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Energiespeicherung Niederspannungs-MOSFET praktische N-Kanal-Hoch-EAS-Fähigkeit

  • Energy Storage Low Voltage MOSFET Practical N Channel High EAS Capability
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit Vorteile des Grabenverfahrens Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we
Prozess strukturieren Graben/SGT SGT-Prozessanwendung Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur.
Effizienz Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit Anwendung im Grabenverfahren Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric
Widerstand Niedriges RDS (AN) Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie
Hervorheben

Energiespeicher Niederspannungs-MOSFET

,

Niederspannungs-MOSFET praktisch

,

Niedrigspannung N-Kanal Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Low Rds ((ON) Trench Process MOSFET für DC/DC-Wandler mit Durchbruch FOM-Optimierung

Beschreibung des Produkts:

Ein Niederspannungs-MOSFET ist eine Art Transistor, der speziell für die Bedürfnisse moderner Niederspannungs-elektronischer Anwendungen entwickelt wurde.Niederspannungs-MOSFET verfügt über eine niedrige Torspannung und eine niedrige SchwellenspannungDieser Niederspannungstransistor verfügt über eine extrem hohe EAS-Fähigkeit, einen niedrigen Rds ((ON) und einen geringen Stromverlust.mit einem Gehalt an Kohlenwasserstoffen von mehr als 0,5%. Niedrigspannungs-MOSFET kann für Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung, drahtloses Aufladen, schnelles Aufladen und DC/DC-Konverter verwendet werden.Dank der niedrigen Spannungs- und Leistungsverlustcharakteristiken, Niederspannungs-MOSFET ist eine ausgezeichnete Wahl für moderne Niederspannungs-elektronische Anwendungen.

 

Technische Parameter:

Eigenschaften Beschreibung
Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Strukturprozess Graben/SGT
Anwendung des Gräbenprozesses Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
Anwendung des SGT-Verfahrens Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
Vorteile des Schützengrabenprozesses Kleinere RSP, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden.
Vorteile des SGT-Verfahrens Durchbruch FOM-Optimierung, mehr Anwendung abdeckt.
Widerstand Niedrige Rds ((ON)
Effizienz Hochwirksam und zuverlässig
Stromverbrauch Niedriger Stromverlust
 

Anwendungen:

REASUNOS Niederspannungs-MOSFET ist ein hocheffizientes und zuverlässiges Produkt mit bahnbrechender FOM-Optimierung und umfasst mehr Anwendungen.mit einer Breite von mehr als 20 mm,Mit seiner geringen Torspannung und seinem geringen VGS ist er für eine Vielzahl von Anwendungen in der Automobil-, Industrie- und Unterhaltungselektronik geeignet.und antistatische Rohrverpackungen, in einem Karton verpackt, sorgt für eine sichere Lieferung. Es ist in verschiedenen Mengen erhältlich und der Preis kann je nach Produkt bestätigt werden.je nach GesamtmengeDie Produktionskapazität dieses Produkts beträgt 5KK/Monat.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Wartung von Niederspannungs-MOSFET

Wir bieten technische Unterstützung und Service für Niederspannungs-MOSFET-Produkte. Unser technisches Support-Team kann Ihnen bei der Installation, Wartung und Diagnose helfen.Wir bieten auch Fehlerbehebung und Reparaturdienste für alle Probleme, die Sie mit Ihren Niederspannungs-MOSFET-Produkten haben können.

Unser technisches Team steht Ihnen zur Verfügung, um alle Fragen zu beantworten, die Sie bezüglich der Verwendung und Wartung Ihrer Niederspannungs-MOSFET-Produkte haben könnten.Wir können Ihnen auch Tipps und Ratschläge geben, wie Sie Ihre Niederspannungs-MOSFET-Produkte so effizient wie möglich machen können.

Wir bieten Ihnen eine Reihe von Dienstleistungen an, um Ihnen zu helfen, das Beste aus Ihren Niederspannungs-MOSFET-Produkten herauszuholen.und technische Beratung und Unterstützung bieten.

Unser Team von erfahrenen Technikern ist hier, um Ihnen zu helfen, das Beste aus Ihren Niederspannungs-MOSFET-Produkten herauszuholen.

 

Verpackung und Versand:

Niederspannungs-MOSFETs werden verpackt und in einem sicheren und langlebigen Karton verfrachtet.Die MOSFETs sind in antistatischer Schaum- und Blasenfolie umhüllt, um sie vor möglichen Schäden während des Transports zu schützen.Die Box wird dann mit schwerem Klebeband versiegelt, um sicherzustellen, dass sie während des Versands sicher bleibt.

 

Häufige Fragen:

F1: Wie heißt der Markenname von Niederspannungs-MOSFET?

A1: Der Markenname von Niederspannungs-MOSFET ist REASUNOS.

F2: Wo ist der Ursprungsort von Niederspannungs-MOSFET?

A2: Der Ursprungsort von Niederspannungs-MOSFET ist Guangdong, CN.

F3: Wie hoch ist der Preis für Niederspannungs-MOSFET?

A3: Der Preis für Niederspannungs-MOSFET ist Preis, der auf dem Produkt basiert.

F4: Wie wird ein Niederspannungs-MOSFET verpackt?

A4: Das Niederspannungs-MOSFET wird in staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt.

F5: Wie ist die Lieferzeit von Niederspannungs-MOSFET?

A5: Die Lieferzeit von Niederspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge).

Umbauten:

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle

Stabil Low Power P-Kanal Mosfet

Basisstation Niederspannungs-MOSFET