MOSFET a bassa tensione industriale multifunzionale per stazioni base 5G

Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
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Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
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Dettagli
Consumo di energia Perdita di potere basso Funzionalità EAS Elevata capacità EAS
Resistenza RDS basso (SOPRA) Processo di struttura Trincea/SGT
Vantaggi del processo di trincea RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili Applicazione trattata di SGT Driver del motore, 5G stazione base, immagazzinamento dell'energia, commutatore ad alta frequenza, r
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz Vantaggi trattati di SGT Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione.
Evidenziare

MOSFET a bassa tensione industriale

,

MOSFET a bassa tensione della stazione base

,

Mosfet multifunzione a bassa tensione

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

MOSFET a bassa tensione a trincea con basso Rds ((ON) e vantaggi del processo SGT che coprono più applicazioni

Descrizione del prodotto:

Il MOSFET a bassa tensione è un tipo di transistor ad effetto campo (FET) che opera a bassa tensione e ha una bassa tensione di soglia.bassa perdita di potenzaLe sue applicazioni includono la ricarica wireless, la ricarica rapida, il driver del motore, il convertitore DC/DC, l'interruttore ad alta frequenza e la rettifica sincrona.Viene utilizzato anche nelle stazioni base 5GI FET a bassa tensione forniscono prestazioni eccellenti in queste applicazioni consentendo al flusso di corrente a basse tensioni,ridurre le perdite di potenza e garantire un'elevata capacità EAS.

 

Parametri tecnici:

Parametro tecnico Descrizione
Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
Consumo di energia Basse perdite di potenza
Capacità EAS Capacità elevata di EAS
Processo di struttura Fossa/SGT
Resistenza Basso Rds ((ON)
Processo di trincea Vantaggi RSP più piccole, sia le configurazioni in serie che parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate.
Processo SGT Vantaggi Ottimizzazione FOM rivoluzionaria, che copre più applicazioni.
Efficienza Alta efficienza e affidabilità
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona.
Processo SGT Applicazione Motor Driver, Stazione base 5G, Immagazzinamento di energia, Interruttore ad alta frequenza, Rettifica sincrona.
 

Applicazioni:

REASUNOS Low Voltage MOSFET è un transistor a effetto campo a bassa tensione con il marchio REASUNOS che può essere utilizzato in una varietà di applicazioni come la ricarica wireless, la ricarica rapida, il driver del motore,Convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza e rettificazione sincrona.che lo rende una scelta ideale per applicazioni a bassa potenzaIl prodotto è prodotto a partire dal processo avanzato di trincea che fornisce un RSP più piccolo e consente di combinare e utilizzare liberamente sia le configurazioni in serie che quelle parallele.

REASUNOS Low Voltage MOSFET è originario del Guangdong, Cina e il prezzo è confermato in base al prodotto.che è collocato all'interno di una scatola di cartone in cartone. Il tempo di consegna è di 2-30 giorni a seconda della quantità totale. I termini di pagamento sono 100% T / T in anticipo ((EXW) e la capacità di fornitura è di 5KK / mese.Dispone di elevate capacità EAS e di una bassa resistenza Rds ((ON), il che lo rende un prodotto altamente efficiente e affidabile.

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizio di MOSFET a bassa tensione

In XYZ, ci sforziamo di fornire ai nostri clienti il più alto livello di supporto tecnico e servizio per i nostri prodotti MOSFET a bassa tensione.Il nostro team di professionisti è disponibile per offrire assistenza con l'installazione, risoluzione dei problemi e manutenzione del prodotto.

Forniamo supporto per i seguenti prodotti MOSFET a bassa tensione:

  • MOSFET di potenza a bassa tensione
  • MOSFET a basso livello di tensione logica
  • MOSFET a basso voltaggio
  • Array di MOSFET a bassa tensione

Offriamo anche assistenza tecnica e consulenza su come ottimizzare le prestazioni dei nostri prodotti MOSFET a bassa tensione.

Per il supporto tecnico e il servizio, si prega di contattarci all'indirizzo [indirizzo e-mail] o di chiamarci all'indirizzo [numero di telefono].

 

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio e spedizione del MOSFET a bassa tensione:

  • Il prodotto è confezionato in un contenitore anti-statico.
  • Il MOSFET a bassa tensione è confezionato in sacchetti antistatici.
  • Il prodotto è trasportato in un contenitore antistatico.
  • Il prodotto è spedito con la documentazione di spedizione appropriata.
  • Il prodotto è spedito in conformità a tutte le norme internazionali applicabili.
 

FAQ:

Q1: Qual è il marchio del MOSFET a bassa tensione?
R1: Il marchio del MOSFET a bassa tensione è REASUNOS.
D2: Dove viene prodotto il MOSFET a bassa tensione?
R2: Il MOSFET a bassa tensione è prodotto nel Guangdong, in Cina.
Q3: Quanto costa il MOSFET a bassa tensione?
R3: Il prezzo del MOSFET a bassa tensione è confermato in base al prodotto.
Q4: Come viene confezionato il MOSFET a bassa tensione?
A4: Il MOSFET a bassa tensione è confezionato con un imballaggio tubulare antipolvere, impermeabile e antistatico, collocato all'interno di una scatola di cartone in cartone.
Q5: Quanto tempo ci vorrà per la consegna del MOSFET a bassa tensione?
R5: Il tempo di consegna del MOSFET a bassa tensione dipende dalla quantità totale.