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SGT Industrielle Niederspannungsleistung Mosfet, Stabiler Mosfet Niedrigspannung Torschwelle

  • SGT Industrial Low Voltage Power Mosfet , Stable Mosfet Low Gate Threshold Voltage
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Prozess strukturieren Graben/SGT Vorteile des Grabenverfahrens Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we
Widerstand Niedriges RDS (AN) Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
Anwendung im Grabenverfahren Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric Effizienz Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit
SGT-Prozessvorteile Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie
Hervorheben

SGT Niederspannungsleistung Mosfet

,

Industrielle Niederspannungsanlage Mosfet

,

Stabile Mosfet-Niedrigspannung
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Niederspannungs-MOSFET mit Trench-Prozessvorteilen für die synchrone Berichtigung in Serie und Parallelkonfiguration

Beschreibung des Produkts:

Ein Niederspannungs-MOSFET ist ein Niederspannungs-Feldwirkungstransistor, der aufgrund seiner niedrigen Schwellenspannung und seiner hohen Effizienz in vielen Anwendungen weit verbreitet ist.Es ist eine zuverlässige und kostengünstige Lösung für MotorfahrerEs wird mit dem SGT-Prozess für eine verbesserte EAS-Fähigkeit und hohe Effizienz hergestellt.Der Stromverbrauch von Niederspannungs-MOSFET ist ebenfalls sehr gering, was es zu einer idealen Wahl für verschiedene Anwendungen macht.

 

Technische Parameter:

Eigentum Grabenprozess SGT-Verfahren
Strukturprozess Graben SGT
Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET Niederspannungs-MOSFET
Vorteile Kleinere RSP, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden. Durchbruch FOM-Optimierung, mehr Anwendung abdeckt.
Anwendung Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung. Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Widerstand Niedrige Rds ((ON) Niedrige Rds ((ON)
Stromverbrauch Niedriger Stromverlust Niedriger Stromverlust
Effizienz Hochwirksam und zuverlässig Hochwirksam und zuverlässig
 

Anwendungen:

Reasunos Low Voltage MOSFET ist ein Transistor mit niedriger Schwellenspannung, der von Reasunos in Guangdong, China, hergestellt wird.Der Preis wird je nach Produkt bestätigt und die Verpackungsdetails beinhalten staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackungen, die in Karton verpackt sind.Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW)Die Versorgungsfähigkeit beträgt 5 KK/Monat. Zu den Vorteilen des Grabenprozesses gehören kleinere RSP und die freie Kombination und Nutzung von Serien- und Parallelkonfigurationen.Das Konstruktionsverfahren umfasst für hohe Effizienz und Zuverlässigkeit Graben/SGTDie Anwendung des SGT-Prozesses umfasst Motorantrieb, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Die technische Unterstützung und der Service von Niederspannungs-MOSFETs bieten Kunden Zugang zu den neuesten Produktinformationen, technischen Dokumentationen und kundenspezifischen Designwerkzeugen.

Kunden können sich an unser erfahrenes technisches Support-Team wenden, um bei der Produktauswahl, bei Designproblemen oder bei der Fehlerbehebung zu helfen.Wir bieten auch Online- und Telefon-Kundendienst und Support.

Darüber hinaus bieten wir eine Reihe von Dienstleistungen an, um Kunden dabei zu unterstützen, das Beste aus ihren Niederspannungs-MOSFETs herauszuholen.Kunden können auch auf unsere Online-Tutorials und Ressourcen zugreifen, um mehr über das Produkt zu erfahren.

Wir sind bestrebt, den bestmöglichen Kundenservice und technischen Support zu bieten. Unser Expertenteam steht Ihnen jederzeit zur Verfügung, um alle Fragen zu beantworten und Ihnen sachkundige Unterstützung zu bieten.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Niederspannungs-MOSFET:

Das Niederspannungs-MOSFET wird in eine antistatische Tüte verpackt und in eine Wellpappenbox gelegt, die mit dem Produktnamen und dem Firmenlogo versehen ist.Es wird über einen geeigneten Kurierdienst mit Nachverfolgung und Versicherung versandt..

 

Häufige Fragen:

Niederspannungs-MOSFET-Fragen und Antworten
F1: Was ist die Marke von Niederspannungs-MOSFET?
A1: Das Niederspannungs-MOSFET wird von REASUNOS hergestellt.
F2: Woher stammt das Niederspannungs-MOSFET?
A2: Das Niederspannungs-MOSFET stammt aus Guangdong, China.
F3: Wie hoch ist der Preis für Niederspannungs-MOSFET?
A3: Der Preis für Niederspannungs-MOSFET hängt vom Produkt ab. Bitte kontaktieren Sie uns für die Details.
F4: Wie ist die Verpackung von Niederspannungs-MOSFET?
A4: Das Niederspannungs-MOSFET ist mit staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einem Karton verpackt.
F5: Wie sind die Lieferzeiten und Zahlungsbedingungen von Niederspannungs-MOSFET?
A5: Die Lieferzeit von Niederspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge. Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus ((EXW). Wir haben eine Lieferfähigkeit von 5KK/Monat.
Umbauten:

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle

Stabil Low Power P-Kanal Mosfet

Basisstation Niederspannungs-MOSFET