ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
ชื่อผู้ติดต่อ : Anita Yin
หมายเลขโทรศัพท์ : +86 13712219843
วอทส์แอพพ์ : +8613712219843

MOSFET กระแสไฟฟ้าต่ําอุตสาหกรรม มีหลายฟังก์ชันสําหรับสถานีฐาน 5G

  • Industrial Low Voltage MOSFET Multifunctional For 5G Base Station
สถานที่กำเนิด กวางตุ้ง CN
ชื่อแบรนด์ REASUNOS
ราคา Confirm price based on product
รายละเอียดการบรรจุ บรรจุภัณฑ์แบบท่อกันฝุ่น กันน้ำ และป้องกันไฟฟ้าสถิต วางอยู่ภายในกล่องกระดาษแข็งในกล่องกระดาษแข็ง
เวลาการส่งมอบ 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณรวม)
เงื่อนไขการชำระเงิน 100% T/T ล่วงหน้า (EXW)
สามารถในการผลิต 5KK/เดือน

ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี

วอทส์แอพพ์:0086 18588475571

วีแชท: 0086 18588475571

สไกป์: sales10@aixton.com

หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง

x
รายละเอียดสินค้า
การใช้พลังงาน การสูญเสียพลังงานต่ำ ความสามารถของ EAS ความสามารถ EAS สูง
ความต้านทาน ถนนต่ำ(ON) กระบวนการโครงสร้าง ร่องลึก/SGT
ข้อดีของกระบวนการร่องลึก RSP ที่เล็กกว่า ทั้งซีรีส์และการกำหนดค่าแบบขนานสามารถรวมและใช้งานได้อย่างอิสระ การสมัครกระบวนการ SGT ตัวขับมอเตอร์, สถานีฐาน 5G, การจัดเก็บพลังงาน, สวิตช์ความถี่สูง, การแก้ไขแบบซิงโครนัส
การประยุกต์ใช้กระบวนการร่องลึก การชาร์จแบบไร้สาย, การชาร์จอย่างรวดเร็ว, ไดรเวอร์มอเตอร์, ตัวแปลง DC/DC, สวิตช์ความถี่สูง, การแก้ไขแ ข้อดีของกระบวนการ SGT การเพิ่มประสิทธิภาพ FOM ที่ก้าวล้ำ ครอบคลุมการใช้งานมากขึ้น
เน้น

MOSFET ความดันต่ําอุตสาหกรรม

,

สถานีฐาน MOSFET ความดันต่ํา

,

โมสเฟตหลายฟังก์ชัน ความดันต่ํา
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
ฝากข้อความ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
รายละเอียดสินค้า

MOSFET กระแสความดันต่ํากับ Rds ((ON) ต่ําและข้อดีของกระบวนการ SGT ครอบคลุมการใช้งานมากขึ้น

คําอธิบายสินค้า:

มอสเฟตความดันต่ํา (Low Voltage MOSFET) เป็นชนิดของทรานซิสเตอร์ที่มีผลสนาม (FET) ที่ทํางานในความดันต่ํา และมีความดันขั้นต่ําต่ํา. มันถูกใช้อย่างแพร่หลายในแอพลิเคชั่นต่างๆ เนื่องจากความต้านทาน Rds ((ON) ที่ต่ําการสูญเสียพลังงานต่ํา, และความสามารถ EAS ที่สูง การใช้งานของมันรวมถึงการชาร์จไร้สาย, การชาร์จเร็ว, คนขับมอเตอร์, เครื่องแปลง DC / DC, เครื่องสวิทช์ความถี่สูง, และการแก้ไขร่วมกันมันยังใช้ในสถานีฐาน 5G, การเก็บพลังงาน, และสวิทช์ความถี่สูง FET ความดันต่ํา ให้ผลงานที่ดีเยี่ยมในแอพลิเคชั่นเหล่านี้โดยการอนุญาตให้กระแสไฟฟ้าไหลในความดันต่ําลดการสูญเสียพลังงานและรับประกันความสามารถ EAS ที่สูง.

 

ปริมาตรเทคนิค:

ปริมาตรเทคนิค คําอธิบาย
ชื่อสินค้า MOSFET ความดันต่ํา
การบริโภคพลังงาน การสูญเสียพลังงานต่ํา
ความสามารถ EAS ความสามารถ EAS ที่สูง
กระบวนการโครงสร้าง กรุงเทพมหานคร
ความต้านทาน Rdsต่ํา ((ON)
ขั้นตอนขัง ข้อดี RSP ขนาดเล็กๆ สามารถรวมและใช้ได้อย่างอิสระ ทั้งแบบชุดและแบบปานกลาง
ขั้นตอน SGT ข้อดี การปรับปรุง FOM ที่เจริญเจริญ ครอบคลุมการใช้งานมากขึ้น
ประสิทธิภาพ มี ประสิทธิภาพ และ น่า เชื่อถือ
กระบวนการขัง การใช้ การชาร์จไร้สาย, การชาร์จรวดเร็ว, คนขับมอเตอร์, เครื่องแปลง DC/DC, เครื่องสวิทช์ความถี่สูง, การแก้ไขแบบสมอง
กระบวนการ SGT มอเตอร์ไดรเวอร์ สถานีฐาน 5G การเก็บพลังงาน การสลับความถี่สูง การแก้ไขร่วมกัน
 

การใช้งาน:

REASUNOS Low Voltage MOSFET เป็นทรานซิสเตอร์ที่มีผลสนามความดันต่ําที่มีชื่อแบรนด์ของ REASUNOS ที่สามารถใช้ได้ในหลากหลายการใช้งาน เช่น การชาร์จไร้สาย, การชาร์จเร็ว, คนขับมอเตอร์,เครื่องแปลง DC/DC, สวิตช์ความถี่สูง, และการปรับปรุงซินครอนซึ่งทําให้มันเป็นตัวเลือกที่เหมาะสมสําหรับการใช้งานพลังงานต่ําผลิตภัณฑ์นี้ถูกผลิตจากกระบวนการขังที่พัฒนาขึ้นที่ให้ RSP ที่เล็กกว่าและอนุญาตให้การประกอบทั้งชุดและปานกลางสามารถรวมและใช้ได้อย่างอิสระ

REASUNOS Low Voltage MOSFET มีต้นกําเนิดจากกรุงเทพมหานคร, จีน และราคาถูกยืนยันขึ้นอยู่กับผลิตภัณฑ์ที่วางอยู่ในกล่องกระดาษกล่องในกล่อง. เวลาในการจัดส่งคือ 2-30 วันขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด. เงื่อนไขการชําระเงินคือ 100% T / T ในล่วงหน้า ((EXW) และความสามารถในการจัดส่งคือ 5KK / เดือนมีความสามารถ EAS ที่สูงและความต้านทาน Rds ((ON) ที่ต่ําซึ่งทําให้มันเป็นผลิตภัณฑ์ที่มีประสิทธิภาพสูงและน่าเชื่อถือ

 

การสนับสนุนและบริการ:

การสนับสนุนและบริการด้านเทคนิค MOSFET ความดันต่ํา

ที่ XYZ เราพยายามที่จะให้ลูกค้าของเรา มีการสนับสนุนทางเทคนิคและบริการที่สูงที่สุด สําหรับผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันต่ําของเราทีมงานผู้เชี่ยวชาญของเราพร้อมที่จะให้ความช่วยเหลือในการติดตั้งการแก้ไขปัญหา และการบํารุงรักษาสินค้า

เราให้การสนับสนุนสําหรับผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันต่ําต่อไปนี้:

  • MOSFETs พลังงานความดันต่ํา
  • MOSFETs ระดับโลจิกความดันต่ํา
  • MOSFETs ไดรเวอร์ประตูความดันต่ํา
  • แอเรย์ MOSFET ความดันต่ํา

เรายังให้ความช่วยเหลือทางเทคนิคและคําปรึกษาเกี่ยวกับวิธีการปรับปรุงผลงานของผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันต่ํา

สําหรับการสนับสนุนและบริการทางเทคนิค กรุณาติดต่อเราที่ [ที่อยู่อีเมล] หรือโทรหาเราที่ [เบอร์โทรศัพท์]

 

การบรรจุและการขนส่ง

การบรรจุและการจัดส่ง MOSFET ความดันต่ํา:

  • ผลิตภัณฑ์ถูกบรรจุในถังที่ปลอดภัยจากสแตติก
  • MOSFET ความดันต่ําถูกบรรจุไว้อย่างปลอดภัยในถุงกันสแตตติก
  • ผลิตภัณฑ์จะถูกขนส่งในถังกันสแตตติก
  • ผลิตภัณฑ์ถูกส่งพร้อมกับเอกสารการส่งที่เหมาะสม
  • ผลิตภัณฑ์ถูกส่งไปตามกฎหมายการขนส่งระหว่างประเทศที่ใช้
 

FAQ:

Q1: ชื่อแบรนด์ของ MOSFET ความดันต่ําคืออะไร?
A1: ชื่อแบรนด์ของ MOSFET ความดันต่ําคือ REASUNOS
Q2: MOSFET ความดันต่ําถูกผลิตที่ไหน?
A2: MOSFET ความดันต่ําถูกผลิตในกวนดง ประเทศจีน
Q3: MOSFET ความดันต่ํามีราคาเท่าไหร่?
A3: ราคาของ MOSFET ความดันต่ําถูกยืนยันขึ้นอยู่กับสินค้า
Q4: MOSFET ความดันต่ําถูกบรรจุอย่างไร?
A4: MOSFET ความดันต่ําถูกบรรจุด้วยบรรจุท่อที่กันฝุ่น กันน้ํา และกันสแตติก ใส่ในกล่องกระดาษกล่อง
Q5: จะใช้เวลานานแค่ไหนในการจัดส่ง MOSFET ความดันต่ํา?
A5: ระยะเวลาในการจัดส่งของ MOSFET ความดันต่ําขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด โดยทั่วไปมันใช้เวลา 2-30 วัน
แท็ก:

N Channel Mosfet ความดันขั้นต่ําต่ํา

โมสเฟตช่อง P ที่มั่นคงพลังงานต่ํา

สถานีฐาน MOSFET ความดันต่ํา

แนะนำผลิตภัณฑ์