P Channel Low Voltage MOSFET awet untuk pengisian nirkabel rendah

Tempat asal Guangdong, CN
Nama merek REASUNOS
Harga Confirm price based on product
Kemasan rincian Kemasan berbentuk tabung tahan debu, tahan air, dan antistatis, ditempatkan di dalam kotak karton da
Waktu pengiriman 2-30 hari (Tergantung Jumlah Total)
Syarat-syarat pembayaran 100% T/T di Muka (EXW)
Menyediakan kemampuan 5KK/bulan

Hubungi saya untuk sampel dan kupon gratis.

Ada apa:0086 18588475571

Wechat wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Jika Anda memiliki kekhawatiran, kami menyediakan bantuan online 24 jam.

x
Detail produk
Aplikasi proses parit Pengisian Nirkabel, Pengisian Cepat, Driver Motor, Konverter DC/DC, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektif Aplikasi proses SGT Pengemudi Motor, Pemancar 5G, Penyimpanan Energi, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektifikasi Sinkron.
Nama produk MOSFET Tegangan Rendah kemampuan EAS Kemampuan EAS Tinggi
Keuntungan proses SGT Terobosan Optimasi FOM, Mencakup Lebih Banyak Aplikasi. efisiensi Efisiensi Tinggi Dan Andal
Perlawanan Rds Rendah (AKTIF) Konsumsi daya Kehilangan Daya Rendah
Menyoroti

P Channel Low Voltage MOSFET

,

MOSFET Tegangan Rendah

,

Pengisian nirkabel VGS P Channel Mosfet

Anda dapat mencentang produk yang Anda butuhkan dan berkomunikasi dengan kami di papan pesan.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
Tinggalkan pesan
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Deskripsi Produk

MOSFET Tegangan Rendah dengan Proses Lubang untuk Rektifisasi Sinkron Terobosan Optimasi FOM dengan Proses SGT

Deskripsi produk:

MOSFET Tegangan Rendah

MOSFET Tegangan Rendah adalah jenis transistor tegangan gerbang rendah, yang dirancang untuk aplikasi daya tegangan rendah.MOSFET Tegangan Rendah cocok untuk berbagai aplikasi, seperti driver motor, stasiun dasar 5G, penyimpanan energi, saklar frekuensi tinggi, rectifikasi sinkron, dan pengisian nirkabel.

 

Parameter teknis:

Nama produk MOSFET Tegangan Rendah
Konsumsi Daya Kerugian Daya Rendah
Kemampuan EAS Kemampuan EAS yang tinggi
Proses Struktur Trench/SGT
Aplikasi Proses Parit Pengisian nirkabel, pengisian cepat, driver motor, DC/DC converter, High-frequency switch, Synchronous Rectification.
Keuntungan Proses Parit RSP yang lebih kecil, konfigurasi seri dan paralel dapat dikombinasikan dan digunakan secara bebas.
Efisiensi Efisiensi Tinggi dan Dapat Diandalkan
Resistensi Rds rendah ((ON)
Keuntungan Proses SGT Terobosan Optimasi FOM, Mencakup Lebih Banyak Aplikasi.
Aplikasi Proses SGT Pengemudi Motor, Stasiun Basis 5G, Penyimpanan Energi, Saklar Frekuensi Tinggi, Rektifisasi Sinkron.
 

Aplikasi:

MOSFET Tegangan Rendah adalah pilihan yang disukai untuk banyak aplikasi karena efisiensi tinggi, kehilangan daya yang rendah, dan kemampuan EAS yang tinggi.dengan terobosan FOM optimasi dan mencakup lebih banyak aplikasi, adalah pilihan yang ideal untuk pengemudi motor, stasiun dasar 5G, penyimpanan energi, saklar frekuensi tinggi, dan rektifisasi sinkron.dan kemasan tabung anti-statis, diletakkan dalam kotak karton dalam karton, dan waktu pengiriman berkisar antara 2-30 hari tergantung pada jumlah total.Kemampuannya untuk memasok adalah 5 KK/bulan. REASUNOS Low Voltage MOSFET adalah pilihan yang dapat dipercaya untuk semua jenis aplikasi.

 

Dukungan dan Layanan:

Dukungan dan Layanan Teknis MOSFET Tegangan Rendah

Kami menyediakan dukungan teknis dan layanan yang komprehensif untuk produk MOSFET Tegangan Rendah, termasuk:

  • Dukungan teknis 24/7
  • Pembaruan perangkat lunak gratis seumur hidup
  • Jaminan uang kembali 30 hari
  • Jaminan 1 tahun
  • Sumber daya teknis dan tutorial gratis
  • Akses ke forum dukungan online kami

Jika Anda membutuhkan bantuan dengan produk MOSFET Tegangan Rendah, silakan hubungi kami dan kami akan dengan senang hati membantu Anda.

 

Kemasan dan Pengiriman:

Kemasan dan Pengiriman MOSFET Tegangan Rendah

Produk MOSFET Tegangan Rendah harus dikemas dan dikirim sesuai dengan standar berikut:

  • Produk harus dibungkus dengan bahan pelindung seperti bungkus gelembung, busa, atau bungkus plastik untuk mencegah kerusakan.
  • Produk harus diletakkan dalam kotak karton yang kokoh atau wadah yang cocok lainnya.
  • Produk harus diberi label dengan jelas dengan alamat pengirim dan penerima, informasi kontak, dan informasi produk yang berlaku.
  • Semua pengiriman harus dilacak dan diasuransikan.
  • Produk harus dikirim dengan semua dokumentasi yang diperlukan.
 

FAQ:

Q1: Apa nama merek MOSFET Tegangan Rendah?

A1: Nama merek MOSFET Tegangan Rendah adalah REASUNOS.

Q2: Di mana tempat asal MOSFET Tegangan Rendah?

A2:Tempat asal MOSFET Tegangan Rendah adalah Guangdong, CN.

Q3:Berapa harga MOSFET Tegangan Rendah?

A3:Harga MOSFET Tegangan Rendah dikonfirmasi berdasarkan produk.

Q4: Apa rincian kemasan MOSFET Tegangan Rendah?

A4:Rincian kemasan MOSFET Tegangan Rendah adalah kemasan tabung tahan debu, tahan air, dan anti-statis, ditempatkan di dalam kotak karton dalam karton.

Q5: Apa waktu pengiriman dan syarat pembayaran MOSFET Tegangan Rendah?

A5: Waktu pengiriman MOSFET Tegangan Rendah adalah 2-30 hari (Tergantung pada Jumlah Total) dan syarat pembayaran adalah 100% T / T di muka (EXW).