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SGT Puissance à basse tension industrielle Mosfet, Mosfet stable Voltage de seuil de basse porte

  • SGT Industrial Low Voltage Power Mosfet , Stable Mosfet Low Gate Threshold Voltage
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Processus de structuration Tranchée/SGT Avantages du procédé de tranchée Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé
Résistance Le bas RDS (DESSUS) Nom du produit MOSFET basse tension
Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen l'efficacité Haute efficacité et fiabilité
Avantages de processus de SGT Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. Consommation d'électricité Perte de puissance faible
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SGT Puissance à basse tension Mosfet

,

Mosfet de puissance à basse tension industrielle

,

Voltage de seuil de sortie bas de Mosfet stable
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

MOSFET basse tension avec avantages du processus de tranchée pour la rectification synchrone en série et en configuration parallèle

Description du produit:

Le MOSFET basse tension est un transistor à effet de champ basse tension largement utilisé dans de nombreuses applications en raison de sa faible tension seuil et de son efficacité élevée.Il s'agit d'une solution fiable et rentable pour les conducteurs automobilesIl est fabriqué en utilisant le processus SGT pour une meilleure capacité EAS et une efficacité élevée.La consommation d'énergie du MOSFET basse tension est également très faible, ce qui en fait un choix idéal pour diverses applications.

 

Paramètres techniques:

Les biens immobiliers Le processus de la tranchée Procédure SGT
Processus de la structure Une tranchée GTS
Nom du produit MOSFET à basse tension MOSFET à basse tension
Les avantages Les RSP plus petits, à la fois en série et en parallèle, peuvent être librement combinés et utilisés. Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'application.
Application du projet Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone. Conducteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Capacité du SEA Capacité EAS élevée Capacité EAS élevée
Résistance Rds bas ((ON) Rds bas ((ON)
Consommation d'électricité Faible perte de puissance Faible perte de puissance
Efficacité Très efficace et fiable Très efficace et fiable
 

Applications:

Le MOSFET basse tension Reasunos est un transistor basse tension de seuil qui est fabriqué par Reasunos à Guangdong, en Chine.Le prix est confirmé en fonction du produit et les détails de l'emballage incluent la protection contre la poussière, étanches et antistatiques, placées dans une boîte en carton dans des cartons.Les conditions de paiement sont 100% T/T à l'avance (EXW)La capacité d'approvisionnement est de 5KK/mois. Les avantages du procédé de tranchée comprennent un RSP plus petit, et les configurations en série et en parallèle peuvent être librement combinées et utilisées.Le processus de construction comprend la tranchée/SGT pour une efficacité et une fiabilité élevéesL'application du procédé SGT comprend le pilote moteur, la station de base 5G, le stockage d'énergie, l'interrupteur haute fréquence, la rectification synchrone.

 

Assistance et services:

Le support technique et le service des MOSFET basse tension offrent aux clients un accès aux dernières informations sur les produits, à la documentation technique et aux outils de conception personnalisés.

Les clients peuvent contacter notre équipe de support technique compétente pour obtenir de l'aide pour la sélection des produits, les problèmes de conception ou le dépannage.Nous fournissons également un service client en ligne et par téléphone.

Nous offrons également une gamme de services pour aider les clients à tirer le meilleur parti de leurs MOSFET basse tension.Les clients peuvent également accéder à nos tutoriels et ressources en ligne pour en savoir plus sur le produit.

Nous nous efforçons de fournir le meilleur service à la clientèle et le meilleur support technique possible. Notre équipe d'experts est toujours disponible pour répondre à toutes les questions et fournir un soutien compétent.

 

Emballage et expédition

Emballage et expédition du MOSFET basse tension:

Le MOSFET à basse tension sera emballé dans un sac antistatique et placé dans une boîte en carton ondulé.Il sera expédié par un service de messagerie approprié avec suivi et assurance.

 

FAQ:

Questions et réponses sur le MOSFET basse tension
Q1: Quelle est la marque du MOSFET basse tension?
R1: Le MOSFET basse tension est produit par REASUNOS.
Q2: D'où provient le MOSFET basse tension?
R2: Le MOSFET basse tension est du Guangdong, en Chine.
Q3: Quel est le prix du MOSFET basse tension?
R3: Le prix du MOSFET basse tension dépend du produit. Veuillez nous contacter pour plus de détails.
Q4: Quel est l'emballage du MOSFET basse tension?
A4: Le MOSFET basse tension est emballé dans un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.
Q5: Quel est le délai de livraison et les conditions de paiement du MOSFET basse tension?
R5: Le délai de livraison du MOSFET basse tension est de 2 à 30 jours, selon la quantité totale. Les conditions de paiement sont 100% T/T à l'avance ((EXW). Nous avons une capacité d'approvisionnement de 5KK / mois.
Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base