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Immagazzinamento dell'energia MOSFET a bassa tensione pratico canale N Alta capacità EAS

  • Energy Storage Low Voltage MOSFET Practical N Channel High EAS Capability
Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
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Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
Tempi di consegna 2-30 giorni (a seconda della quantità totale)
Termini di pagamento 100% T/T in anticipo (EXW)
Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
Funzionalità EAS Elevata capacità EAS Vantaggi del processo di trincea RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili
Processo di struttura Trincea/SGT Applicazione trattata di SGT Driver del motore, 5G stazione base, immagazzinamento dell'energia, commutatore ad alta frequenza, r
efficienza Alta efficienza e affidabilità Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz
Resistenza RDS basso (SOPRA) Consumo di energia Perdita di potere basso
Evidenziare

MOSFET a bassa tensione di stoccaggio dell'energia

,

MOSFET a bassa tensione pratico

,

Mosfet di canale N a bassa tensione
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

Low Rds ((ON) Trench Process MOSFET per il convertitore CC/DC con ottimizzazione FOM

Descrizione del prodotto:

Il MOSFET a bassa tensione è un tipo di transistor appositamente progettato per soddisfare le esigenze delle moderne applicazioni elettroniche a bassa tensione.MOSFET a bassa tensione presenta una bassa tensione di cancello e una bassa tensione di sogliaQuesto transistor a bassa tensione ha una capacità EAS estremamente elevata, un basso Rds ((ON) e una bassa perdita di potenza,che lo rende adatto a una vasta gamma di applicazioni. Il MOSFET a bassa tensione può essere utilizzato per il driver del motore, la stazione base 5G, lo stoccaggio di energia, lo switch ad alta frequenza, la rettifica sincrona, la ricarica wireless, la ricarica rapida e il convertitore DC / DC.Grazie alle caratteristiche di bassa tensione e bassa perdita di potenza, il MOSFET a bassa tensione è una scelta eccellente per le moderne applicazioni elettroniche a bassa tensione.

 

Parametri tecnici:

Attributi Descrizione
Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
Capacità EAS Capacità elevata di EAS
Processo di struttura Fossa/SGT
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona.
Applicazione del processo SGT Motor Driver, Stazione base 5G, Immagazzinamento di energia, Interruttore ad alta frequenza, Rettifica sincrona.
Vantaggi del processo di trincea RSP più piccole, sia le configurazioni in serie che parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate.
Vantaggi del processo SGT Ottimizzazione FOM rivoluzionaria, che copre più applicazioni.
Resistenza Basso Rds ((ON)
Efficienza Alta efficienza e affidabilità
Consumo di energia Basse perdite di potenza
 

Applicazioni:

REASUNOS Low Voltage MOSFET è un prodotto altamente efficiente e affidabile con ottimizzazione FOM rivoluzionaria e che copre più applicazioni.che consente di combinare e utilizzare liberamente sia le configurazioni in serie che quelle parallele. Con la sua bassa tensione di ingresso e il suo basso VGS, è adatto a una varietà di applicazioni in elettronica automobilistica, industriale e di consumo.e imballaggi tubulari antistatici, collocato all'interno di una scatola di cartone in cartone, garantisce una consegna sicura. È disponibile in quantità diverse e il prezzo può essere confermato in base al prodotto.a seconda del quantitativo totaleLa capacità di produzione di questo prodotto è di 5KK/mese.

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizio di MOSFET a bassa tensione

Forniamo supporto tecnico e servizio per i prodotti MOSFET a bassa tensione.Offriamo anche servizi di risoluzione dei problemi e riparazione per eventuali problemi che potresti avere con i tuoi prodotti MOSFET a bassa tensione.

Il nostro team tecnico è disponibile per rispondere a qualsiasi domanda su come utilizzare e mantenere i vostri prodotti MOSFET a bassa tensione.Possiamo anche fornire suggerimenti e consigli per rendere i vostri prodotti MOSFET a bassa tensione il più efficienti possibile.

Offriamo una serie di servizi per aiutarti a ottenere il massimo dai tuoi prodotti MOSFET a bassa tensione.e fornire consulenza e supporto tecnico.

Il nostro team di tecnici esperti è qui per aiutarvi a ottenere il massimo dai vostri prodotti MOSFET a bassa tensione.

 

Imballaggio e trasporto:

I MOSFET a bassa tensione vengono confezionati e spediti in una scatola di cartone sicura e resistente.i MOSFET sono racchiusi in schiuma antistatica e imballaggio a bolle per proteggerli da eventuali danni durante il trasportoLa scatola viene quindi sigillata con nastro adesivo per garantire che rimanga sicura durante la spedizione.

 

FAQ:

Q1: Qual è il marchio del MOSFET a bassa tensione?

R1: Il marchio del MOSFET a bassa tensione è REASUNOS.

D2: Qual è il luogo di origine del MOSFET a bassa tensione?

A2: Il luogo di origine del MOSFET a bassa tensione è Guangdong, CN.

Q3: Qual è il prezzo del MOSFET a bassa tensione?

A3: Il prezzo del MOSFET a bassa tensione è il prezzo confermato in base al prodotto.

Q4: Come viene confezionato il MOSFET a bassa tensione?

A4: Il MOSFET a bassa tensione è confezionato in un imballaggio tubulare antistatico, impermeabile e a prova di polvere, inserito in una scatola di cartone in cartone.

Q5: Qual è il tempo di consegna del MOSFET a bassa tensione?

A5: Il tempo di consegna del MOSFET a bassa tensione è di 2-30 giorni (dipende dalla quantità totale).

Etichette:

N canale Mosfet bassa tensione di soglia

Mosfet di canale P stabile a bassa potenza

MOSFET a bassa tensione della stazione base