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Interruttore Mosfet pratico a bassa potenza, transistor multifunzionale a bassa tensione

  • Switch Practical Mosfet Low Power , Multifunctional Low Voltage Transistor
Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
Prezzo Confirm price based on product
Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
Tempi di consegna 2-30 giorni (a seconda della quantità totale)
Termini di pagamento 100% T/T in anticipo (EXW)
Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz Resistenza RDS basso (SOPRA)
Funzionalità EAS Elevata capacità EAS Vantaggi trattati di SGT Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione.
Consumo di energia Perdita di potere basso efficienza Alta efficienza e affidabilità
Vantaggi del processo di trincea RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili Processo di struttura Trincea/SGT
Evidenziare

Commutazione Mosfet a bassa potenza

,

Mosfet pratico a bassa potenza

,

Transistor a bassa tensione multifunzionale
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

MOSFET a basso Rds ((ON) trench/SGT con elevata capacità EAS

Descrizione del prodotto:

Il MOSFET a bassa tensione è un tipo di transistor di potenza, che è un dispositivo semiconduttore utilizzato per controllare l'alta tensione e la potenza.È progettato per funzionare a bassa tensione e offre una vasta gamma di caratteristiche e vantaggi. Il MOSFET a bassa tensione si basa sul processo di struttura Trench e SGT, che offrono ottimizzazione FOM rivoluzionaria con elevata capacità EAS. Il processo SGT ha una vasta gamma di applicazioni,come Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-Frequency Switch e Rectification sincrona, rendendo questo prodotto una scelta ideale per la gestione e il controllo dell'energia.Il MOSFET a bassa tensione è una grande scelta per le applicazioni di elettronica di potenza che richiedono una bassa tensione di cancello, MOSFET a bassa tensione e elevata capacità EAS.

 

Parametri tecnici:

Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
Vantaggi del processo SGT Ottimizzazione FOM rivoluzionaria, che copre più applicazioni.
Consumo di energia Basse perdite di potenza
Applicazione del processo SGT Motor Driver, Stazione base 5G, Immagazzinamento di energia, Interruttore ad alta frequenza, Rettifica sincrona.
Processo di struttura Fossa/SGT
Efficienza Alta efficienza e affidabilità
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona.
Vantaggi del processo di trincea RSP più piccole, sia le configurazioni in serie che parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate.
Capacità EAS Capacità elevata di EAS
Resistenza Basso Rds ((ON)
MOSFET a bassa VGS MOSFET a bassa tensione di soglia, MOSFET di potenza a bassa tensione
 

Applicazioni:

REASUNOS introduce una nuova scoperta nei transistor a bassa tensione.Il nuovo Mosfet a bassa tensione è stato progettato per fornire un elevato livello di efficienza e affidabilità in una vasta gamma di applicazioni come i conducenti di veicoli a motore, stazione base 5G, accumulo di energia, interruttore ad alta frequenza e rettifica sincrona.Offre un'elevata capacità EAS per garantire prestazioni superiori con la sua ottimizzazione FOM rivoluzionaria e coprendo più applicazioni. Il Mosfet a bassa tensione, con le sue caratteristiche di mosfet a bassa tensione, viene fornito con un imballaggio tubulare a prova di polvere, impermeabile e antistatico, e collocato all'interno di una scatola di cartone in cartone.È disponibile ad un prezzo molto competitivo e con un approvvigionamento garantito di 5KK/mese.Con un termine di pagamento del 100% T/T in anticipo (EXW) e un tempo di consegna di 2-30 giorni, è una grande proposta di valore per tutti gli utenti.

 

Supporto e servizi:

Supporto tecnico e servizi di MOSFET a bassa tensione

Al centro dei nostri prodotti c'è il nostro impegno a fornire supporto tecnico e servizi di alta qualità per i nostri clienti.Il nostro team di professionisti altamente qualificati ed esperti è dedicato a fornire ai clienti la migliore esperienza possibile.

Offriamo una varietà di servizi di supporto tecnico per i prodotti MOSFET a bassa tensione, tra cui:

  • Installazione e configurazione del prodotto
  • Risoluzione dei problemi e diagnostica
  • Servizi di riparazione e manutenzione
  • Aggiornamenti di software e firmware
  • Soluzioni per il recupero e il backup dei dati

Forniamo ai nostri clienti un supporto tecnico 24 ore su 24, 7 giorni su 7 e siamo sempre disponibili per rispondere a qualsiasi domanda o preoccupazione possano avere.Il nostro obiettivo è quello di garantire che i nostri clienti siano soddisfatti del loro acquisto e ottengano il massimo dal prodotto.

 

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio e spedizione del MOSFET a bassa tensione:

I nostri MOSFET a bassa tensione sono confezionati in modo sicuro e spediti in imballaggi antistatici.Tutti i pacchetti sono etichettati con il nome del prodotto e il numero dell'articolo per una facile identificazione all'arrivoI nostri pacchi vengono spediti tramite UPS, FedEx o altri vettori affidabili e arrivano entro 5-7 giorni lavorativi.

 

FAQ:

Q1. Qual è il nome di marca del MOSFET a bassa tensione?

A1.Il marchio del MOSFET a bassa tensione è REASUNOS.

Q2. Dov'è il luogo di origine?

A2.Il luogo di origine è Guangdong, CN.

Q3. Qual è il prezzo del prodotto?

A3.Il prezzo del prodotto è il prezzo confermato in base al prodotto.

Q4. Quali sono i dettagli dell'imballaggio?

A4.I dettagli dell'imballaggio sono imballaggi tubolari a prova di polvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di cartone in cartone.

Q5. Qual è il tempo di consegna?

A5.Il tempo di consegna è di 2-30 giorni, che dipende dalla quantità totale.

Etichette:

N canale Mosfet bassa tensione di soglia

Mosfet di canale P stabile a bassa potenza

MOSFET a bassa tensione della stazione base