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Industrielles Niederspannungs-MOSFET für 5G-Basisstationen

  • Industrial Low Voltage MOSFET Multifunctional For 5G Base Station
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Widerstand Niedriges RDS (AN) Prozess strukturieren Graben/SGT
Vorteile des Grabenverfahrens Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we SGT-Prozessanwendung Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur.
Anwendung im Grabenverfahren Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric SGT-Prozessvorteile Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend.
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Industrielle Niederspannungs-MOSFET

,

Basisstation Niederspannungs-MOSFET

,

Multifunktionale Mosfet Niederspannung
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Trench-Niedrigspannungs-MOSFET mit niedrigen Rds ((ON) und SGT-Prozessvorteilen, die mehr Anwendungen abdecken

Beschreibung des Produkts:

Low Voltage MOSFET ist eine Art Feldwirkungstransistor (FET), der bei niedriger Spannung und niedriger Schwellenspannung arbeitet.geringer LeistungsverlustZu den Anwendungen gehören drahtloses Laden, schnelles Laden, Motorantrieb, Gleichspannungs-/ Gleichspannungswandler, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.Es wird auch in 5G-Basisstationen verwendetNiedrigspannungs-FETs bieten in diesen Anwendungen eine hervorragende Leistung, da sie den Strom bei niedrigen Spannungen fließen lassen.Verringerung des Stromverlustes und Sicherstellung einer hohen EAS-Fähigkeit.

 

Technische Parameter:

Technischer Parameter Beschreibung
Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
Stromverbrauch Niedriger Stromverlust
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Strukturprozess Graben/SGT
Widerstand Niedrige Rds ((ON)
Vorteile des Grabenprozesses Kleinere RSP, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden.
Vorteile des SGT-Verfahrens Durchbruch FOM-Optimierung, mehr Anwendung abdeckt.
Effizienz Hochwirksam und zuverlässig
Grabenprozess Anwendung Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
SGT-Verfahren Anwendung Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
 

Anwendungen:

REASUNOS Low Voltage MOSFET ist ein Niederspannungsfeldwirkungstransistor mit dem Markennamen REASUNOS, der in einer Vielzahl von Anwendungen wie drahtlosem Laden, Schnellladen, Motorantrieb verwendet werden kann,Gleichspannungsumwandler, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.Dies macht es zu einer idealen Wahl für Anwendungen mit niedrigem Stromverbrauch.Das Produkt wird aus dem fortgeschrittenen Grabenverfahren hergestellt, das eine kleinere RSP bietet und es ermöglicht, sowohl Serien- als auch parallele Konfigurationen frei zu kombinieren und zu nutzen.

REASUNOS Niederspannungs-MOSFET stammt aus Guangdong, China und der Preis wird je nach Produkt bestätigt.mit einer Dicke von nicht mehr als 10 mm,. Die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, abhängig von der Gesamtmenge. Die Zahlungsbedingungen sind 100% T/T im Voraus ((EXW) und die Versorgungsfähigkeit beträgt 5KK/Monat.Es verfügt über eine hohe EAS-Fähigkeit und einen geringen Rds ((ON) -Widerstand, was es zu einem hocheffizienten und zuverlässigen Produkt macht.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Wartung von Niederspannungs-MOSFET

Bei XYZ bemühen wir uns, unseren Kunden ein Höchstmaß an technischer Unterstützung und Service für unsere Niederspannungs-MOSFET-Produkte zu bieten.Unser Team von Fachleuten ist bereit, Ihnen bei der Installation zu helfen., Fehlerbehebung und Produktwartung.

Wir unterstützen folgende Niederspannungs-MOSFET-Produkte:

  • MOSFETs für Niederspannung
  • MOSFETs mit niedrigem Spannungs-Logikniveau
  • MOSFETs für Niederspannungsgate-Treiber
  • Niederspannungs-MOSFET-Arrays

Wir bieten auch technische Unterstützung und Beratung zur Optimierung der Leistung unserer Niederspannungs-MOSFET-Produkte an.

Für technische Unterstützung und Service kontaktieren Sie uns bitte unter [E-Mail-Adresse] oder anrufen Sie uns unter [Telefonnummer].

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Niederspannungs-MOSFET:

  • Das Produkt ist in einem statisch gesicherten Behälter verpackt.
  • Das Niederspannungs-MOSFET ist sicher in antistatischen Beuteln verpackt.
  • Das Produkt wird in einem antistatischen Behälter transportiert.
  • Das Produkt wird mit entsprechender Versanddokumentation geliefert.
  • Das Produkt wird in Übereinstimmung mit allen geltenden internationalen Versandvorschriften versendet.
 

Häufige Fragen:

F1: Wie lautet der Markenname des Niederspannungs-MOSFET?
A1: Der Markenname des Niederspannungs-MOSFET ist REASUNOS.
F2: Wo wird das Niederspannungs-MOSFET hergestellt?
A2: Das Niederspannungs-MOSFET wird in Guangdong, China, hergestellt.
F3: Wie viel kostet das Niederspannungs-MOSFET?
A3: Der Preis des Niederspannungs-MOSFET wird auf der Grundlage des Produkts bestätigt.
F4: Wie ist das Niederspannungs-MOSFET verpackt?
A4: Das Niederspannungs-MOSFET ist mit staub-, wasser- und antistatischen Rohrverpackungen verpackt und in Kartons in einem Karton verpackt.
F5: Wie lange dauert die Lieferung des Niederspannungs-MOSFET?
A5: Die Lieferzeit des Niederspannungs-MOSFET hängt von der Gesamtmenge ab.
Umbauten:

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle

Stabil Low Power P-Kanal Mosfet

Basisstation Niederspannungs-MOSFET