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ऊर्जा भंडारण कम वोल्टेज एमओएसएफईटी व्यावहारिक एन चैनल उच्च ईएएस क्षमता

  • Energy Storage Low Voltage MOSFET Practical N Channel High EAS Capability
उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता ट्रेंच प्रक्रिया के लाभ छोटे आरएसपी, श्रृंखला और समानांतर दोनों विन्यासों को स्वतंत्र रूप से संयोजित और उपयोग किया जा सकता ह
संरचना प्रक्रिया ट्रेंच/एसजीटी एसजीटी प्रक्रिया आवेदन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन।
दक्षता उच्च दक्षता और विश्वसनीय ट्रेंच प्रक्रिया आवेदन वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ़्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस
प्रतिरोध कम आरडीएस(चालू) बिजली की खपत कम बिजली हानि
प्रमुखता देना

ऊर्जा भंडारण निम्न वोल्टेज MOSFET

,

कम वोल्टेज MOSFET व्यावहारिक

,

कम गेट वोल्टेज एन चैनल मोस्फेट
आप अपनी ज़रूरत के उत्पादों को टिक कर सकते हैं और हमारे साथ संदेश बोर्ड में संचार कर सकते हैं।
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
उत्पाद विवरण

कम आरडीएस ((ऑन) ट्रेंच प्रोसेस एमओएसएफईटी डीसी/डीसी कन्वर्टर के लिए

उत्पाद का वर्णन:

निम्न वोल्टेज मोस्फेट एक प्रकार का ट्रांजिस्टर है जो विशेष रूप से आधुनिक निम्न वोल्टेज इलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों की आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए डिज़ाइन किया गया है।कम वोल्टेज MOSFET में एक कम गेट वोल्टेज और कम थ्रेशोल्ड वोल्टेज हैयह निम्न वोल्टेज ट्रांजिस्टर एक अत्यंत उच्च ईएएस क्षमता, एक कम आरडीएस (ओएन) और कम शक्ति हानि है,यह अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए उपयुक्त बनानेकम वोल्टेज एमओएसएफईटी का उपयोग मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन, वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग और डीसी/डीसी कनवर्टर के लिए किया जा सकता है।कम वोल्टेज और कम शक्ति हानि की विशेषताओं के लिए धन्यवादनिम्न वोल्टेज एमओएसएफईटी आधुनिक निम्न वोल्टेज इलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों के लिए एक उत्कृष्ट विकल्प है।

 

तकनीकी मापदंडः

गुण विवरण
उत्पाद का नाम कम वोल्टेज MOSFET
ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता
संरचना प्रक्रिया खाई/एसजीटी
खाई प्रक्रिया अनुप्रयोग वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन
एसजीटी प्रक्रिया आवेदन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस सुधार।
खाई प्रक्रिया के फायदे छोटे आरएसपी, दोनों श्रृंखला और समानांतर विन्यास को स्वतंत्र रूप से जोड़ा और उपयोग किया जा सकता है।
एसजीटी प्रक्रिया के फायदे अधिक अनुप्रयोगों को कवर करने के लिए सफलतापूर्वक FOM अनुकूलन।
प्रतिरोध कम आरडीएस (ऑन)
दक्षता उच्च दक्षता और विश्वसनीयता
बिजली की खपत कम शक्ति हानि
 

अनुप्रयोग:

REASUNOS लो वोल्टेज एमओएसएफईटी एक उच्च कुशल और विश्वसनीय उत्पाद है जिसमें फोरम अनुकूलन में सफलता है और यह अधिक अनुप्रयोगों को कवर करता है। यह एक छोटे आरएसपी के साथ भी डिज़ाइन किया गया है,दोनों श्रृंखला और समानांतर विन्यासों को स्वतंत्र रूप से संयोजित और उपयोग करने की अनुमति देता हैअपने कम गेट वोल्टेज और कम वीजीएस के साथ, यह ऑटोमोटिव, औद्योगिक और उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स में विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है।और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग, एक कार्डबोर्ड बॉक्स में रखा जाता है, जो सुरक्षित वितरण सुनिश्चित करता है। यह विभिन्न मात्राओं में उपलब्ध है और उत्पाद के आधार पर कीमत की पुष्टि की जा सकती है। डिलीवरी का समय आमतौर पर 2-30 दिन होता है,कुल मात्रा के आधार परइस उत्पाद की विनिर्माण क्षमता 5KK/माह है।

 

सहायता एवं सेवाएं:

कम वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवा

हम कम वोल्टेज MOSFET उत्पादों के लिए तकनीकी सहायता और सेवा प्रदान करते हैं। हमारी तकनीकी सहायता टीम आपको स्थापना, रखरखाव और निदान के साथ मदद कर सकती है।हम आपके निम्न वोल्टेज MOSFET उत्पादों के साथ किसी भी समस्या के लिए समस्या निवारण और मरम्मत सेवाएं भी प्रदान करते हैं.

हमारी तकनीकी टीम आपके किसी भी प्रश्न का उत्तर देने के लिए उपलब्ध है कि आपके निम्न वोल्टेज MOSFET उत्पादों का उपयोग और रखरखाव कैसे किया जाए।हम आपके निम्न वोल्टेज MOSFET उत्पादों को यथासंभव कुशल बनाने के लिए सुझाव और सलाह भी दे सकते हैं.

हम आपको अपने कम वोल्टेज MOSFET उत्पादों का अधिकतम लाभ उठाने में मदद करने के लिए सेवाओं की एक श्रृंखला प्रदान करते हैं। हमारी टीम आपको अपने उत्पादों के प्रदर्शन को अनुकूलित करने, आपके पास किसी भी समस्या का निदान करने और ठीक करने में मदद कर सकती है,और तकनीकी सलाह और सहायता प्रदान करता है.

अनुभवी तकनीशियनों की हमारी टीम आपके कम वोल्टेज MOSFET उत्पादों का अधिकतम लाभ उठाने में आपकी मदद करने के लिए यहां है। हम अपने ग्राहकों के लिए सर्वोत्तम संभव सेवा प्रदान करने के लिए प्रतिबद्ध हैं।

 

पैकिंग और शिपिंगः

कम वोल्टेज MOSFETs पैक और एक सुरक्षित और टिकाऊ कार्डबोर्ड बॉक्स में भेज दिया जाता है। बॉक्स के अंदर,MOSFETs को परिवहन के दौरान किसी भी संभावित क्षति से बचाने के लिए एंटी-स्टैटिक फोम और बुलबुला लिपटे में संलग्न किया जाता हैइसके बाद बॉक्स को भारी-भरकम टेप से सील कर दिया जाता है ताकि यह सुनिश्चित हो सके कि शिपिंग के दौरान यह सुरक्षित रहे।

 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

प्रश्न 1: निम्न वोल्टेज मोस्फेट का ब्रांड नाम क्या है?

A1: निम्न वोल्टेज MOSFET का ब्रांड नाम REASUNOS है।

Q2: निम्न वोल्टेज MOSFET का मूल स्थान कहाँ है?

A2: निम्न वोल्टेज MOSFET का मूल स्थान गुआंग्डोंग, CN है।

Q3: निम्न वोल्टेज MOSFET की कीमत क्या है?

A3: कम वोल्टेज MOSFET की कीमत है उत्पाद के आधार पर मूल्य की पुष्टि करें।

Q4: निम्न वोल्टेज MOSFET को कैसे पैक किया जाता है?

A4: कम वोल्टेज MOSFET को धूल, पानी और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग में पैक किया जाता है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखा जाता है।

Q5: निम्न वोल्टेज MOSFET का वितरण समय क्या है?

A5: निम्न वोल्टेज MOSFET का वितरण समय 2-30 दिन है (कुल मात्रा पर निर्भर करता है) ।

टैग:

एन चैनल मोस्फेट निम्न सीमा वोल्टेज

स्थिर निम्न शक्ति पी चैनल मोस्फेट

बेस स्टेशन कम वोल्टेज MOSFET

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