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MOSFET a bassa tensione di canale P resistente alla ricarica wireless

  • P Channel Low Voltage MOSFET Durable For Wireless Charging Low
Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
Prezzo Confirm price based on product
Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
Tempi di consegna 2-30 giorni (a seconda della quantità totale)
Termini di pagamento 100% T/T in anticipo (EXW)
Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz Applicazione trattata di SGT Driver del motore, 5G stazione base, immagazzinamento dell'energia, commutatore ad alta frequenza, r
Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione Funzionalità EAS Elevata capacità EAS
Vantaggi trattati di SGT Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione. efficienza Alta efficienza e affidabilità
Resistenza RDS basso (SOPRA) Consumo di energia Perdita di potere basso
Evidenziare

MOSFET a bassa tensione di canale P

,

MOSFET a bassa tensione

,

Carica wireless Vgs P Canale Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

MOSFET a bassa tensione con processo di trincea per rettificazione sincrona Ottimizzazione FOM con processo SGT

Descrizione del prodotto:

MOSFET a bassa tensione

Il MOSFET a bassa tensione è un tipo di transistor a bassa tensione, progettato per applicazioni di potenza a bassa tensione.il MOSFET a bassa tensione è adatto a una vasta gamma di applicazioni, come il driver motore, la stazione base 5G, lo stoccaggio di energia, l'interruttore ad alta frequenza, la rettifica sincrona e la ricarica wireless.

 

Parametri tecnici:

Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
Consumo di energia Basse perdite di potenza
Capacità EAS Capacità elevata di EAS
Processo di struttura Fossa/SGT
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona.
Vantaggi del processo di trincea RSP più piccole, sia le configurazioni in serie che parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate.
Efficienza Alta efficienza e affidabilità
Resistenza Basso Rds ((ON)
Vantaggi del processo SGT Ottimizzazione FOM rivoluzionaria, che copre più applicazioni.
Applicazione del processo SGT Motor Driver, Stazione base 5G, Immagazzinamento di energia, Interruttore ad alta frequenza, Rettifica sincrona.
 

Applicazioni:

Il MOSFET a bassa tensione è una scelta preferita per molte applicazioni a causa della sua elevata efficienza, bassa perdita di potenza e elevata capacità EAS.con la sua innovazione di ottimizzazione FOM e coprendo più applicazioni, è una scelta ideale per il conducente del veicolo, la stazione base 5G, lo stoccaggio di energia, l'interruttore ad alta frequenza e la rettifica sincrona.e imballaggi tubulari antistatici, collocati in una scatola di cartone in cartoni, e tempi di consegna che variano da 2-30 giorni a seconda della quantità totale.la sua capacità di approvvigionamento è di 5KK/mese. REASUNOS Low Voltage MOSFET è la vostra scelta affidabile per tutti i tipi di applicazioni.

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizi di MOSFET a bassa tensione

Forniamo un supporto tecnico completo e servizi per i prodotti MOSFET a bassa tensione, tra cui:

  • Supporto tecnico 24 ore su 24, 7 giorni su 7
  • Aggiornamenti software gratuiti per tutta la vita
  • Garanzia di rimborso di 30 giorni
  • Garanzia di 1 anno
  • Risorse tecniche e tutorial gratuiti
  • Accesso al nostro forum di supporto online

Se avete bisogno di aiuto con qualsiasi prodotto MOSFET a bassa tensione, vi preghiamo di contattarci e saremo lieti di assistervi.

 

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio e spedizione del MOSFET a bassa tensione

I prodotti MOSFET a bassa tensione devono essere confezionati e spediti secondo le seguenti norme:

  • Il prodotto deve essere avvolto in un materiale protettivo come una bombola, una schiuma o un involucro di plastica per evitare danni.
  • Il prodotto deve essere collocato in una scatola di cartone robusta o in un altro contenitore adatto.
  • Il prodotto deve essere chiaramente etichettato con l'indirizzo del mittente e del destinatario, le informazioni di contatto e le informazioni applicabili sul prodotto.
  • Tutte le spedizioni devono essere rintracciate e assicurate.
  • Il prodotto deve essere spedito con tutta la documentazione necessaria.
 

FAQ:

Q1: Qual è il marchio del MOSFET a bassa tensione?

R1:Il marchio del MOSFET a bassa tensione è REASUNOS.

Q2:Dove è il luogo di origine del MOSFET a bassa tensione?

A2:Il luogo di origine del MOSFET a bassa tensione è Guangdong, CN.

Q3:Qual è il prezzo del MOSFET a bassa tensione?

A3:Il prezzo del MOSFET a bassa tensione è confermato in base al prodotto.

Q4:Quali sono i dettagli dell'imballaggio del MOSFET a bassa tensione?

A4:I dettagli dell'imballaggio del MOSFET a bassa tensione sono un imballaggio tubulare antistatico, impermeabile alla polvere e impermeabile, collocato all'interno di una scatola di cartone in cartone.

Q5:Qual è il tempo di consegna e i termini di pagamento del MOSFET a bassa tensione?

R5:Il tempo di consegna del MOSFET a bassa tensione è di 2-30 giorni (dipende dalla quantità totale) e i termini di pagamento sono il 100% T/T in anticipo (EXW).

Etichette:

N canale Mosfet bassa tensione di soglia

Mosfet di canale P stabile a bassa potenza

MOSFET a bassa tensione della stazione base