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SGT Potencia de baja tensión industrial Mosfet, Mosfet estable Voltado de umbral de puerta baja

  • SGT Industrial Low Voltage Power Mosfet , Stable Mosfet Low Gate Threshold Voltage
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Proceso de estructura Trinchera/SGT Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente.
Resistencia RDS bajo (ENCENDIDO) Nombre del producto MOSFET de bajo voltaje
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue eficiencia Alta eficiencia y confiable
Ventajas de proceso de SGT Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. Consumo de energía Pérdida de la energía baja
Resaltar

SGT Potencia de baja tensión Mosfet

,

Mosfet de baja tensión industrial

,

Voltado de umbral de puerta baja estable de Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

MOSFET de bajo voltaje con ventajas del proceso de zanja para rectificación síncrona tanto en serie como en configuración paralela

Descripción del producto:

El MOSFET de bajo voltaje es un transistor de efecto de campo de bajo voltaje que se utiliza ampliamente en muchas aplicaciones debido a su bajo voltaje umbral y alta eficiencia.Es una solución confiable y rentable para el conductor de motorSe fabrica utilizando el proceso SGT para mejorar la capacidad de EAS y la alta eficiencia.El consumo de energía del MOSFET de bajo voltaje también es muy bajo, lo que lo convierte en una opción ideal para diversas aplicaciones.

 

Parámetros técnicos:

Propiedad Proceso de las zanjas Proceso de SGT
Proceso de estructura En la zanja SGT
Nombre del producto MOSFET de baja tensión MOSFET de baja tensión
Ventajas RSP más pequeño, tanto en serie y configuraciones paralelas se pueden combinar y utilizar libremente. La optimización de FOM, que cubre más aplicaciones.
Aplicación Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/CC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona. El conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona.
Capacidad de EAS Capacidad EAS elevada Capacidad EAS elevada
Resistencia Bajo Rds ((ON) Bajo Rds ((ON)
Consumo de energía Baja pérdida de energía Baja pérdida de energía
Eficiencia Alta eficiencia y fiabilidad Alta eficiencia y fiabilidad
 

Aplicaciones:

El MOSFET de bajo voltaje de Reasunos es un transistor de bajo voltaje de umbral que es fabricado por Reasunos en Guangdong, China.El precio se confirma en función del producto y los detalles del embalaje incluyen a prueba de polvoEl tiempo de entrega es de entre 2 y 30 días, dependiendo de la cantidad total.Las condiciones de pago son 100% T/T por adelantado (EXW)La capacidad de suministro es de 5KK/mes. Las ventajas del proceso de zanja incluyen RSP más pequeño, y tanto las configuraciones en serie como las paralelas pueden combinarse y utilizarse libremente.El proceso de estructura incluye trinchera/SGT para una alta eficiencia y fiabilidadLa aplicación del proceso SGT incluye el conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona.

 

Apoyo y servicios:

El soporte técnico y el servicio de los MOSFET de bajo voltaje ofrecen a los clientes acceso a la información más reciente del producto, documentación técnica y herramientas de diseño personalizadas.

Los clientes pueden ponerse en contacto con nuestro experto equipo de soporte técnico para obtener ayuda con la selección de productos, problemas de diseño o resolución de problemas.También ofrecemos servicio al cliente en línea y telefónico y apoyo.

También ofrecemos una gama de servicios para ayudar a los clientes a sacar el máximo provecho de sus MOSFET de bajo voltaje. Estos servicios incluyen personalización de productos, capacitación técnica y asistencia de diseño.Los clientes también pueden acceder a nuestros tutoriales y recursos en línea para aprender más sobre el producto.

Nuestro equipo de expertos está siempre disponible para responder a cualquier pregunta y brindar soporte con conocimiento.

 

Embalaje y envío:

Embalaje y envío del MOSFET de bajo voltaje:

El MOSFET de bajo voltaje se empacará en una bolsa antistatica y se colocará en una caja de cartón corrugado.Se enviará a través de un servicio de mensajería adecuado con seguimiento y seguro..

 

Preguntas frecuentes:

MOSFET de baja tensión Pregunta y respuesta
P1: ¿Cuál es la marca del MOSFET de bajo voltaje?
R1: El MOSFET de bajo voltaje es producido por REASUNOS.
P2: ¿De dónde viene el MOSFET de bajo voltaje?
R2: El MOSFET de bajo voltaje es de Guangdong, China.
P3: ¿Cuál es el precio del MOSFET de bajo voltaje?
A3: El precio del MOSFET de bajo voltaje depende del producto.
P4: ¿Cuál es el embalaje del MOSFET de bajo voltaje?
A4: El MOSFET de bajo voltaje está embalado con un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antistatico, colocado dentro de una caja de cartón en cajas de cartón.
P5: ¿Cuál es el tiempo de entrega y los términos de pago del MOSFET de bajo voltaje?
R5: El tiempo de entrega de MOSFET de bajo voltaje es de 2-30 días, dependiendo de la cantidad total. Los términos de pago son 100% T / T por adelantado ((EXW). Tenemos una capacidad de suministro de 5KK / mes.
Etiquetas:

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

Mosfet de canal P de baja potencia estable

MOSFET de baja tensión de la estación base