모든 제품
담당자 : Anita Yin
전화 번호 : +86 13712219843
왓츠앱 : 8613712219843

P 채널 저전압 MOSFET 무선 충전용 내구성 낮은

  • P Channel Low Voltage MOSFET Durable For Wireless Charging Low
원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
지불 조건 사전에 100% T/T(EXW)
공급 능력 5KK/월

무료샘플과 쿠폰을 위해 나와 연락하세요.

왓츠앱:0086 18588475571

위챗: 0086 18588475571

스카이프: sales10@aixton.com

만약 당신이 어떠한 관심도 가지면, 우리가 24 시간 온라인 도움말을 제공합니다.

x
제품 상세 정보
트렌치 공정 적용 무선 충전, 고속 충전, 모터 드라이버, DC/DC 컨버터, 고주파 스위치, 동기 정류. SGT 프로세스 적용 모터 드라이버, 5G 기지국, 에너지 저장, 고주파 스위치, 동기 정류.
제품 이름 저전압 MOSFET EAS 기능 높은 EAS 기능
SGT 프로세스의 장점 획기적인 FOM 최적화로 더 많은 애플리케이션을 포괄합니다. 효율성 높은 효율성과 신뢰성
저항 낮은 RDS(ON) 소비 전력 낮은 전력 손실
강조하다

P 채널 저전압 MOSFET

,

저전압 MOSFET 내구성

,

무선 충전 VGS P 채널 모스페트
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
메시지를 남겨주세요
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
제품 설명

동시 교정 돌파구 SGT 프로세스와 FOM 최적화를 위한 트렌치 프로세스와 저전압 MOSFET

제품 설명:

저전압 MOSFET

저전압 MOSFET는 저전압 전력 애플리케이션을 위해 설계된 저전압 게이트 트랜지스터의 일종이다. SGT 프로세스와 트렌치 프로세스를 갖는다.저전압 MOSFET는 광범위한 응용 프로그램에 적합합니다., 모터 드라이버, 5G 베이스 스테이션, 에너지 저장, 고 주파수 스위치, 동기 교정 및 무선 충전과 같은 기능이 있습니다. 또한 높은 EAS 기능으로 매우 효율적입니다.

 

기술 매개 변수:

제품 이름 저전압 MOSFET
전력 소비 낮은 전력 손실
EAS 능력 높은 EAS 능력
구조 과정 트렌치/SGT
트렌치 프로세스 응용 무선 충전, 빠른 충전, 모터 드라이버, DC/DC 변환기, 고주파 스위치, 동기 교정
트렌치 공정 의 장점 더 작은 RSP, 시리즈 및 병렬 구성 모두 자유롭게 결합 및 활용 할 수 있습니다.
효율성 높은 효율성 과 신뢰성
저항력 낮은 Rds ((ON)
SGT 공정의 장점 돌파구 FOM 최적화, 더 많은 응용 프로그램을 커버.
SGT 프로세스 적용 모터 드라이버, 5G 베이스 스테이션, 에너지 저장, 고주파 스위치, 동기 교정
 

응용 프로그램:

저전압 MOSFET는 높은 효율성, 낮은 전력 손실 및 높은 EAS 기능으로 인해 많은 응용 분야에 선호되는 선택입니다.그 돌파구 FOM 최적화와 더 많은 응용 프로그램을 커버, 자동차 운전자, 5G 기지국, 에너지 저장, 고주파 스위치 및 동기 교정을위한 이상적인 선택입니다. 그것은 우수한 먼지 방지, 방수,그리고 반 정적 튜브 포장, 카튼 상자 안에 포장되어 있으며, 전체 양에 따라 2~30일 간 배송시간이 있습니다. 가격은 제품에 따라 확인됩니다.공급 가능성은 5KK/개월입니다.. REASUNOS 저전압 MOSFET은 모든 종류의 응용 프로그램에 대한 신뢰할 수있는 선택입니다.

 

지원 및 서비스:

저전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스

우리는 아래와 같은 낮은 전압 MOSFET 제품에 대한 포괄적인 기술 지원 및 서비스를 제공합니다.

  • 24/7 기술 지원
  • 평생 무료 소프트웨어 업데이트
  • 30일 환불 보증
  • 1년 보증
  • 무료 기술 자원과 튜토리얼
  • 우리의 온라인 지원 포럼에 액세스

만약 당신이 어떤 저전압 MOSFET 제품과 함께 도움이 필요한 경우, 저희에게 연락하고 우리는 기꺼이 당신을 도울 것입니다.

 

포장 및 운송:

저전압 MOSFET 의 포장 및 운송

저전압 MOSFET 제품은 다음 표준에 따라 포장 및 배송되어야 합니다.

  • 이 제품은 손상되지 않도록 거품 포개, 거품 또는 플라스틱 포개와 같은 보호 재료로 포장해야합니다.
  • 이 제품은 견고한 고지판 상자 또는 다른 적절한 용기에 넣어야 합니다.
  • 제품에는 발송자와 수신자의 주소, 연락처 정보 및 관련 제품 정보가 표시되어야 합니다.
  • 모든 배송은 추적하고 보험에 가입해야 합니다.
  • 제품은 필요한 모든 문서와 함께 배송되어야 합니다.
 

FAQ:

Q1: 저전압 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?

A1: 저전압 MOSFET의 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.

Q2:저전압 MOSFET의 원산지는 어디입니까?

A2:저전압 MOSFET의 원산지는 CN 광둥입니다.

Q3:저전압 MOSFET의 가격은 무엇입니까?

A3:저전압 MOSFET의 가격은 제품에 따라 확인됩니다.

Q4: 저전압 MOSFET의 포장 세부 사항은 무엇입니까?

A4:저전압 MOSFET의 포장 세부 사항은 먼지, 방수 및 반 정적 튜버형 포장지이며, 카튼 상자 안에 배치됩니다.

Q5: 낮은 전압 MOSFET의 배송 시간과 지불 조건은 무엇입니까?

A5:저전압 MOSFET의 배송 시간은 2-30일 (총량에 따라) 이며 지불 조건은 100% T/T Advance (EXW) 이다.

꼬리표:

N 채널 모스페트 낮은 문장 전압

안정적인 저전력 P 채널 모스페트

기본 스테이션 저전압 MOSFET