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SGT Potência industrial de baixa tensão Mosfet, Mosfet estável Tensão de limiar de porta baixa

  • SGT Industrial Low Voltage Power Mosfet , Stable Mosfet Low Gate Threshold Voltage
Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
Preço Confirm price based on product
Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
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Detalhes do produto
processo de estrutura Trincheira/SGT Vantagens do processo de vala RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas.
Resistência Baixo RDS (SOBRE) Nome do produto MOSFET de baixa tensão
Aplicação de processo de vala Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre eficiência Alta eficiência e confiável
Vantagens do processo de SGT Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação. Consumo de energia Perda de baixa potência
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SGT Mosfet de potência de baixa tensão

,

Mosfet de baixa tensão industrial

,

Voltagem de limiar de porta baixa de Mosfet estável
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

MOSFET de baixa tensão com vantagens do processo de trincheira para retificação síncrona em configuração em série e paralela

Descrição do produto:

O MOSFET de baixa tensão é um transistor de efeito de campo de baixa tensão que é amplamente usado em muitas aplicações devido à sua baixa tensão de limiar e alta eficiência.Trata-se de uma solução fiável e rentável para o motoristaÉ fabricado usando o processo SGT para melhorar a capacidade EAS e alta eficiência.O consumo de energia do MOSFET de baixa tensão também é muito baixo, o que o torna uma escolha ideal para várias aplicações.

 

Parâmetros técnicos:

Imóveis Processo de trincheira Processo SGT
Processo de estrutura Trilha SGT
Nome do produto MOSFET de baixa tensão MOSFET de baixa tensão
Vantagens RSPs menores, com configurações em série e paralelas, podem ser combinadas e utilizadas livremente. Otimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações.
Aplicação Carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona. Motorista, Estação Base 5G, Armazenamento de Energia, Comutador de Alta Frequência, Rectificação Sincrónica.
Capacidade do EAS Alta capacidade de EAS Alta capacidade de EAS
Resistência Baixa Rds ((ON) Baixa Rds ((ON)
Consumo de energia Baixa perda de potência Baixa perda de potência
Eficiência Alta eficiência e fiabilidade Alta eficiência e fiabilidade
 

Aplicações:

O Reasunos Low Voltage MOSFET é um transistor de baixa tensão de limiar que é fabricado pela Reasunos em Guangdong, China.O preço é confirmado com base no produto e os detalhes da embalagem incluem resistente ao póEmbalagens tubulares, impermeáveis e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em caixas de papelão.Os termos de pagamento são 100% T/T adiantado (EXW)A capacidade de abastecimento é de 5KK/mês. As vantagens do processo de trincheira incluem RSP menor, e ambas as configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas.O processo de estrutura inclui trincheira/SGT para alta eficiência e fiabilidadeA aplicação do processo SGT inclui motor driver, estação base 5G, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, retificação síncrona.

 

Apoio e Serviços:

O suporte técnico e o serviço dos MOSFET de baixa tensão oferecem aos clientes acesso às informações mais recentes sobre o produto, documentação técnica e ferramentas de design personalizadas.

Os clientes podem entrar em contato com a nossa equipa de apoio técnico experiente para obter assistência na selecção de produtos, problemas de design ou resolução de problemas.Também fornecemos atendimento e suporte ao cliente online e por telefone.

Também oferecemos uma série de serviços para ajudar os clientes a obter o máximo de seus MOSFETs de baixa tensão.Os clientes também podem aceder aos nossos tutoriais e recursos online para aprender mais sobre o produto.

Nos esforçamos para fornecer o melhor serviço ao cliente e suporte técnico possível. Nossa equipe de especialistas está sempre disponível para responder a qualquer pergunta e fornecer suporte experiente.

 

Embalagem e transporte:

Embalagem e transporte de MOSFET de baixa tensão:

O MOSFET de baixa tensão será embalado num saco antiestático e colocado numa caixa de cartão ondulado.Será enviado através de um serviço de correio adequado com rastreamento e seguro..

 

Perguntas frequentes:

MOSFET de baixa tensão
P1: Qual é a marca do MOSFET de baixa tensão?
A1: O MOSFET de baixa tensão é produzido pela REASUNOS.
P2: De onde vem o MOSFET de baixa tensão?
A2: O MOSFET de Baixa Tensão é de Guangdong, China.
Q3: Qual é o preço do MOSFET de baixa tensão?
A3: O preço do MOSFET de baixa tensão depende do produto.
Q4: Qual é a embalagem do MOSFET de baixa tensão?
A4: O MOSFET de baixa tensão é embalado com embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antiestáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.
Q5: Qual é o prazo de entrega e os termos de pagamento do MOSFET de baixa tensão?
A5: O tempo de entrega do MOSFET de baixa tensão é de 2-30 dias, dependendo da quantidade total. Os termos de pagamento são 100% T / T antecipadamente ((EXW). Temos uma capacidade de fornecimento de 5KK / mês.
Etiquetas:

N Canal Mosfet Baixa Tensão de limiar

Mosfet de canal P estável de baixa potência

MOSFET de baixa tensão da estação base