Tất cả sản phẩm
SGT Công nghiệp điện áp thấp Mosfet, ổn định Mosfet Điện áp ngưỡng cửa thấp
Quá trình kết cấu: | Rãnh/SGT |
---|---|
Quá trình đào rãnh Ưu điểm: | RSP nhỏ hơn, cả cấu hình nối tiếp và song song có thể được kết hợp và sử dụng tự do. |
Sức chống cự: | Đường thấp (BẬT) |
P kênh điện áp thấp MOSFET bền cho sạc không dây thấp
Ứng dụng quá trình đào rãnh: | Sạc không dây, Sạc nhanh, Trình điều khiển động cơ, Bộ chuyển đổi DC/DC, Công tắc tần số cao, Chỉnh |
---|---|
Quy trình SGT Ứng dụng: | Trình điều khiển động cơ, Trạm gốc 5G, Bộ lưu trữ năng lượng, Công tắc tần số cao, Chỉnh lưu đồng bộ |
Tên sản phẩm: | MOSFET điện áp thấp |
Lưu trữ năng lượng MOSFET điện áp thấp Hành động kênh N Khả năng EAS cao
Khả năng EAS: | Khả năng EAS cao |
---|---|
Quá trình đào rãnh Ưu điểm: | RSP nhỏ hơn, cả cấu hình nối tiếp và song song có thể được kết hợp và sử dụng tự do. |
Quá trình kết cấu: | Rãnh/SGT |
MOSFET điện áp thấp đa chức năng hiệu suất cao cho bộ chuyển đổi
Quy trình SGT Ưu điểm: | Tối ưu hóa FOM đột phá, bao phủ nhiều ứng dụng hơn. |
---|---|
Khả năng EAS: | Khả năng EAS cao |
Quá trình đào rãnh Ưu điểm: | RSP nhỏ hơn, cả cấu hình nối tiếp và song song có thể được kết hợp và sử dụng tự do. |
Multi-scene Low Voltage MOSFET P Channel cho quá trình lưu trữ năng lượng SGT
Tên sản phẩm: | MOSFET điện áp thấp |
---|---|
hiệu quả: | Hiệu quả cao và đáng tin cậy |
Ứng dụng quá trình đào rãnh: | Sạc không dây, Sạc nhanh, Trình điều khiển động cơ, Bộ chuyển đổi DC/DC, Công tắc tần số cao, Chỉnh |
MOSFET Multiscene cực thấp ổn định cho sạc nhanh
Quy trình SGT Ưu điểm: | Tối ưu hóa FOM đột phá, bao phủ nhiều ứng dụng hơn. |
---|---|
Ứng dụng quá trình đào rãnh: | Sạc không dây, Sạc nhanh, Trình điều khiển động cơ, Bộ chuyển đổi DC/DC, Công tắc tần số cao, Chỉnh |
Sự tiêu thụ năng lượng: | Mất điện thấp |
Động cơ trình điều khiển điện áp thấp Fet ổn định cho chuyển đổi tần số cao
hiệu quả: | Hiệu quả cao và đáng tin cậy |
---|---|
Khả năng EAS: | Khả năng EAS cao |
Sức chống cự: | Đường thấp (BẬT) |
SGT Tăng suất ngưỡng cổng thấp ổn định Mosfet cho bộ chuyển đổi DC DC
Quá trình đào rãnh Ưu điểm: | RSP nhỏ hơn, cả cấu hình nối tiếp và song song có thể được kết hợp và sử dụng tự do. |
---|---|
Quy trình SGT Ứng dụng: | Trình điều khiển động cơ, Trạm gốc 5G, Bộ lưu trữ năng lượng, Công tắc tần số cao, Chỉnh lưu đồng bộ |
Quá trình kết cấu: | Rãnh/SGT |
Công nghiệp bền thấp Vgs Mosfet, nhỏ RSP điện áp thấp chuyển đổi Transistor
Quy trình SGT Ưu điểm: | Tối ưu hóa FOM đột phá, bao phủ nhiều ứng dụng hơn. |
---|---|
Sự tiêu thụ năng lượng: | Mất điện thấp |
Ứng dụng quá trình đào rãnh: | Sạc không dây, Sạc nhanh, Trình điều khiển động cơ, Bộ chuyển đổi DC/DC, Công tắc tần số cao, Chỉnh |
Multiscene 20V Mosfet điện áp thấp, 5G Base Station Low Power Transistor
Sức chống cự: | Đường thấp (BẬT) |
---|---|
Quá trình kết cấu: | Rãnh/SGT |
Tên sản phẩm: | MOSFET điện áp thấp |