 | 61 | 70 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSF60R041W | N | 70 | 600 | 35 | 41 | TO247-3 | 600 | |
12 | RSF60R070F | N | 48 | 600 | 58 | 68 | TO-220F | 1000 | |
13 | RSF60R026W | N | 100 | 600 | 20 | 26 | TO247-3 | 600 | |
14 | RSU4N65D | N | 4 | 650 | 880 | 1000 | TO-252 | 2500 | |
15 | RSU7N65D | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-252 | 2500 | |
16 | RSU7N65F | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-220F | 1000 | |
17 | RS65R600D | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-252 | 2500 | |
18 | RS65R600F | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
19 | RSE65R550D | N | 7.6 | 650 | 480 | 550 | TO-252 | 2500 | |
20 | RSU12N65F | N | 12 | 650 | 380 | 420 | TO-220F | 1000 | |
21 | RS65R380D | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-252 | 2500 | |
22 | RS65R380F | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-220F | 1000 | |
23 | RS65R280D | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-252 | 2500 | |
24 | RS65R280F | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-220F | 1000 | |
25 | RSE65R210F | N | 16.8 | 650 | 185 | 210 | TO-220F | 1000 | |
26 | RS65R190F | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220F | 1000 | |
27 | RS65R190S | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-263 | 800 | |
28 | RS65R190T | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220 | 1000 | |
29 | RSF65R190T | N | 20 | 650 | 170 | 190 | TO-220 | 1000 | |
30 | RSE65R180F | N | 22 | 650 | 150 | 180 | TO-220F | 1000 | |
31 | RSE65R165F | N | 20.4 | 650 | 145 | 165 | TO-220F | 1000 | |
32 | RSF65R130F | N | 26 | 650 | 115 | 130 | TO-220F | 1000 | |
33 | RSE70R600F | N | 7.3 | 700 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
34 | RSE70R420F | N | 11 | 700 | 365 | 420 | TO-220F | 1000 | |
35 | RSE70R360F | N | 12 | 700 | 315 | 360 | TO-220F | 1000 | |
36 | RSE80R850D | N | 7 | 800 | 740 | 850 | TO-252 | 2500 | |
37 | RS80R500F | N | 9 | 800 | 420 | 500 | TO-220F | 1000 | |
38 | RSE80R380F | N | 13 | 800 | 330 | 380 | TO-220F | 1000 | |
39 | RSE80R250F | N | 18 | 800 | 220 | 250 | TO-220F | 1000 |
MOSFET mit Superverbindung des Typs N für UPS für kontinuierliche Stromversorgung
Beschreibung des Produkts:
Super Junction MOSFETs, auch Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (SJ MOSTETs) genannt, sind Si-Super Junction MOSFETs mit einem großen EMI-Margin,in einer extrem kleinen Verpackung erhältlichDiese leistungsunabhängigen Geräte sind so konzipiert, daß sie eine höhere Effizienz, höhere Schaltgeschwindigkeiten und verbesserte thermische Eigenschaften bieten.Super Junction MOSFETs sind ideal für Anwendungen wie StromversorgungenDiese bieten eine hervorragende Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit für eine Vielzahl von Anwendungen zur Leistungsumwandlung.
Technische Parameter:
Eigentum | Einzelheiten |
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Vorteile | Verglichen mit dem Trench-Verfahren hat es hervorragende Anti-EMI- und Anti-Surge-Fähigkeiten. |
Kapazität | Ultra-niedrige Knotenkapazität |
EWI-Marge | Große EMI-Marge |
Innerer Widerstand | Ultraschmaler innerer Widerstand |
Typ | N |
Produktbezeichnung | Überschneidung MOSFET/SJ MOSTET |
Paket | Ultra-kleines Paket |
Anwendung | LED-Treiber, PFC-Schaltkreis, Schaltversorgung, UPS des kontinuierlichen Stromversorgungssystems, neue Energieversorgungsausrüstung usw. |
Gerätetypen | Stromdiskrete Geräte |
Anwendungen:
Das Si-MOSFET mit Super-Schnittstelle von REASUNOS ist ein Halbleitertransistor mit Super-Schnittstelle aus Metalloxid, der in Guangdong, China, hergestellt wird. Der Preis hängt vom Produkt ab und ist staubdicht verpackt.WasserdichtDie Lieferzeit beträgt je nach Gesamtmenge zwischen 2-30 Tagen. Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).Die Versorgungsfähigkeit beträgt bis zu 5KK/Monat.Dieses Produkt hat eine große EMI-Marge und kann in LED-Treiber, PFC-Schaltkreis, Schaltversorgung, UPS von kontinuierlicher Stromversorgungssystem, neue Energie Energie Ausrüstung, etc. angewendet werden.Es hat ein ultra-kleines Paket und es ist ein Strom diskretes GerätDie Verbindungskapazität ist ebenfalls extrem niedrig.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Wir bieten technische Unterstützung und Service für Super Junction MOSFET Kunden.und Fehlerbehebung.
Wir bieten Online-Ressourcen an, wie technische Dokumente, Anwendungsnotizen und Fallstudien, um Kunden zu helfen, Super Junction MOSFETs besser zu verstehen und in ihren Entwürfen zu verwenden.Wir bieten auch kostenlose Webinare an, um Kunden zu helfen, mehr über unsere Produkte zu erfahren.
Für erweiterte Unterstützung kann unser Team von Ingenieuren kundenspezifische Design-Dienstleistungen anbieten, wie z.B. Schaltkreisdesign und Leiterplattenlayout.Sie können auch die Anwendungsmöglichkeiten für neue Produkte erweitern, wie zum Beispiel die Erstellung von kundenspezifischen Teilen oder die Optimierung bestehender Teile für bestimmte Anwendungen..
Für Kunden mit Fragen oder technischen Problemen steht unser Kundenservice-Team zur Verfügung, um Fragen zu beantworten oder Hilfe zu leisten.Produktschulungen und Unterstützung vor Ort.
Verpackung und Versand:
Verpackung und Versand von Super-Junction-MOSFET:
- Das Super Junction MOSFET ist in einer robusten Plastikbox verpackt, um sicherzustellen, dass es während des Versands nicht beschädigt wird.
- Die Box wird dann für zusätzlichen Schutz in eine Kartonbox gelegt.
- Anschließend wird die Schachtel mit Klebeband verschlossen und ein Etikett angebracht.
- Anschließend wird die Kiste durch einen zuverlässigen Spediteur verschifft.
Häufige Fragen:
- F: Was ist ein Super Junction MOSFET?
- A: Super Junction MOSFET ist eine Art fortgeschrittener MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistor), der von REASUNOS entwickelt wurde, mit hoher Leistung und geringeren Stromverlusten.
- F: Wo ist der Ursprungsort von Super Junction MOSFET?
- A: Super Junction MOSFET wird von REASUNOS in Guangdong, China, entwickelt.
- F: Wie hoch ist der Preis für Super Junction MOSFET?
- A: Der Preis von Super Junction MOSFET hängt vom Produkt ab, kontaktieren Sie uns bitte für weitere Details.
- F: Wie wird Super Junction MOSFET verpackt?
- A: Super Junction MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einem Karton verpackt.
- F: Wie lange dauert die Lieferzeit für Super Junction MOSFET?
- A: Die Lieferzeit für Super Junction MOSFET beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge.