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MOSFET de baja tensión de canal P Durable para carga inalámbrica baja

  • P Channel Low Voltage MOSFET Durable For Wireless Charging Low
Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue Uso de proceso de SGT Conductor del motor, 5G estación base, almacenamiento de energía, interruptor de alta frecuencia, re
Nombre del producto MOSFET de bajo voltaje Capacidad EAS Alta capacidad EAS
Ventajas de proceso de SGT Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso. eficiencia Alta eficiencia y confiable
Resistencia RDS bajo (ENCENDIDO) Consumo de energía Pérdida de la energía baja
Resaltar

MOSFET de bajo voltaje de canal P

,

MOSFET de baja tensión Durable

,

Carga inalámbrica VGS P Canal Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

MOSFET de bajo voltaje con proceso de trinchera para rectificación síncrona, optimización de FOM con proceso SGT

Descripción del producto:

MOSFET de baja tensión

El MOSFET de bajo voltaje es un tipo de transistor de bajo voltaje de puerta, diseñado para aplicaciones de energía de bajo voltaje.el MOSFET de bajo voltaje es adecuado para una amplia gama de aplicacionesTambién es altamente eficiente con una alta capacidad de EAS.

 

Parámetros técnicos:

Nombre del producto MOSFET de baja tensión
Consumo de energía Baja pérdida de energía
Capacidad de EAS Capacidad EAS elevada
Proceso de estructura En el caso de las empresas de transporte de mercancías
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/CC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona.
Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie y configuraciones paralelas se pueden combinar y utilizar libremente.
Eficiencia Alta eficiencia y fiabilidad
Resistencia Bajo Rds ((ON)
Ventajas del proceso SGT La optimización de FOM, que cubre más aplicaciones.
Aplicación del proceso SGT El conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona.
 

Aplicaciones:

El MOSFET de bajo voltaje es una opción preferida para muchas aplicaciones debido a su alta eficiencia, baja pérdida de energía y alta capacidad EAS.con su optimización de FOM innovadora y que cubre más aplicaciones, es una opción ideal para el conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia y la rectificación síncrona.y envases tubulares antistaticos, colocados en una caja de cartón en cartón, y un plazo de entrega que oscila entre 2 y 30 días en función de la cantidad total.su capacidad de suministro es de 5KK/mes. REASUNOS MOSFET de bajo voltaje es su elección confiable para todo tipo de aplicaciones.

 

Apoyo y servicios:

Apoyo técnico y servicios de MOSFET de baja tensión

Proporcionamos soporte técnico y servicios integrales para productos MOSFET de bajo voltaje, incluidos:

  • Apoyo técnico las 24 horas del día
  • Actualizaciones gratuitas de software de por vida
  • Garantía de devolución de dinero de 30 días
  • 1 año de garantía
  • Recursos técnicos y tutoriales gratuitos
  • Acceso a nuestro foro de apoyo en línea

Si necesita ayuda con cualquier producto MOSFET de bajo voltaje, póngase en contacto con nosotros y estaremos encantados de ayudarle.

 

Embalaje y envío:

Embalaje y envío de MOSFET de bajo voltaje

Los productos MOSFET de bajo voltaje se envasarán y enviarán de conformidad con las siguientes normas:

  • El producto debe estar envuelto en un material de protección como envoltura de burbujas, espuma o plástico para evitar daños.
  • El producto debe colocarse en una caja de cartón resistente u otro recipiente adecuado.
  • El producto debe estar claramente etiquetado con las direcciones del remitente y del destinatario, la información de contacto y la información del producto aplicable.
  • Todos los cargamentos deben ser rastreados y asegurados.
  • El producto debe ser enviado con toda la documentación necesaria.
 

Preguntas frecuentes:

P1: ¿Cuál es el nombre de la marca de MOSFET de bajo voltaje?

R1:El nombre de marca del MOSFET de bajo voltaje es REASUNOS.

P2: ¿Dónde se encuentra el lugar de origen del MOSFET de bajo voltaje?

A2:El lugar de origen del MOSFET de bajo voltaje es Guangdong, CN.

P3: ¿Cuál es el precio del MOSFET de bajo voltaje?

A3:El precio del MOSFET de baja tensión se confirma en función del producto.

P4: ¿Cuáles son los detalles del embalaje del MOSFET de bajo voltaje?

A4:Los detalles del embalaje del MOSFET de bajo voltaje son embalajes tubulares a prueba de polvo, a prueba de agua y antistáticos, colocados dentro de una caja de cartón en cartones.

P5: ¿Cuál es el tiempo de entrega y los términos de pago de MOSFET de bajo voltaje?

R5:El tiempo de entrega del MOSFET de bajo voltaje es de 2 a 30 días (depende de la cantidad total) y los términos de pago son 100% T/T por adelantado (EXW).

Etiquetas:

Tensión de umbral bajo del canal N Mosfet

Mosfet de canal P de baja potencia estable

MOSFET de baja tensión de la estación base