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P-Kanal Niederspannungs-MOSFET

  • P Channel Low Voltage MOSFET Durable For Wireless Charging Low
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Anwendung im Grabenverfahren Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric SGT-Prozessanwendung Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur.
Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
SGT-Prozessvorteile Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. Effizienz Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit
Widerstand Niedriges RDS (AN) Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie
Hervorheben

P-Kanal Niederspannungs-MOSFET

,

Niederspannungs-MOSFET

,

Wireless Charging Vgs P Kanal Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Niederspannungs-MOSFET mit Trench-Verfahren für synchrone Berichtigung Durchbruch FOM-Optimierung mit SGT-Verfahren

Beschreibung des Produkts:

Niederspannungs-MOSFET

Ein Niederspannungs-MOSFET ist eine Art von Niederspannungstransistor, der für Niederspannungsanwendungen entwickelt wurde.Das Niederspannungs-MOSFET eignet sich für eine Vielzahl von AnwendungenEs ist auch sehr effizient mit einer hohen EAS-Fähigkeit.

 

Technische Parameter:

Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
Stromverbrauch Niedriger Stromverlust
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Strukturprozess Graben/SGT
Anwendung des Gräbenprozesses Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
Vorteile des Schützengrabenprozesses Kleinere RSP, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden.
Effizienz Hochwirksam und zuverlässig
Widerstand Niedrige Rds ((ON)
Vorteile des SGT-Verfahrens Durchbruch FOM-Optimierung, mehr Anwendung abdeckt.
Anwendung des SGT-Verfahrens Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
 

Anwendungen:

Niederspannungs-MOSFET ist aufgrund seiner hohen Effizienz, geringen Stromverluste und hohen EAS-Fähigkeiten eine bevorzugte Wahl für viele Anwendungen.mit seiner bahnbrechenden FOM-Optimierung und mehr Anwendung abdeckt, ist eine ideale Wahl für Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.und antistatische Rohrverpackungen, in einer Kartonverpackung in Kartons und Lieferzeit von 2 bis 30 Tagen je nach Gesamtmenge.Die Versorgungsfähigkeit beträgt 5 KK/Monat.. REASUNOS Niederspannungs-MOSFET ist Ihre zuverlässige Wahl für alle Arten von Anwendungen.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Dienstleistungen für Niederspannungs-MOSFET

Wir bieten umfassende technische Unterstützung und Dienstleistungen für Niederspannungs-MOSFET-Produkte an, einschließlich:

  • Technischer Support rund um die Uhr
  • Kostenlose Software-Updates für das gesamte Leben
  • 30 Tage Geld-zurück-Garantie
  • Garantie von 1 Jahr
  • Kostenlose technische Ressourcen und Tutorials
  • Zugriff auf unser Online-Supportforum

Wenn Sie Hilfe mit einem Low-Voltage-MOSFET-Produkt benötigen, kontaktieren Sie uns und wir helfen Ihnen gerne.

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Niederspannungs-MOSFET

Niederspannungs-MOSFET-Produkte sind nach folgenden Normen zu verpacken und zu versenden:

  • Das Produkt muss in ein Schutzmaterial wie Blasenfolie, Schaumstoff oder Kunststoffverpackung eingewickelt werden, um Schäden zu vermeiden.
  • Das Arzneimittel muss in eine robuste Kartonbox oder einen anderen geeigneten Behälter gelegt werden.
  • Das Produkt muss eindeutig mit der Adresse des Absenders und des Empfängers, den Kontaktdaten und den einschlägigen Produktinformationen versehen sein.
  • Alle Sendungen müssen verfolgt und versichert werden.
  • Das Produkt muss mit allen erforderlichen Unterlagen versandt werden.
 

Häufige Fragen:

F1:Wie ist der Markenname von Niederspannungs-MOSFET?

A1: Der Markenname von Niederspannungs-MOSFET ist REASUNOS.

F2:Wo ist der Ursprungsort von Niederspannungs-MOSFET?

A2: Der Ursprungsort von Niederspannungs-MOSFET ist Guangdong, CN.

F3:Wie hoch ist der Preis für Niederspannungs-MOSFET?

A3:Der Preis für Niederspannungs-MOSFET wird auf der Grundlage des Produkts bestätigt.

F4:Welche Verpackungsdetails gibt es für Niederspannungs-MOSFET?

A4:Die Verpackungsdetails von Niederspannungs-MOSFET sind staub-, wasserdichte und antistatische Rohrverpackungen, die in Kartons in einer Kartonbox aufbewahrt werden.

F5:Wie sind die Lieferzeiten und Zahlungsbedingungen von Niederspannungs-MOSFET?

A5:Die Lieferzeit von Niederspannungs-MOSFET beträgt 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge) und die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus (EXW).

Umbauten:

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle

Stabil Low Power P-Kanal Mosfet

Basisstation Niederspannungs-MOSFET