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MOSFET industriel à basse tension multifonctionnel pour la station de base 5G

  • Industrial Low Voltage MOSFET Multifunctional For 5G Base Station
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Consommation d'électricité Perte de puissance faible Capacité EAS Capacité EAS élevée
Résistance Le bas RDS (DESSUS) Processus de structuration Tranchée/SGT
Avantages du procédé de tranchée Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé Application de processus de SGT Conducteur de moteur, station de la base 5G, stockage de l'énergie, commutateur à haute fréquence, r
Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen Avantages de processus de SGT Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application.
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MOSFET industriel à basse tension

,

MOSFET basse tension de la station de base

,

Mosfet multifonctionnel basse tension
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

MOSFET à basse tension en tranchée avec des avantages de processus bas Rds ((ON) et SGT couvrant plus d'applications

Description du produit:

Le MOSFET basse tension est un type de transistor à effet de champ (FET) qui fonctionne à basse tension et a une tension de seuil faible.faible perte de puissanceSes applications comprennent la recharge sans fil, la recharge rapide, le pilote de moteur, le convertisseur CC/DC, le commutateur haute fréquence et la rectification synchrone.Il est également utilisé dans les stations de base 5GLes FET à basse tension offrent d'excellentes performances dans ces applications en permettant au courant de circuler à basse tension,réduire les pertes de puissance et assurer une capacité EAS élevée.

 

Paramètres techniques:

Paramètre technique Définition
Nom du produit MOSFET à basse tension
Consommation d'électricité Faible perte de puissance
Capacité du système EAS Capacité EAS élevée
Processus de la structure Traînée/SGT
Résistance Rds bas ((ON)
Les avantages du procédé des tranchées Les RSP plus petits, à la fois en série et en parallèle, peuvent être librement combinés et utilisés.
Les avantages du procédé SGT Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'application.
Efficacité Très efficace et fiable
Application du procédé des tranchées Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Procédure SGT Application Conducteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
 

Applications:

REASUNOS Low Voltage MOSFET est un transistor à effet de champ à basse tension avec une marque REASUNOS qui peut être utilisé dans une variété d'applications telles que la charge sans fil, la charge rapide, le pilote de moteur,Il est caractérisé par sa faible tension de sortie, sa faible résistance Rds ((ON) et sa faible perte de puissance.ce qui en fait un choix idéal pour les applications à faible consommationLe produit est fabriqué à partir du procédé avancé de tranchée qui fournit un RSP plus petit et permet de combiner et d'utiliser librement les configurations en série et en parallèle.

Le MOSFET basse tension REASUNOS est originaire du Guangdong, en Chine et le prix est confirmé en fonction du produit.qui est placé dans une boîte en carton dans des cartons. Le délai de livraison est de 2 à 30 jours selon la quantité totale. Les conditions de paiement sont 100% T/T à l'avance ((EXW) et la capacité d'approvisionnement est de 5KK/mois.Il a une capacité EAS élevée et une faible résistance Rds ((ON), ce qui en fait un produit très efficace et fiable.

 

Assistance et services:

Assistance technique et service des MOSFET basse tension

Chez XYZ, nous nous efforçons de fournir à nos clients le plus haut niveau de support technique et de service pour nos produits MOSFET basse tension.Notre équipe de professionnels est disponible pour vous aider à l'installation, dépannage et maintenance du produit.

Nous fournissons un support pour les produits MOSFET basse tension suivants:

  • MOSFETs à basse tension
  • MOSFETs de niveau logique basse tension
  • MOSFETs pour conducteurs de porte basse tension
  • Arrays de MOSFET à basse tension

Nous offrons également une assistance technique et des conseils sur la façon d'optimiser les performances de nos produits MOSFET basse tension.

Pour obtenir une assistance technique et un service, veuillez nous contacter à l'adresse suivante: [adresse électronique] ou nous appeler au [numéro de téléphone].

 

Emballage et expédition

Emballage et expédition du MOSFET basse tension:

  • Le produit est emballé dans un récipient à sécurité statique.
  • Le MOSFET basse tension est emballé en toute sécurité dans des sacs antistatiques.
  • Le produit est transporté dans un conteneur antistatique.
  • Le produit est expédié avec la documentation d'expédition appropriée.
  • Le produit est expédié conformément à toutes les réglementations internationales applicables en matière de transport maritime.
 

FAQ:

Q1: Quel est le nom de marque du MOSFET basse tension?
R1: La marque du MOSFET basse tension est REASUNOS.
Q2: Où le MOSFET basse tension est-il produit?
R2: Le MOSFET basse tension est produit à Guangdong, en Chine.
Q3: Combien coûte le MOSFET basse tension?
R3: Le prix du MOSFET basse tension est confirmé en fonction du produit.
Q4: Comment le MOSFET basse tension est-il emballé?
A4: Le MOSFET basse tension est emballé avec un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.
Q5: Combien de temps faut-il pour que le MOSFET basse tension soit livré?
R5: Le délai de livraison du MOSFET basse tension dépend de la quantité totale.
Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base