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Commutateur pratique Mosfet Transistor à basse tension multifonctionnel

  • Switch Practical Mosfet Low Power , Multifunctional Low Voltage Transistor
Lieu d'origine Guangdong, NC
Nom de marque REASUNOS
Prix Confirm price based on product
Détails d'emballage Emballages tubulaires à l'épreuve de la poussière, de l'eau et antistatiques, placés dans une boîte
Délai de livraison 2 à 30 jours (selon la quantité totale)
Conditions de paiement 100% T/T à l'avance
Capacité d'approvisionnement 5KK/mois

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Détails sur le produit
Application du procédé de tranchée Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen Résistance Le bas RDS (DESSUS)
Capacité EAS Capacité EAS élevée Avantages de processus de SGT Optimisation de la percée FOM, couvrant plus d'application.
Consommation d'électricité Perte de puissance faible l'efficacité Haute efficacité et fiabilité
Avantages du procédé de tranchée Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé Processus de structuration Tranchée/SGT
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Commutateur à faible puissance

,

Le Mosfet pratique à faible puissance

,

Transistors à basse tension multifonctionnels
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Description de produit

RDS bas ((ON) MOSFET de tranchée/SGT avec une capacité EAS élevée

Description du produit:

Le MOSFET basse tension est un type de transistor de puissance, qui est un dispositif semi-conducteur utilisé pour contrôler la haute tension et la puissance.Il est conçu pour fonctionner à basse tension et offre un large éventail de caractéristiques et d'avantagesLe MOSFET basse tension est basé sur le processus de structure Trench et SGT, qui offrent une optimisation FOM révolutionnaire avec une capacité EAS élevée.comme le conducteur automobile, Station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence et rectification synchrone, ce qui fait de ce produit un choix idéal pour la gestion et le contrôle de l'énergie.Le MOSFET basse tension est un excellent choix pour les applications électroniques de puissance nécessitant une basse tension de la porte, MOSFET à basse tension et capacité EAS élevée.

 

Paramètres techniques:

Nom du produit MOSFET à basse tension
Avantages du procédé SGT Optimisation FOM révolutionnaire, couvrant plus d'application.
Consommation d'électricité Faible perte de puissance
Application du procédé SGT Conducteur, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Processus de la structure Traînée/SGT
Efficacité Très efficace et fiable
Application du procédé des tranchées Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur CC/DC, commutateur haute fréquence, rectification synchrone.
Les avantages du procédé de tranchée Les RSP plus petits, à la fois en série et en parallèle, peuvent être librement combinés et utilisés.
Capacité du SEA Capacité EAS élevée
Résistance Rds bas ((ON)
MOSFET à faible VGS MOSFET à basse tension de seuil, MOSFET de puissance à basse tension
 

Applications:

REASUNOS introduit une nouvelle percée dans les transistors basse tension.Le nouveau Mosfet basse tension est conçu pour fournir un haut niveau d'efficacité et de fiabilité dans un large éventail d'applications telles que les conducteurs automobiles, station de base 5G, stockage d'énergie, commutateur haute fréquence et rectification synchrone.Il offre une capacité EAS élevée pour assurer des performances supérieures avec son optimisation FOM révolutionnaire et couvrant plus d'applicationLe Mosfet basse tension avec ses caractéristiques de puissance basse tension, est livré avec un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, et placé dans une boîte en carton dans des cartons.Il est livré à un prix très compétitif et un approvisionnement garanti de 5KK/moisAvec un délai de paiement de 100% T/T à l'avance (EXW) et un délai de livraison de 2 à 30 jours, il s'agit d'une proposition de grande valeur pour tous les utilisateurs.

 

Assistance et services:

Support technique et services pour les MOSFET basse tension

Au cœur de nos produits se trouve notre engagement à fournir un soutien technique et des services de haute qualité à nos clients.Notre équipe de professionnels hautement qualifiés et expérimentés est dédiée à offrir aux clients la meilleure expérience possible.

Nous offrons une variété de services de support technique pour les produits MOSFET basse tension, notamment:

  • Installation et configuration du produit
  • Résolution de problèmes et diagnostics
  • Services de réparation et d'entretien
  • Mises à jour logicielles et du firmware
  • Récupération de données et solutions de sauvegarde

Nous fournissons à nos clients un support technique 24 heures sur 24, 7 jours sur 7 et sommes toujours disponibles pour répondre à toutes leurs questions ou préoccupations.Notre objectif est de s'assurer que nos clients sont satisfaits de leur achat et tirent le meilleur parti de leur produit.

 

Emballage et expédition

Emballage et expédition du MOSFET basse tension:

Nos MOSFET basse tension sont emballés en toute sécurité et expédiés dans des emballages antistatiques.Tous les emballages sont étiquetés avec le nom du produit et le numéro de l'article pour une identification facile à l'arrivéeNos colis sont expédiés par UPS, FedEx ou par d'autres transporteurs fiables et arrivent dans les 5-7 jours ouvrables.

 

FAQ:

Q1. Quel est le nom de marque du MOSFET basse tension?

A1. Je suis désolé.Le nom de marque du MOSFET basse tension est REASUNOS.

Q2. Où est le lieu d'origine?

A2. Je vous en prie.Le lieu d'origine est Guangdong, CN.

Q3. Quel est le prix du produit?

A3 ou A3?Le prix du produit est le prix confirmé basé sur le produit.

Q4. Quels sont les détails de l'emballage?

Un A4.Les détails de l'emballage sont un emballage tubulaire antipoussière, imperméable à l'eau et antistatique, placé dans une boîte en carton dans des cartons.

Q5. Quel est le délai de livraison?

Un A5.Le délai de livraison est de 2 à 30 jours, ce qui dépend de la quantité totale.

Étiquettes:

N-canal Mosfet basse tension de seuil

Mosfet de canal P à faible puissance stable

MOSFET basse tension de la station de base