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산업용 저전압 MOSFET 다기능 5G 기지국

  • Industrial Low Voltage MOSFET Multifunctional For 5G Base Station
원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
지불 조건 사전에 100% T/T(EXW)
공급 능력 5KK/월

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제품 상세 정보
소비 전력 낮은 전력 손실 EAS 기능 높은 EAS 기능
저항 낮은 RDS(ON) 구조 프로세스 트렌치/SGT
트렌치 공정의 장점 더 작은 RSP, 직렬 및 병렬 구성 모두 자유롭게 결합하고 활용할 수 있습니다. SGT 프로세스 적용 모터 드라이버, 5G 기지국, 에너지 저장, 고주파 스위치, 동기 정류.
트렌치 공정 적용 무선 충전, 고속 충전, 모터 드라이버, DC/DC 컨버터, 고주파 스위치, 동기 정류. SGT 프로세스의 장점 획기적인 FOM 최적화로 더 많은 애플리케이션을 포괄합니다.
강조하다

산업용 저전압 MOSFET

,

기본 스테이션 저전압 MOSFET

,

다기능 모스페트 저전압
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
제품 설명

낮은 Rds ((ON) 와 SGT 프로세스 장점을 가진 트렌치 저전압 MOSFET 더 많은 응용 프로그램을 커버합니다.

제품 설명:

저전압 MOSFET (Low Voltage MOSFET) 는 낮은 전압에서 작동하고 낮은 임계 전압을 가진 현장 효과 트랜지스터 (FET) 의 일종이다. 낮은 Rds ((ON) 저항성으로 인해 다양한 응용 분야에서 널리 사용됩니다.낮은 전력 손실, 그리고 높은 EAS 기능. 그것의 응용 프로그램은 무선 충전, 빠른 충전, 모터 드라이버, DC / DC 변환기, 고 주파수 스위치 및 동기 교정 포함됩니다.또한 5G 기지 스테이션에도 사용됩니다., 에너지 저장 및 고 주파수 스위치. 낮은 전압 FET는 낮은 전압에서 전류를 흐르게 함으로써 이러한 응용 분야에서 우수한 성능을 제공합니다.전력 손실을 줄이고 높은 EAS 능력을 보장합니다..

 

기술 매개 변수:

기술 매개 변수 설명
제품 이름 저전압 MOSFET
전력 소비 낮은 전력 손실
EAS 능력 높은 EAS 능력
구조 과정 트렌치/SGT
저항력 낮은 Rds ((ON)
트렌치 프로세스 장점 더 작은 RSP, 시리즈 및 병렬 구성 모두 자유롭게 결합 및 활용 할 수 있습니다.
SGT 공정 장점 돌파구 FOM 최적화, 더 많은 응용 프로그램을 커버.
효율성 높은 효율성 과 신뢰성
트렌치 프로세스 적용 무선 충전, 빠른 충전, 모터 드라이버, DC/DC 변환기, 고주파 스위치, 동기 교정
SGT 프로세스 적용 모터 드라이버, 5G 베이스 스테이션, 에너지 저장, 고주파 스위치, 동기 교정
 

응용 프로그램:

REASUNOS 저전압 MOSFET는 무선 충전, 빠른 충전, 모터 드라이버와 같은 다양한 응용 분야에서 사용할 수있는 REASUNOS의 브랜드 이름으로 낮은 전압 필드 효과 트랜지스터입니다.,DC/DC 변환기, 고주파 스위치 및 동기 교정. 낮은 게이트 전압, 낮은 Rds ((ON) 저항 및 낮은 전력 손실,이는 저전력 애플리케이션에 이상적인 선택이이 제품은 더 작은 RSP를 제공하는 고급 트렌치 프로세스에서 생산되며 시리즈 및 병렬 구성 모두 자유롭게 결합 및 활용 할 수 있습니다.

REASUNOS 저전압 MOSFET는 중국 광둥에서 유래했으며 가격은 제품에 따라 확인됩니다. 포장지는 먼지, 방수, 반 정적 튜브형 포장지입니다.용액이 적당히 적당히 적당히 적당히배달 시간은 전체 양에 따라 2-30일입니다. 지불 조건은 100% T/T Advance (EXW) 이며 공급 능력은 5KK / 달입니다.높은 EAS 능력과 낮은 Rds ((ON) 저항을 가지고 있습니다., 이것은 매우 효율적이고 신뢰할 수 있는 제품입니다.

 

지원 및 서비스:

저전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스

XYZ에서는, 우리는 우리의 저전압 MOSFET 제품에 대한 최고 수준의 기술 지원과 서비스를 고객에게 제공하기 위해 노력합니다.우리의 전문가 팀은 설치에 도움을 제공 할 수 있습니다, 문제 해결 및 제품 유지보수

우리는 다음과 같은 저전압 MOSFET 제품에 대한 지원을 제공합니다:

  • 저전압 전력 MOSFET
  • 저전압 논리 레벨 MOSFET
  • 저전압 게이트 드라이버 MOSFET
  • 저전압 MOSFET 배열

우리는 또한 우리의 저전압 MOSFET 제품의 성능을 최적화하는 방법에 대한 기술 지원과 조언을 제공합니다.

기술 지원 및 서비스를 위해 [email address] 또는 [전화 번호]로 연락하십시오.

 

포장 및 운송:

저전압 MOSFET의 포장 및 운송:

  • 이 제품은 정적 안전 용기에 포장됩니다.
  • 저전압 MOSFET는 안티 정적 봉지에 안전하게 포장되어 있습니다.
  • 이 제품은 반 정적 컨테이너에서 운송됩니다.
  • 제품은 적절한 운송 문서와 함께 배송됩니다.
  • 이 제품은 모든 국제 운송 규정에 따라 배송됩니다.
 

FAQ:

Q1: 저전압 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?
A1: 저전압 MOSFET의 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.
Q2: 저전압 MOSFET는 어디서 생산되는가?
A2: 저전압 MOSFET는 중국 광둥에서 생산됩니다.
Q3: 저전압 MOSFET의 가격은 얼마인가요?
A3: 저전압 MOSFET의 가격은 제품에 따라 확인됩니다.
Q4: 저전압 MOSFET는 어떻게 포장됩니까?
A4: 저전압 MOSFET는 먼지, 방수 및 반 정적 튜브형 포장으로 포장되어 있으며, 카튼 상자 안에 배치됩니다.
Q5: 저전압 MOSFET의 배달은 얼마나 걸릴까요?
A5: 낮은 전압 MOSFET의 배송 시간은 전체 양에 달려 있습니다. 일반적으로 2 ~ 30 일입니다.
꼬리표:

N 채널 모스페트 낮은 문장 전압

안정적인 저전력 P 채널 모스페트

기본 스테이션 저전압 MOSFET