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産業用低電圧MOSFET 5Gベースステーションのための多機能

  • Industrial Low Voltage MOSFET Multifunctional For 5G Base Station
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
電力消費量 低い電力の損失 EAS機能 高い EAS 機能
抵抗 低いRDS （） 構造プロセス トレンチ/SGT
トレンチプロセスの利点 より小型のRSP、直列・並列構成を自由に組み合わせて活用できます。 SGTのプロセス適用 モーター運転者、5G基地局、エネルギー蓄積、高周波スイッチ、同期改正。
トレンチプロセスの適用 ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。 SGTのプロセス利点 より多くの適用をカバーする進歩FOMの最適化。
ハイライト

産業用低電圧MOSFET

,

ベースステーション低電圧MOSFET

,

多機能モスフェット 低電圧
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
製品の説明

低Rds ((ON) とSGTプロセスの優位性により多くのアプリケーションをカバーするTrench低電圧MOSFET

製品説明:

低電圧MOSFETは,低電圧で動作し,低しきい電圧を有するフィールド効果トランジスタ (FET) の1種類である.低Rds ((ON) 抵抗性により,さまざまなアプリケーションで広く使用されている.低電力損失ワイヤレス充電,高速充電,モータードライバ,DC/DCコンバーター,高周波スイッチ,同期直線など.5Gベースステーションにも使われています低電圧のFETは,低電圧で電流を流れさせることで,これらのアプリケーションで優れた性能を提供します.電力損失を削減し,高いEAS能力を確保する.

 

技術パラメータ:

技術パラメータ 記述
製品名 低電圧MOSFET
電力消費量 低電力損失
EAS能力 高いEAS能力
構造プロセス トレンチ/SGT
抵抗力 低Rds ((ON)
トレンチプロセスの利点 小型のRSPでは,連続型と並行型の両方が自由に組み合わせて利用できます.
SGT プロセスの利点 突破的なFOM最適化により多くのアプリケーションをカバーします
効率性 高効率 で 信頼 できる
トレンチプロセス 適用 ワイヤレス充電 急速充電 モータードライバー DC/DC変換 高周波スイッチ シンクロノス修正
SGT プロセス 適用 モータードライバー,5Gベースステーション エネルギー貯蔵 高周波スイッチ 同期修正
 

応用:

REASUNOS低電圧MOSFETは,ワイヤレス充電,高速充電,モータードライバーなどのさまざまなアプリケーションで使用できる,REASUNOSのブランド名を持つ低電圧フィールド効果トランジスタです.,DC/DCコンバーター,高周波スイッチ,同期直線. 低ゲート電圧,低Rds ((ON) 抵抗,低電力損失,低電力アプリケーションに理想的な選択になりますこの製品は,より小さなRSPを提供し,シリーズと並列の構成の両方を自由に組み合わせ,利用できるようにする先進的なトレンチプロセスから生産されます.

REASUNOS低電圧MOSFETは中国広東出身で 価格は製品によって確認されます. そのパッケージは防塵,防水,反静的管状のパッケージです.カートン箱の中に入れる配送時間は,総量に応じて2~30日です. 支払い条件は100%T/T Advance (EXW) で,供給能力は5KK/月です.高いEAS能力と低いRds ((ON) 抵抗性がある高効率で信頼性の高い製品です

 

サポートとサービス

低電圧MOSFETの技術サポートとサービス

XYZでは 低電圧MOSFET製品に対して 最高レベルの技術サポートとサービスを 顧客に提供しようと努めています私たちの専門家のチームは,設置の支援を提供することができます,トラブルシューティング,および製品のメンテナンス

我々は,以下の低電圧MOSFET製品にサポートを提供しています:

  • 低電圧電源MOSFET
  • 低電圧論理レベルMOSFET
  • 低電圧ゲートドライバー MOSFET
  • 低電圧MOSFET配列

また,低電圧MOSFET製品の性能を最適化する方法について 技術的な支援と助言も提供しています.

技術サポートとサービスについては, [メールアドレス] に連絡してください.

 

梱包と輸送:

低電圧MOSFETの梱包と輸送:

  • 製品が静的安全容器に包装されています.
  • 低電圧MOSFETは 安定した防静電袋に詰められています
  • 製品は,静止性のない容器で輸送されます.
  • 商品は,適切な輸送書類とともに出荷されます.
  • 商品は,適用されるすべての国際輸送規則に従って送られます.
 

FAQ:

Q1:低電圧MOSFETのブランド名は何ですか?
A1:低電圧MOSFETのブランド名は REASUNOSです
Q2:低電圧MOSFETはどこで作られていますか?
A2:Low Voltage MOSFETは中国の広東で製造されています
Q3:低電圧MOSFETのコストは?
A3:低電圧MOSFETの価格は製品によって確認されます.
Q4:低電圧MOSFETのパッケージは?
A4: 低電圧MOSFETは,防塵,防水,反静的管状のパッケージで梱包され,紙箱に詰められています.
Q5:低電圧MOSFETの配送にはどれくらい時間がかかりますか?
A5:低電圧MOSFETの配達時間は総量に依存します.一般的に2-30日かかります.
札:

Nチャネル モスフェット 低スローレッジ電圧

安定低電源Pチャネルモスフェット

ベースステーション低電圧MOSFET