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Almacenamiento de energía MOSFET de baja tensión Práctico de N canales Alta capacidad EAS

  • Energy Storage Low Voltage MOSFET Practical N Channel High EAS Capability
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Capacidad EAS Alta capacidad EAS Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente.
Proceso de estructura Trinchera/SGT Uso de proceso de SGT Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re
eficiencia Alta eficiencia y confiable Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue
Resistencia RDS bajo (ENCENDIDO) Consumo de energía Pérdida de la energía baja
Resaltar

Almacenamiento de energía MOSFET de baja tensión

,

MOSFET de baja tensión práctico

,

Tensión de entrada baja N canal Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

MOSFET de proceso de trinchera para convertidor de CC/DC con optimización de FOM innovadora

Descripción del producto:

El MOSFET de bajo voltaje es un tipo de transistor que está especialmente diseñado para satisfacer las necesidades de las aplicaciones electrónicas modernas de bajo voltaje.El MOSFET de baja tensión presenta una baja tensión de puerta y una baja tensión de umbralEste transistor de bajo voltaje tiene una capacidad EAS extremadamente alta, un bajo Rds ((ON) y una baja pérdida de potencia,que lo hace adecuado para una amplia gama de aplicacionesEl MOSFET de bajo voltaje se puede utilizar para el conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona, la carga inalámbrica, la carga rápida y el convertidor DC / DC.Gracias a las características de baja tensión y baja pérdida de potenciaEl MOSFET de bajo voltaje es una excelente opción para aplicaciones electrónicas modernas de bajo voltaje.

 

Parámetros técnicos:

Atributos Descripción
Nombre del producto MOSFET de baja tensión
Capacidad de EAS Capacidad EAS elevada
Proceso de estructura En el caso de las empresas de transporte de mercancías
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/CC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona.
Aplicación del proceso SGT El conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona.
Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie y configuraciones paralelas se pueden combinar y utilizar libremente.
Ventajas del proceso SGT La optimización de FOM, que cubre más aplicaciones.
Resistencia Bajo Rds ((ON)
Eficiencia Alta eficiencia y fiabilidad
Consumo de energía Baja pérdida de energía
 

Aplicaciones:

REASUNOS MOSFET de bajo voltaje es un producto altamente eficiente y confiable con optimización FOM innovadora y que cubre más aplicaciones.que permite combinar y utilizar libremente las configuraciones en serie y paralelasCon su baja tensión de puerta y baja VGS, es muy adecuado para una variedad de aplicaciones en automoción, industria y electrónica de consumo.y envases tubulares antistaticos, colocado dentro de una caja de cartón en cartones, garantiza la entrega segura. Está disponible en diferentes cantidades y el precio puede confirmarse en función del producto.dependiendo de la cantidad totalLa capacidad de fabricación de este producto es de 5KK / mes.

 

Apoyo y servicios:

Soporte técnico y servicio de MOSFET de baja tensión

Proporcionamos soporte técnico y servicio para productos MOSFET de bajo voltaje. Nuestro equipo de soporte técnico puede ayudarle con la instalación, mantenimiento y diagnóstico.También ofrecemos servicios de solución de problemas y reparación para cualquier problema que pueda tener con sus productos MOSFET de baja tensión.

Nuestro equipo técnico está disponible para responder cualquier pregunta que pueda tener sobre cómo usar y mantener sus productos MOSFET de bajo voltaje.También podemos proporcionar consejos y consejos sobre cómo hacer que sus productos MOSFET de bajo voltaje sean lo más eficientes posible.

Nuestro equipo puede ayudarle a optimizar el rendimiento de sus productos, diagnosticar y solucionar cualquier problema que pueda tener,y proporcionar asesoramiento técnico y apoyo.

Nuestro equipo de técnicos experimentados está aquí para ayudarle a sacar el máximo provecho de sus productos MOSFET de bajo voltaje. Estamos comprometidos a proporcionar el mejor servicio posible para nuestros clientes.

 

Embalaje y envío:

Los MOSFET de bajo voltaje se empaquetan y envían en una caja de cartón segura y duradera.Los MOSFET están envueltos en espuma antiestática y envoltura de burbujas para protegerlos de cualquier daño potencial durante el transporte.La caja se sella con cinta adhesiva para asegurar que permanezca segura durante el envío.

 

Preguntas frecuentes:

P1: ¿Cuál es el nombre de marca del MOSFET de bajo voltaje?

R1: El nombre de marca del MOSFET de bajo voltaje es REASUNOS.

P2: ¿Dónde está el lugar de origen del MOSFET de bajo voltaje?

A2: El lugar de origen del MOSFET de bajo voltaje es Guangdong, CN.

P3: ¿Cuál es el precio del MOSFET de bajo voltaje?

R3: El precio del MOSFET de bajo voltaje es el precio de confirmación basado en el producto.

P4: ¿Cómo se empaqueta el MOSFET de bajo voltaje?

A4: El MOSFET de bajo voltaje está envasado en un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático, colocado dentro de una caja de cartón en cartones.

P5: ¿Cuál es el tiempo de entrega del MOSFET de bajo voltaje?

R5: El tiempo de entrega del MOSFET de bajo voltaje es de 2 a 30 días (depende de la cantidad total).

Etiquetas:

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

Mosfet de canal P de baja potencia estable

MOSFET de baja tensión de la estación base