ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
ชื่อผู้ติดต่อ : Anita Yin
หมายเลขโทรศัพท์ : +86 13712219843
วอทส์แอพพ์ : +8613712219843

การเก็บพลังงาน MOSFET ความดันต่ํา ใช้งาน N Channel ความสามารถ EAS สูง

  • Energy Storage Low Voltage MOSFET Practical N Channel High EAS Capability
สถานที่กำเนิด กวางตุ้ง CN
ชื่อแบรนด์ REASUNOS
ราคา Confirm price based on product
รายละเอียดการบรรจุ บรรจุภัณฑ์แบบท่อกันฝุ่น กันน้ำ และป้องกันไฟฟ้าสถิต วางอยู่ภายในกล่องกระดาษแข็งในกล่องกระดาษแข็ง
เวลาการส่งมอบ 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณรวม)
เงื่อนไขการชำระเงิน 100% T/T ล่วงหน้า (EXW)
สามารถในการผลิต 5KK/เดือน

ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี

วอทส์แอพพ์:0086 18588475571

วีแชท: 0086 18588475571

สไกป์: sales10@aixton.com

หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง

x
รายละเอียดสินค้า
ความสามารถของ EAS ความสามารถ EAS สูง ข้อดีของกระบวนการร่องลึก RSP ที่เล็กกว่า ทั้งซีรีส์และการกำหนดค่าแบบขนานสามารถรวมและใช้งานได้อย่างอิสระ
กระบวนการโครงสร้าง ร่องลึก/SGT การสมัครกระบวนการ SGT ตัวขับมอเตอร์, สถานีฐาน 5G, การจัดเก็บพลังงาน, สวิตช์ความถี่สูง, การแก้ไขแบบซิงโครนัส
ประสิทธิภาพ ประสิทธิภาพสูงและเชื่อถือได้ การประยุกต์ใช้กระบวนการร่องลึก การชาร์จแบบไร้สาย, การชาร์จอย่างรวดเร็ว, ไดรเวอร์มอเตอร์, ตัวแปลง DC/DC, สวิตช์ความถี่สูง, การแก้ไขแ
ความต้านทาน ถนนต่ำ(ON) การใช้พลังงาน การสูญเสียพลังงานต่ำ
เน้น

การเก็บพลังงาน MOSFET ความดันต่ํา

,

MOSFET ความดันต่ํา

,

โวลเตชั่นประตูต่ํา N ช่อง Mosfet
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
ฝากข้อความ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
รายละเอียดสินค้า

MOSFET กระบวนการขัง Rds ((ON) ต่ําสําหรับ DC / DC Converter ด้วยการปรับปรุง FOM

คําอธิบายสินค้า:

MOSFET ความดันต่ํา เป็นชนิดของทรานซิสเตอร์ที่ออกแบบเป็นพิเศษเพื่อตอบสนองความต้องการของแอพลิเคชั่นอิเล็กทรอนิกส์ความดันต่ําที่ทันสมัยMOSFET ความดันต่ํา มีความดันประตูต่ํา และความดันขั้นต่ําต่ํา, ทําให้มันเหมาะสําหรับการใช้งานในแอพลิเคชั่นที่ต้องการการทํางานความดันต่ํา. ทรานซิสเตอร์ความดันต่ํานี้มีความสามารถ EAS ที่สูงมาก, Rds ((ON) ต่ํา, และการสูญเสียพลังงานต่ําทําให้มันเหมาะสําหรับการใช้งานที่หลากหลาย. MOSFET โวลเตจต่ําสามารถใช้ได้สําหรับคนขับมอเตอร์, สถานีฐาน 5G, การเก็บพลังงาน, สวิตช์ความถี่สูง, การแก้ไขสมอง, การชาร์จไร้สาย, การชาร์จเร็ว, และ DC / DC Converterด้วยคุณสมบัติของความดันต่ําและการสูญเสียพลังงานต่ํา, MOSFET ความดันต่ําเป็นทางเลือกที่ดีสําหรับการใช้งานอิเล็กทรอนิกส์ความดันต่ําที่ทันสมัย

 

ปริมาตรเทคนิค:

คุณสมบัติ คําอธิบาย
ชื่อสินค้า MOSFET ความดันต่ํา
ความสามารถ EAS ความสามารถ EAS ที่สูง
กระบวนการโครงสร้าง กรุงเทพมหานคร
การใช้งานกระบวนการ Trench การชาร์จไร้สาย, การชาร์จรวดเร็ว, คนขับมอเตอร์, เครื่องแปลง DC/DC, เครื่องสวิทช์ความถี่สูง, การแก้ไขแบบสมอง
การใช้กระบวนการ SGT มอเตอร์ไดรเวอร์ สถานีฐาน 5G การเก็บพลังงาน การสลับความถี่สูง การแก้ไขร่วมกัน
ข้อดีของกระบวนการขัง RSP ขนาดเล็กๆ สามารถรวมและใช้ได้อย่างอิสระ ทั้งแบบชุดและแบบปานกลาง
ข้อดีของกระบวนการ SGT การปรับปรุง FOM ที่เจริญเจริญ ครอบคลุมการใช้งานมากขึ้น
ความต้านทาน Rdsต่ํา ((ON)
ประสิทธิภาพ มี ประสิทธิภาพ และ น่า เชื่อถือ
การบริโภคพลังงาน การสูญเสียพลังงานต่ํา
 

การใช้งาน:

REASUNOS Low Voltage MOSFET เป็นผลิตภัณฑ์ที่มีประสิทธิภาพสูงและน่าเชื่อถือด้วยการปรับปรุง FOM ที่มีความก้าวหน้าและครอบคลุมการใช้งานมากขึ้นทําให้การประกอบทั้งชุดและปานกลางสามารถนําไปรวมและใช้ได้อย่างอิสระด้วยความดันประตูที่ต่ําและ VGS ต่ํา, มันเหมาะสําหรับการใช้งานที่หลากหลายในรถยนต์, อุตสาหกรรมและอิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภค.และบรรจุท่อแบบต้านสแตติก, วางไว้ในกล่องกระดาษในกล่องกระดาษ, รับประกันการจัดส่งที่ปลอดภัย. มันมีในปริมาณที่แตกต่างกันและราคาสามารถยืนยันขึ้นอยู่กับผลิตภัณฑ์.ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด, และการชําระเงินถูกยอมรับผ่าน 100% T / T ในอดีต ((EXW). ความสามารถการผลิตของสินค้านี้คือ 5KK / เดือน.

 

การสนับสนุนและบริการ:

การสนับสนุนและบริการด้านเทคนิค MOSFET ความดันต่ํา

เราให้การสนับสนุนทางเทคนิคและบริการสําหรับผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันต่ํา ทีมงานสนับสนุนทางเทคนิคของเราสามารถช่วยคุณในการติดตั้ง, การบํารุงรักษา, และการวินิจฉัยเรายังให้บริการแก้ไขปัญหาและซ่อมแซมทุกปัญหาที่คุณอาจมีกับสินค้า MOSFET ความดันต่ําของคุณ.

ทีมงานทางเทคนิคของเราพร้อมตอบทุกคําถามที่คุณอาจมีเกี่ยวกับวิธีการใช้และบํารุงรักษาสินค้า MOSFET ความดันต่ําของคุณเรายังสามารถให้คําแนะนําและคําปรึกษาเกี่ยวกับการทําให้ผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันต่ําของคุณมีประสิทธิภาพสูงที่สุด.

เรานําเสนอบริการมากมายเพื่อช่วยให้คุณได้รับผลประโยชน์สูงสุดจากสินค้า MOSFET ความดันต่ําของคุณ ทีมงานของเราสามารถช่วยให้คุณปรับปรุงการทํางานของสินค้าของคุณ ตรวจสอบและแก้ไขปัญหาใด ๆ ที่คุณอาจมีและให้คําปรึกษาและการสนับสนุนทางเทคนิค.

ทีมงานผู้เชี่ยวชาญที่มีประสบการณ์ของเราอยู่ที่นี่เพื่อช่วยให้คุณได้รับผลประโยชน์มากที่สุดจากสินค้า MOSFET ความดันต่ําของคุณ เรามุ่งมั่นที่จะให้บริการที่ดีที่สุดสําหรับลูกค้าของเรา

 

การบรรจุและการขนส่ง

MOSFETs ความดันต่ําถูกบรรจุและส่งในกล่องกระดาษที่ปลอดภัยและทนทานMOSFETs ถูกปิดในฟองแอนติสแตติกและผนังกระโปรงเพื่อปกป้องมันจากความเสียหายในระหว่างการขนส่งกล่องจะถูกปิดด้วยเทปหนักเพื่อให้แน่ใจว่ามันยังคงปลอดภัยระหว่างการส่ง

 

FAQ:

Q1: ชื่อแบรนด์ของ MOSFET ความดันต่ําคืออะไร?

A1: ชื่อแบรนด์ของ MOSFET ความดันต่ําคือ REASUNOS

Q2: สถานที่กําเนิดของ MOSFET ความดันต่ําอยู่ที่ไหน?

A2: สถานที่กําเนิดของ MOSFET ความดันต่ําคือ กวางดง, CN

Q3: ราคาของ MOSFET ความดันต่ําคืออะไร?

A3: ราคาของ MOSFET ความดันต่ําคือ ราคายืนยันขึ้นอยู่กับสินค้า

Q4: MOSFET ความดันต่ําถูกบรรจุอย่างไร?

A4: MOSFET ความดันต่ําถูกบรรจุในบรรจุท่อกันฝุ่น กันน้ํา และกันสแตติก ใส่ในกล่องกระดาษกล่อง

Q5: เวลาในการจัดส่งของ MOSFET ความดันต่ําคืออะไร?

A5: เวลาในการจัดส่งของ MOSFET ความดันต่ําคือ 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด)

แท็ก:

N Channel Mosfet ความดันขั้นต่ําต่ํา

โมสเฟตช่อง P ที่มั่นคงพลังงานต่ํา

สถานีฐาน MOSFET ความดันต่ํา

แนะนำผลิตภัณฑ์