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Schalter praktischer Mosfet Niedrigstrom, Multifunktionaler Niederspannungstransistor

  • Switch Practical Mosfet Low Power , Multifunctional Low Voltage Transistor
Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Anwendung im Grabenverfahren Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric Widerstand Niedriges RDS (AN)
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit SGT-Prozessvorteile Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend.
Stromverbrauch Leistungsabfall der geringen Energie Effizienz Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit
Vorteile des Grabenverfahrens Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we Prozess strukturieren Graben/SGT
Hervorheben

Schalten Sie die Mosfet-Low-Power-Schaltfläche

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Praktische Mosfet-Leistung

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Multifunktionaler Niederspannungstransistor
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Produkt-Beschreibung

Niedrige Rds ((ON) Trench/SGT MOSFET mit hoher EAS-Kapazität

Beschreibung des Produkts:

Ein Niederspannungs-MOSFET ist eine Art Leistungstransistor, ein Halbleitergerät, das zur Steuerung von Hochspannung und Leistung verwendet wird.Es ist für den Betrieb bei niedriger Spannung ausgelegt und bietet eine Vielzahl von Funktionen und Vorteilen. Das Niederspannungs-MOSFET basiert auf dem Trench- und SGT-Strukturprozess, der eine bahnbrechende FOM-Optimierung mit hoher EAS-Fähigkeit bietet.wie Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung, so dass dieses Produkt eine ideale Wahl für Stromverwaltung und -steuerung ist.Das Niederspannungs-MOSFET ist eine gute Wahl für Leistungselektronik-Anwendungen, die eine niedrige Torspannung erfordern, Niederspannungs-MOSFET und hohe EAS-Fähigkeit.

 

Technische Parameter:

Produktbezeichnung Niederspannungs-MOSFET
Vorteile des SGT-Verfahrens Durchbruch FOM-Optimierung, mehr Anwendung abdeckt.
Stromverbrauch Niedriger Stromverlust
Anwendung des SGT-Verfahrens Motorfahrer, 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
Strukturprozess Graben/SGT
Effizienz Hochwirksam und zuverlässig
Anwendung des Gräbenprozesses Wireless Charging, Fast Charging, Motor-Treiber, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Hochfrequenzschalter, synchrone Berichtigung.
Vorteile des Schützengrabenprozesses Kleinere RSP, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt werden.
EAS-Fähigkeit Hohe EAS-Fähigkeit
Widerstand Niedrige Rds ((ON)
MOSFET mit niedrigem VGS MOSFET mit niedriger Schwellenspannung
 

Anwendungen:

REASUNOS führt einen neuen Durchbruch bei Niederspannungstransistoren ein.Der neue Niederspannungs-Mosfet ist so konzipiert, daß er in einer Vielzahl von Anwendungen wie z. B. für Motorfahrer ein hohes Maß an Effizienz und Zuverlässigkeit bietet., 5G-Basisstation, Energiespeicher, Hochfrequenzschalter und synchrone Berichtigung.Es bietet eine hohe EAS-Fähigkeit, um eine überlegene Leistung mit seiner bahnbrechenden FOM-Optimierung zu gewährleisten und mehr Anwendungen abdecktDas Niederspannungs-Mosfet mit seinen Niederspannungs-Leistungs-Mosfet-Funktionen wird mit einer staub-, wasserdichten und antistatischen Rohrverpackung geliefert und in einer Kartonschachtel in Kartons gepackt.Es hat einen sehr wettbewerbsfähigen Preis und eine garantierte Lieferung von 5KK/Monat.Mit einer Zahlungsfrist von 100% T/T im Voraus (EXW) und einer Lieferzeit von 2-30 Tagen ist es für alle Nutzer ein großartiges Angebot.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Dienstleistungen für Niederspannungs-MOSFET

Im Mittelpunkt unserer Produkte steht unser Engagement für qualitativ hochwertige technische Unterstützung und Dienstleistungen für unsere Kunden.Unser Team aus hochqualifizierten und erfahrenen Fachleuten ist bestrebt, den Kunden die bestmögliche Erfahrung zu bieten..

Wir bieten eine Vielzahl von technischen Supportleistungen für Niederspannungs-MOSFET-Produkte an, darunter:

  • Installation und Konfiguration des Produkts
  • Fehlerbehebung und Diagnose
  • Reparatur- und Wartungsarbeiten
  • Software- und Firmware-Upgrades
  • Datenwiederherstellungs- und Sicherungslösungen

Wir bieten unseren Kunden rund um die Uhr technischen Support und sind jederzeit bereit, Fragen oder Bedenken zu beantworten.Unser Ziel ist es, sicherzustellen, dass unsere Kunden mit ihrem Kauf zufrieden sind und das Beste aus ihrem Produkt herausholen..

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Niederspannungs-MOSFET:

Unsere Niederspannungs-MOSFETs werden sicher verpackt und in antistatischer Verpackung versandt.Alle Verpackungen sind mit Produktnamen und Artikelnummer gekennzeichnet, sodass sie bei der Ankunft leicht identifiziert werden können.Unsere Pakete werden über UPS, FedEx oder andere zuverlässige Spediteure versendet und kommen innerhalb von 5-7 Werktagen an.

 

Häufige Fragen:

F1. Wie heißt das Markenzeichen von Niederspannungs-MOSFET?

A1.Der Markenname von Niederspannungs-MOSFET ist REASUNOS.

F2: Wo liegt der Ursprungsort?

A2.Der Ursprungsort ist Guangdong, CN.

F3. Welcher Preis steht für das Produkt?

A3.Der Preis des Produkts ist der Preis, der auf dem Produkt basiert.

F4. Wie sind die Verpackungsdetails?

A4.Die Verpackungsdetails sind staub-, wasserdichte und antistatische Rohrverpackungen, die in einer Kartonbox in Kartons aufbewahrt werden.

F5: Wie ist die Lieferzeit?

A5.Die Lieferzeit beträgt 2-30 Tage, was von der Gesamtmenge abhängt.

Umbauten:

N-Kanal Mosfet Niedrigspannungsschwelle

Stabil Low Power P-Kanal Mosfet

Basisstation Niederspannungs-MOSFET