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एसजीटी औद्योगिक कम वोल्टेज पावर मोस्फेट, स्थिर मोस्फेट कम गेट सीमा वोल्टेज

  • SGT Industrial Low Voltage Power Mosfet , Stable Mosfet Low Gate Threshold Voltage
उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
संरचना प्रक्रिया ट्रेंच/एसजीटी ट्रेंच प्रक्रिया के लाभ छोटे आरएसपी, श्रृंखला और समानांतर दोनों विन्यासों को स्वतंत्र रूप से संयोजित और उपयोग किया जा सकता ह
प्रतिरोध कम आरडीएस(चालू) उत्पाद का नाम कम वोल्टेज MOSFET
ट्रेंच प्रक्रिया आवेदन वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ़्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस दक्षता उच्च दक्षता और विश्वसनीय
एसजीटी प्रक्रिया के लाभ निर्णायक एफओएम अनुकूलन, अधिक एप्लिकेशन को कवर करता है। बिजली की खपत कम बिजली हानि
प्रमुखता देना

एसजीटी कम वोल्टेज पावर मोस्फेट

,

औद्योगिक निम्न वोल्टेज पावर मोस्फेट

,

स्थिर मोस्फेट कम गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज
आप अपनी ज़रूरत के उत्पादों को टिक कर सकते हैं और हमारे साथ संदेश बोर्ड में संचार कर सकते हैं।
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
उत्पाद विवरण

सीरीज और समानांतर कॉन्फ़िगरेशन दोनों में सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन के लिए ट्रेंच प्रक्रिया लाभ के साथ कम वोल्टेज एमओएसएफईटी

उत्पाद का वर्णन:

कम वोल्टेज मोस्फेट एक कम वोल्टेज फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर है जिसका उपयोग कई अनुप्रयोगों में अपने कम सीमा वोल्टेज और उच्च दक्षता के कारण व्यापक रूप से किया जाता है।यह मोटर चालक के लिए एक विश्वसनीय और लागत प्रभावी समाधान है5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन। यह बेहतर ईएएस क्षमता और उच्च दक्षता के लिए एसजीटी प्रक्रिया का उपयोग करके निर्मित किया जाता है।निम्न वोल्टेज मोस्फेट की बिजली की खपत भी बहुत कम है, जो इसे विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए एक आदर्श विकल्प बनाता है।

 

तकनीकी मापदंडः

संपत्ति खाई की प्रक्रिया एसजीटी प्रक्रिया
संरचना प्रक्रिया खाई एसजीटी
उत्पाद का नाम कम वोल्टेज MOSFET कम वोल्टेज MOSFET
लाभ छोटे आरएसपी, दोनों श्रृंखला और समानांतर विन्यास को स्वतंत्र रूप से जोड़ा और उपयोग किया जा सकता है। अधिक अनुप्रयोगों को कवर करने के लिए सफलतापूर्वक FOM अनुकूलन।
आवेदन वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस सुधार।
ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता
प्रतिरोध कम आरडीएस (ऑन) कम आरडीएस (ऑन)
बिजली की खपत कम शक्ति हानि कम शक्ति हानि
दक्षता उच्च दक्षता और विश्वसनीयता उच्च दक्षता और विश्वसनीयता
 

अनुप्रयोग:

रेसिनोस लो वोल्टेज एमओएसएफईटी एक कम थ्रेशोल्ड वोल्टेज ट्रांजिस्टर है जो गुआंग्डोंग, चीन में रेसिनोस द्वारा निर्मित है।कीमत उत्पाद के आधार पर पुष्टि की जाती है और पैकेजिंग विवरण में धूलरोधी शामिल है, जलरोधक और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखा गया है। कुल मात्रा के आधार पर डिलीवरी का समय 2-30 दिनों के बीच है।भुगतान की शर्तें 100% टी/टी अग्रिम (एक्सडब्ल्यू) हैं।. आपूर्ति क्षमता 5KK/माह है। खाई प्रक्रिया के फायदे में छोटे आरएसपी शामिल हैं, और दोनों श्रृंखला और समानांतर विन्यास को स्वतंत्र रूप से जोड़ा और उपयोग किया जा सकता है।संरचना प्रक्रिया में उच्च दक्षता और विश्वसनीयता के लिए खाई/एसजीटी शामिल हैएसजीटी प्रक्रिया के अनुप्रयोग में मोटर ड्राइवर, 5 जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन शामिल हैं।

 

सहायता एवं सेवाएं:

कम वोल्टेज MOSFET की तकनीकी सहायता और सेवा ग्राहकों को नवीनतम उत्पाद जानकारी, तकनीकी प्रलेखन और कस्टम डिजाइन टूल तक पहुंच प्रदान करती है।

ग्राहक उत्पाद चयन, डिजाइन मुद्दों या समस्या निवारण के लिए सहायता के लिए हमारी जानकार तकनीकी सहायता टीम से संपर्क कर सकते हैं।हम ऑनलाइन और टेलीफोन ग्राहक सेवा और समर्थन भी प्रदान करते हैं.

हम ग्राहकों को अपने कम वोल्टेज MOSFETs का अधिकतम लाभ उठाने में मदद करने के लिए कई सेवाएं भी प्रदान करते हैं। इन सेवाओं में उत्पाद अनुकूलन, तकनीकी प्रशिक्षण और डिजाइन सहायता शामिल हैं।ग्राहक उत्पाद के बारे में अधिक जानने के लिए हमारे ऑनलाइन ट्यूटोरियल और संसाधनों तक भी पहुंच सकते हैं.

हम सर्वोत्तम ग्राहक सेवा और तकनीकी सहायता प्रदान करने का प्रयास करते हैं। हमारे विशेषज्ञों की टीम हमेशा किसी भी प्रश्न का उत्तर देने और जानकार सहायता प्रदान करने के लिए उपलब्ध है।

 

पैकिंग और शिपिंगः

कम वोल्टेज MOSFET के लिए पैकेजिंग और शिपिंगः

निम्न वोल्टेज MOSFET को एक एंटी-स्टैटिक बैग में पैक किया जाएगा और एक तरंगदार कार्डबोर्ड बॉक्स में रखा जाएगा। बॉक्स पर उत्पाद का नाम और कंपनी का लोगो होगा।यह एक उपयुक्त कूरियर सेवा के माध्यम से शिप किया जाएगा ट्रैकिंग और बीमा के साथ.

 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

निम्न वोल्टेज MOSFET प्रश्न और उत्तर
Q1: निम्न वोल्टेज MOSFET का ब्रांड क्या है?
A1: निम्न वोल्टेज MOSFET का उत्पादन REASUNOS द्वारा किया जाता है।
Q2: निम्न वोल्टेज MOSFET कहाँ से आता है?
A2: कम वोल्टेज MOSFET गुआंग्डोंग, चीन से है।
Q3: निम्न वोल्टेज MOSFET की कीमत क्या है?
A3: कम वोल्टेज MOSFET की कीमत उत्पाद पर निर्भर करती है। विवरण के लिए कृपया हमसे संपर्क करें।
Q4: निम्न वोल्टेज MOSFET की पैकेजिंग क्या है?
A4: निम्न वोल्टेज MOSFET को धूल, पानी और एंटी-स्टेटिक ट्यूबलर पैकेजिंग के साथ पैक किया जाता है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखा जाता है।
Q5: निम्न वोल्टेज MOSFET के वितरण समय और भुगतान की शर्तें क्या हैं?
A5: कम वोल्टेज MOSFET की डिलीवरी का समय कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिन है। भुगतान की शर्तें अग्रिम में 100% T/T हैं। हमारे पास 5KK/महीने की आपूर्ति क्षमता है।
टैग:

एन चैनल मोस्फेट निम्न सीमा वोल्टेज

स्थिर निम्न शक्ति पी चैनल मोस्फेट

बेस स्टेशन कम वोल्टेज MOSFET

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