SGT Potenza a bassa tensione industriale Mosfet, Mosfet stabile

Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
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Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
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Dettagli
Processo di struttura Trincea/SGT Vantaggi del processo di trincea RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili
Resistenza RDS basso (SOPRA) Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz efficienza Alta efficienza e affidabilità
Vantaggi trattati di SGT Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione. Consumo di energia Perdita di potere basso
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SGT Potenza a bassa tensione Mosfet

,

Mosfet industriale a bassa tensione

,

Tensione di soglia di porta bassa stabile Mosfet

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

MOSFET a bassa tensione con vantaggi di processo di trincea per rettifica sincrona sia in serie che in configurazione parallela

Descrizione del prodotto:

Il MOSFET a bassa tensione è un transistor a effetto campo a bassa tensione ampiamente utilizzato in molte applicazioni a causa della sua bassa tensione di soglia e dell'elevata efficienza.Si tratta di una soluzione affidabile ed economica per i conducenti a motore, 5G Base Station, Energy Storage, High-Frequency Switch and Synchronous Rectification.Il consumo di energia del MOSFET a bassa tensione è anche molto basso, il che lo rende una scelta ideale per varie applicazioni.

 

Parametri tecnici:

Immobili Processo di trincea Processo SGT
Processo di struttura Trincea SGT
Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione MOSFET a bassa tensione
Vantaggi RSP più piccole, sia le configurazioni in serie che parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate. Ottimizzazione FOM rivoluzionaria, che copre più applicazioni.
Applicazione Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona. Motor Driver, Stazione base 5G, Immagazzinamento di energia, Interruttore ad alta frequenza, Rettifica sincrona.
Capacità EAS Capacità elevata di EAS Capacità elevata di EAS
Resistenza Basso Rds ((ON) Basso Rds ((ON)
Consumo di energia Basse perdite di potenza Basse perdite di potenza
Efficienza Alta efficienza e affidabilità Alta efficienza e affidabilità
 

Applicazioni:

Il Reasunos Low Voltage MOSFET è un transistor a bassa soglia di tensione che è prodotto da Reasunos nel Guangdong, in Cina.Il prezzo è confermato in base al prodotto e i dettagli dell'imballaggio includono antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati in una scatola di cartone in cartone, il tempo di consegna varia da 2 a 30 giorni, a seconda della quantità totale.Le condizioni di pagamento sono il 100% T/T in anticipo (EXW)La capacità di approvvigionamento è di 5KK/mese. I vantaggi del processo di trincea includono RSP più piccoli, e sia le configurazioni in serie che quelle parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate.Il processo di costruzione comprende trincea/SGT per elevata efficienza e affidabilitàL'applicazione del processo SGT comprende driver motore, stazione base 5G, stoccaggio di energia, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona.

 

Supporto e servizi:

Il supporto tecnico e il servizio dei MOSFET a bassa tensione offrono ai clienti l'accesso alle ultime informazioni sul prodotto, alla documentazione tecnica e agli strumenti di progettazione personalizzati.

I clienti possono contattare il nostro esperto team di supporto tecnico per assistenza nella selezione del prodotto, problemi di progettazione o risoluzione dei problemi.Offriamo anche assistenza e supporto online e telefonico.

Offriamo anche una serie di servizi per aiutare i clienti a ottenere il massimo dai loro MOSFET a bassa tensione. Questi servizi includono la personalizzazione del prodotto, la formazione tecnica e l'assistenza alla progettazione.I clienti possono anche accedere ai nostri tutorial e risorse online per saperne di più sul prodotto.

Ci impegniamo a fornire il miglior servizio al cliente e il miglior supporto tecnico possibile.

 

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio e spedizione del MOSFET a bassa tensione:

Il MOSFET a bassa tensione sarà confezionato in una borsa antistatica e collocato in una scatola di cartone ondulato.Verrà spedito tramite un corriere adatto con tracciamento e assicurazione.

 

FAQ:

MOSFET a bassa tensione
Q1: Qual è la marca del MOSFET a bassa tensione?
R1: Il MOSFET a bassa tensione è prodotto da REASUNOS.
D2: Da dove proviene il MOSFET a bassa tensione?
R2: Il MOSFET a bassa tensione proviene dal Guangdong, in Cina.
Q3: Qual è il prezzo del MOSFET a bassa tensione?
R3: Il prezzo del MOSFET a bassa tensione dipende dal prodotto.
Q4: Qual è la confezione del MOSFET a bassa tensione?
A4: Il MOSFET a bassa tensione è confezionato in un imballaggio tubulare antistatico, impermeabile e antispina, collocato in una scatola di cartone in cartone.
Q5: Qual è il tempo di consegna e i termini di pagamento del MOSFET a bassa tensione?
A5: Il tempo di consegna del MOSFET a bassa tensione è di 2-30 giorni, a seconda della quantità totale. I termini di pagamento sono 100% T / T in anticipo ((EXW). Abbiamo una capacità di fornitura di 5KK / mese.