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MOSFET à basse tension de canal P Durable pour une charge sans fil basse

  • P Channel Low Voltage MOSFET Durable For Wireless Charging Low
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen Application de processus de SGT Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r
Nom du produit MOSFET basse tension Capacité EAS Capacité EAS élevée
Avantages de processus de SGT Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application. l'efficacité Haute efficacité et fiabilité
Résistance Le bas RDS (DESSUS) Consommation d'électricité Perte de puissance faible
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MOSFET à basse tension du canal P

,

MOSFET à basse tension Durable

,

Chargement sans fil VGS P Channel Mosfet
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

MOSFET basse tension avec processus de tranchée pour la rectification synchrone et l'optimisation FOM avec processus SGT

Description du produit:

MOSFET à basse tension

Le MOSFET basse tension est un type de transistor basse tension, conçu pour les applications de faible tension.le MOSFET basse tension convient à un large éventail d'applications, tels que le pilote moteur, la station de base 5G, le stockage d'énergie, le commutateur haute fréquence, la rectification synchrone et la recharge sans fil.

 

Paramètres techniques:

Nom du produit MOSFET à basse tension
Consommation d'électricité Faible perte de puissance
Capacité du SEA Capacité EAS élevée
Processus de la structure Traînée/SGT
Application du procédé des tranchées Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Les avantages du procédé de tranchée Les RSP plus petits, à la fois en série et en parallèle, peuvent être librement combinés et utilisés.
Efficacité Très efficace et fiable
Résistance Rds bas ((ON)
Avantages du procédé SGT Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'application.
Application du procédé SGT Conducteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
 

Applications:

Le MOSFET basse tension est le choix préféré pour de nombreuses applications en raison de son efficacité élevée, de sa faible perte d'énergie et de sa grande capacité EAS.avec sa percée de l'optimisation FOM et couvrant plus d'application, est un choix idéal pour le conducteur automobile, la station de base 5G, le stockage d'énergie, l'interrupteur haute fréquence et la rectification synchrone.et emballage tubulaire antistatique, placés dans une boîte en carton dans des cartons, et un délai de livraison allant de 2 à 30 jours selon la quantité totale.sa capacité d'approvisionnement est de 5KK/moisLe MOSFET basse tension de REASUNOS est votre choix fiable pour toutes sortes d'applications.

 

Assistance et services:

Support technique et services pour les MOSFET basse tension

Nous fournissons un soutien technique complet et des services pour les produits MOSFET basse tension, y compris:

  • Assistance technique 24 heures sur 24, 7 jours sur 7
  • Mises à jour logicielles gratuites à vie
  • Garantie de remboursement de 30 jours
  • Garantie d'un an
  • Ressources techniques et tutoriels gratuits
  • Accès à notre forum de soutien en ligne

Si vous avez besoin d'aide pour un produit MOSFET basse tension, veuillez nous contacter et nous serons heureux de vous aider.

 

Emballage et expédition

Emballage et expédition du MOSFET basse tension

Les produits MOSFET basse tension sont emballés et expédiés conformément aux normes suivantes:

  • Le produit doit être enveloppé dans un matériau protecteur tel qu'une mousse, une mousse ou un plastique pour éviter tout dommage.
  • Le produit doit être placé dans une boîte en carton solide ou dans un autre récipient approprié.
  • Le produit doit être clairement étiqueté avec les adresses des expéditeurs et des destinataires, les coordonnées et les informations relatives au produit.
  • Tous les envois doivent être suivis et assurés.
  • Le produit doit être expédié avec toute la documentation nécessaire.
 

FAQ:

Q1:Quel est le nom de marque du MOSFET basse tension?

R1:Le nom de marque du MOSFET basse tension est REASUNOS.

Q2: Où se trouve le lieu d'origine du MOSFET basse tension?

A2:Le lieu d'origine du MOSFET basse tension est le Guangdong, CN.

Q3:Quel est le prix du MOSFET basse tension?

R3:Le prix du MOSFET basse tension est confirmé en fonction du produit.

Q4:Quels sont les détails de l'emballage du MOSFET basse tension?

A4:Les détails de l'emballage du MOSFET basse tension est un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.

Q5:Quels sont les délais de livraison et les modalités de paiement du MOSFET basse tension?

R5:Le délai de livraison du MOSFET basse tension est de 2 à 30 jours (dépend de la quantité totale) et les conditions de paiement sont de 100% T/T à l'avance (EXW).

Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base