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Stockage de l'énergie MOSFET basse tension pratique N-canal Haute capacité EAS

  • Energy Storage Low Voltage MOSFET Practical N Channel High EAS Capability
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Capacité EAS Capacité EAS élevée Avantages du procédé de tranchée Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé
Processus de structuration Tranchée/SGT Application de processus de SGT Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r
l'efficacité Haute efficacité et fiabilité Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen
Résistance Le bas RDS (DESSUS) Consommation d'électricité Perte de puissance faible
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MOSFET de stockage d'énergie à basse tension

,

MOSFET à basse tension pratique

,

Voltage de sortie bas N Mosfet du canal
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

Low Rds ((ON) MOSFET de processus de tranchée pour le convertisseur CC/DC avec optimisation FOM révolutionnaire

Description du produit:

Le MOSFET basse tension est un type de transistor spécialement conçu pour répondre aux besoins des applications électroniques modernes basse tension.Le MOSFET basse tension présente une basse tension de sortie et une basse tension de seuil, ce qui le rend idéal pour une utilisation dans des applications nécessitant un fonctionnement à basse tension.le rendant adapté à un large éventail d'applicationsLe MOSFET à basse tension peut être utilisé pour le pilote de moteur, la station de base 5G, le stockage d'énergie, le commutateur haute fréquence, la rectification synchrone, le chargement sans fil, le chargement rapide et le convertisseur CC/CC.Grâce aux caractéristiques de faible tension et de faible perte de puissanceLe MOSFET basse tension est un excellent choix pour les applications électroniques modernes basse tension.

 

Paramètres techniques:

Attributs Définition
Nom du produit MOSFET à basse tension
Capacité du SEA Capacité EAS élevée
Processus de la structure Traînée/SGT
Application du procédé des tranchées Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Application du procédé SGT Conducteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Les avantages du procédé de tranchée Les RSP plus petits, à la fois en série et en parallèle, peuvent être librement combinés et utilisés.
Avantages du procédé SGT Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'application.
Résistance Rds bas ((ON)
Efficacité Très efficace et fiable
Consommation d'électricité Faible perte de puissance
 

Applications:

REASUNOS Low Voltage MOSFET est un produit très efficace et fiable avec une optimisation FOM révolutionnaire et couvrant plus d'applications.permettant de combiner et d'utiliser librement les configurations en série et en parallèleAvec sa faible tension de sortie et son faible VGS, il est bien adapté à une variété d'applications dans l'automobile, l'industrie et l'électronique grand public.et emballage tubulaire antistatique, placée dans une boîte en carton dans des cartons, assure une livraison sûre. Elle est disponible en quantités différentes et le prix peut être confirmé en fonction du produit.selon la quantité totaleLa capacité de fabrication de ce produit est de 5KK/mois.

 

Assistance et services:

Assistance technique et service des MOSFET basse tension

Notre équipe de support technique peut vous aider avec l'installation, la maintenance et le diagnostic.Nous offrons également des services de dépannage et de réparation pour tout problème que vous pourriez avoir avec vos produits MOSFET basse tension.

Notre équipe technique est disponible pour répondre à toutes vos questions sur l'utilisation et la maintenance de vos produits MOSFET basse tension.Nous pouvons également fournir des conseils et des conseils pour rendre vos produits MOSFET basse tension aussi efficaces que possible.

Nous offrons une gamme de services pour vous aider à tirer le meilleur parti de vos produits MOSFET basse tension.et fournir des conseils et un soutien techniques.

Notre équipe de techniciens expérimentés est là pour vous aider à tirer le meilleur parti de vos produits MOSFET basse tension.

 

Emballage et expédition

Les MOSFET basse tension sont emballés et expédiés dans une boîte de carton sûre et durable.les MOSFET sont recouverts d'une mousse antistatique et d'un revêtement à bulles pour les protéger de tout dommage potentiel pendant le transportLa boîte est ensuite scellée avec du ruban adhésif pour assurer sa sécurité pendant le transport.

 

FAQ:

Q1: Quel est le nom de marque du MOSFET basse tension?

R1: Le nom de marque du MOSFET basse tension est REASUNOS.

Q2: Quel est le lieu d'origine du MOSFET basse tension?

R2: Le lieu d'origine du MOSFET basse tension est Guangdong, CN.

Q3: Quel est le prix du MOSFET basse tension?

R3: Le prix du MOSFET basse tension est le prix confirmé basé sur le produit.

Q4: Comment le MOSFET basse tension est-il emballé?

A4: Le MOSFET basse tension est emballé dans un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.

Q5: Quel est le délai de livraison du MOSFET basse tension?

R5: Le délai de livraison du MOSFET basse tension est de 2 à 30 jours (dépend de la quantité totale).

Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base