جميع المنتجات
اتصل شخص : Anita Yin
رقم الهاتف : +86 13712219843
ال WhatsApp : +8613712219843

التبديل العملي (موسفيت) طاقة منخفضة ، ترانزستور متعدد الوظائف منخفض الجهد

  • Switch Practical Mosfet Low Power , Multifunctional Low Voltage Transistor
مكان المنشأ قوانغدونغ ، CN
اسم العلامة التجارية REASUNOS
الأسعار Confirm price based on product
تفاصيل التغليف عبوات أنبوبية مقاومة للغبار والماء ومضادة للكهرباء الساكنة، موضوعة داخل صندوق من الورق المقوى في علب
وقت التسليم 2-30 يومًا (يعتمد على الكمية الإجمالية)
شروط الدفع 100% T/T مقدمًا (EXW)
القدرة على العرض 5 مليون/شهر

اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.

ال WhatsApp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

سكايب: sales10@aixton.com

إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.

x
تفاصيل المنتج
تطبيق عملية الخندق الشحن اللاسلكي، الشحن السريع، محرك المحرك، محول DC/DC، مفتاح عالي التردد، تصحيح متزامن. مقاومة الطرق المنخفضة (ON)
قدرة شرق آسيا قدرة EAS عالية مزايا عملية SGT اختراق FOM الأمثل، ويغطي المزيد من التطبيقات.
استهلاك الطاقة فقدان منخفض للطاقة الكفاءة كفاءة عالية وموثوقة
مزايا عملية الخندق يمكن دمج واستخدام RSP الأصغر حجمًا والتكوينات المتسلسلة والمتوازية بحرية. عملية الهيكلة خندق / الرقيب
إبراز

التبديل (موسفيت) طاقة منخفضة,موزفيت العملي طاقة منخفضة,ترانزستور متعدد الوظائف منخفض الجهد

,

Practical Mosfet Low Power

,

Multifunctional Low Voltage Transistor
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
اترك رسالة
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
منتوج وصف

Rds ((ON)) المنخفضة / SGT MOSFET مع قدرة EAS عالية

وصف المنتج:

MOSFET منخفضة الجهد هو نوع من ترانزستورات الطاقة، وهي جهاز نصف موصل يستخدم للسيطرة على الجهد العالي والطاقة.تم تصميمه للعمل في الجهد المنخفض ويوفر مجموعة واسعة من الميزات والمزايا. تستند MOSFET منخفضة الجهد إلى عملية هيكل Trench و SGT ، والتي توفر تحسينات FOM متطورة مع قدرة EAS عالية.مثل السائق، محطة قاعدة 5G ، تخزين الطاقة ، مفتاح التردد العالي ، وتصحيح متزامن ، مما يجعل هذا المنتج خيارًا مثاليًا لإدارة الطاقة والتحكم.الجهد المنخفض MOSFET هو خيار رائع لتطبيقات الكترونيات القوة التي تتطلب جهد بوابة منخفضة، طاقة الجهد المنخفض MOSFET وقدرة عالية EAS.

 

المعلمات التقنية:

اسم المنتج MOSFET منخفضة الجهد
مزايا عملية SGT اختراق في تحسين FOM، تغطي المزيد من التطبيقات.
استهلاك الطاقة خسارة طاقة منخفضة
تطبيق عملية SGT سائق المحرك، محطة قاعدة 5G، تخزين الطاقة، مفتاح التردد العالي، تصحيح متزامن.
عملية الهيكل الخندق/SGT
الكفاءة كفاءة عالية وموثوقية
تطبيق عملية الخندق الشحن اللاسلكي، الشحن السريع، سائق المحرك، محول DC / DC، مفتاح التردد العالي، تصحيح متزامن.
مزايا عملية الخندق RSP أصغر ، يمكن الجمع بين كل من التكوينات المتسلسلة والموازية واستخدامها بحرية.
قدرة EAS قدرة عالية على EAS
المقاومة Rds ((ON)) منخفضة
MOSFET منخفضة VGS MOSFET الجهد المنخفض الحد ، MOSFET طاقة الجهد المنخفض
 

التطبيقات:

(رياسونوس) تقدم اختراعاً جديداً في الترانزستورات ذات الجهد المنخفضتم تصميم الجهاز الجديد منخفضة الجهد Mosfet لتوفير مستوى عال من الكفاءة والموثوقية في مجموعة واسعة من التطبيقات مثل سائقي السيارات، محطة قاعدة 5G، تخزين الطاقة، مفتاح التردد العالي، وتصحيح متزامن.وهو يوفر قدرة عالية EAS لضمان أداء متفوق مع اختراقها تحسين FOM وتغطية المزيد من التطبيقاتموزفيت منخفضة الجهد مع ميزات موزفيت طاقة منخفضة الجهد ، يأتي مع تغليف أنبوبي مضاد للغبار والماء ومضاد للستاتيكية ، ووضع داخل صندوق من الورق المقوى في الكرتون.يأتي بسعر تنافسي للغاية وموارد مضمونة من 5KK / الشهرمع مدة الدفع من 100٪ T / T مقدما (EXW) ووقت التسليم من 2-30 يوما، هو مقترح قيمة كبيرة لجميع المستخدمين.

 

الدعم والخدمات:

الدعم التقني وخدمات MOSFET منخفضة الجهد

في قلب منتجاتنا هو التزامنا بتوفير دعم تقني وخدمات عالية الجودة لعملائنا.فريقنا من المهنيين المدربين تدريبا عاليا وذوي الخبرة مكرسة لتوفير العملاء مع أفضل تجربة ممكنة.

نحن نقدم مجموعة متنوعة من خدمات الدعم الفني لمنتجات MOSFET منخفضة الجهد ، بما في ذلك:

  • تثبيت المنتج وتكوينه
  • حل المشاكل والتشخيص
  • خدمات الإصلاح والصيانة
  • تحديثات البرمجيات والبرمجيات الثابتة
  • حلول استعادة البيانات والنسخ الاحتياطي

نحن نقدم لعملائنا الدعم الفني على مدار الساعة ونحن دائما متاحون للإجابة على أي أسئلة أو مخاوف قد يكون لديهم.هدفنا هو التأكد من أن عملائنا راضون عن شرائهم ويحصلون على أقصى استفادة من منتجاتهم.

 

التعبئة والشحن:

تعبئة و شحن MOSFET منخفضة الجهد:

يتم تعبئة MOSFETs منخفضة الجهد بشكل آمن وشحنها في عبوات مضادة للثبات. قبل الشحن ، يتم اختبار MOSFETs منخفضة الجهد لضمان الجودة.يتم وضع علامة على جميع الطرود مع اسم المنتج ورقم البند لسهولة التعرف عليها عند الوصوليتم شحن حزمنا عن طريق UPS، FedEx، أو غيرها من الناقلين الموثوقين وتصل في غضون 5-7 أيام عمل.

 

الأسئلة الشائعة:

س1: ما هو اسم العلامة التجارية لـ MOSFET منخفض الجهد؟

(أ1اسم العلامة التجارية لـ MOSFET منخفض الجهد هو REASUNOS.

س2: أين هو مكان المنشأ؟

A2.مكان المنشأ هو غوانغدونغ، CN.

س3: ما هو سعر المنتج؟

أيه 3سعر المنتج هو تأكيد السعر على أساس المنتج.

س4: ما هي تفاصيل التعبئة والتغليف؟

أ.4.تفاصيل التعبئة هي عبوات أنبوبية مضادة للغبار والماء ومضادة للستاتيكية ، وضعت داخل صندوق من الورق المقوى في الكرتون.

س5: ما هو وقت التسليم؟

A5.مدة التسليم هي 2-30 يوماً، والتي تعتمد على الكمية الكلية.

بطاقة:

N القناة Mosfet الجهد الحد الأدنى,مستقر منخفضة الطاقة قناة P Mosfet,محطة قاعدة MOSFET منخفضة الجهد

التبديل (موسفيت) طاقة منخفضة,موزفيت العملي طاقة منخفضة,ترانزستور متعدد الوظائف منخفض الجهد

Base Station Low Voltage MOSFET