ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
ชื่อผู้ติดต่อ : Anita Yin
หมายเลขโทรศัพท์ : +86 13712219843
วอทส์แอพพ์ : 8613712219843

สวิตช์ โปรแกรม โมสเฟต แรงงานต่ํา ทรานซิสเตอร์ความดันต่ําหลายฟังก์ชัน

  • Switch Practical Mosfet Low Power , Multifunctional Low Voltage Transistor
สถานที่กำเนิด กวางตุ้ง CN
ชื่อแบรนด์ REASUNOS
ราคา Confirm price based on product
รายละเอียดการบรรจุ บรรจุภัณฑ์แบบท่อกันฝุ่น กันน้ำ และป้องกันไฟฟ้าสถิต วางอยู่ภายในกล่องกระดาษแข็งในกล่องกระดาษแข็ง
เวลาการส่งมอบ 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณรวม)
เงื่อนไขการชำระเงิน 100% T/T ล่วงหน้า (EXW)
สามารถในการผลิต 5KK/เดือน

ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี

วอทส์แอพพ์:0086 18588475571

วีแชท: 0086 18588475571

สไกป์: sales10@aixton.com

หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง

x
รายละเอียดสินค้า
การประยุกต์ใช้กระบวนการร่องลึก การชาร์จแบบไร้สาย, การชาร์จอย่างรวดเร็ว, ไดรเวอร์มอเตอร์, ตัวแปลง DC/DC, สวิตช์ความถี่สูง, การแก้ไขแ ความต้านทาน ถนนต่ำ(ON)
ความสามารถของ EAS ความสามารถ EAS สูง ข้อดีของกระบวนการ SGT การเพิ่มประสิทธิภาพ FOM ที่ก้าวล้ำ ครอบคลุมการใช้งานมากขึ้น
การใช้พลังงาน การสูญเสียพลังงานต่ำ ประสิทธิภาพ ประสิทธิภาพสูงและเชื่อถือได้
ข้อดีของกระบวนการร่องลึก RSP ที่เล็กกว่า ทั้งซีรีส์และการกำหนดค่าแบบขนานสามารถรวมและใช้งานได้อย่างอิสระ กระบวนการโครงสร้าง ร่องลึก/SGT
เน้น

เปลี่ยนโมสเฟตพลังงานต่ํา

,

โมสเฟตที่ใช้ได้ แรงต่ํา

,

ทรานซิสเตอร์ความดันต่ําหลายฟังก์ชัน
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
ฝากข้อความ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
รายละเอียดสินค้า

MOSFET Rds ((ON) ต่ํา/SGT MOSFET ที่มีความสามารถ EAS สูง

คําอธิบายสินค้า:

MOSFET ความดันต่ํา เป็นชนิดของทรานซิสเตอร์พลังงาน ซึ่งเป็นอุปกรณ์ครึ่งตัวนําที่ใช้ในการควบคุมความดันสูงและพลังงานมันถูกออกแบบมาเพื่อทํางานในความดันต่ํา และมีลักษณะและข้อดีมากมาย. MOSFET ความดันต่ําใช้กระบวนการกระบวนการโครงสร้าง Trench และ SGT ซึ่งให้การปรับปรุง FOM ที่มีความสามารถสูง EAS. กระบวนการ SGT มีการใช้งานมากมายเช่น คนขับรถยนต์, สถานีฐาน 5G, การเก็บพลังงาน, สวิตช์ความถี่สูง, และการแก้ไขร่วมกัน, ทําให้ผลิตภัณฑ์นี้เป็นตัวเลือกที่เหมาะสมสําหรับการบริหารและควบคุมพลังงานMOSFET ความดันต่ําเป็นทางเลือกที่ดีสําหรับการใช้งานอิเล็กทรอนิกส์พลังงานที่ต้องการความดันประตูต่ํา, MOSFET พลังงานความดันต่ํา และความสามารถ EAS ที่สูง

 

ปริมาตรเทคนิค:

ชื่อสินค้า MOSFET ความดันต่ํา
ข้อดีของกระบวนการ SGT การปรับปรุง FOM ที่เจริญเจริญ ครอบคลุมการใช้งานมากขึ้น
การบริโภคพลังงาน การสูญเสียพลังงานต่ํา
การใช้กระบวนการ SGT มอเตอร์ไดรเวอร์ สถานีฐาน 5G การเก็บพลังงาน การสลับความถี่สูง การแก้ไขร่วมกัน
กระบวนการโครงสร้าง กรุงเทพมหานคร
ประสิทธิภาพ มี ประสิทธิภาพ และ น่า เชื่อถือ
การใช้งานกระบวนการ Trench การชาร์จไร้สาย, การชาร์จรวดเร็ว, คนขับมอเตอร์, เครื่องแปลง DC/DC, เครื่องสวิทช์ความถี่สูง, การแก้ไขแบบสมอง
ข้อดีของกระบวนการขัง RSP ขนาดเล็กๆ สามารถรวมและใช้ได้อย่างอิสระ ทั้งแบบชุดและแบบปานกลาง
ความสามารถ EAS ความสามารถ EAS ที่สูง
ความต้านทาน Rdsต่ํา ((ON)
MOSFET VGS ต่ํา MOSFET ความดันขั้นต่ํา, MOSFET ความดันต่ํา
 

การใช้งาน:

REASUNOS นําเสนอความก้าวหน้าใหม่ในทรานซิสเตอร์พลังงานความแรงต่ําโมสเฟตความดันต่ําใหม่ถูกออกแบบมาเพื่อให้มีประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือสูงในรูปแบบที่หลากหลาย เช่น คนขับรถ, สถานีฐาน 5G, การเก็บพลังงาน, สวิตช์ความถี่สูง, และการแก้ไขร่วมกันมันให้ความสามารถ EAS ที่สูงในการรับประกันผลงานที่ดีกว่าด้วยการปรับปรุง FOM ที่เจริญเจริญและครอบคลุมการใช้งานมากขึ้น. โมสเฟตความดันต่ําที่มีลักษณะของโมสเฟตพลังงานความดันต่ํา มาพร้อมกับบรรจุท่อกันฝุ่น กันน้ําและกันสแตติก และวางอยู่ในกล่องกระดาษกล่องมันมีราคาที่สามารถแข่งขันได้มาก และการประกันสินค้า 5KK / เดือนด้วยวาระการชําระเงิน 100% T/T ในล่วงหน้า (EXW) และเวลาจัดส่ง 2-30 วัน มันเป็นข้อเสนอคุณค่าที่ดีสําหรับผู้ใช้ทั้งหมด

 

การสนับสนุนและบริการ:

การสนับสนุนและบริการทางเทคนิค MOSFET ความดันต่ํา

หลักของผลิตภัณฑ์ของเราคือ ความมุ่งมั่นในการให้การสนับสนุนทางเทคนิคและบริการที่มีคุณภาพสูงสําหรับลูกค้าของเราทีมงานของเราที่ผ่านการฝึกอบรมและมีประสบการณ์สูง มีความมุ่งมั่นที่จะให้ลูกค้าประสบการณ์ที่ดีที่สุด.

เราให้บริการบริการสนับสนุนทางเทคนิคหลากหลายสําหรับผลิตภัณฑ์ MOSFET ความดันต่ํา รวมถึง:

  • การติดตั้งและการตั้งค่าสินค้า
  • การแก้ไขปัญหาและการวินิจฉัย
  • บริการซ่อมแซมและบํารุงรักษา
  • การปรับปรุงซอฟต์แวร์และฟอร์มแวร์
  • การฟื้นฟูข้อมูลและการสํารองข้อมูล

เราให้การสนับสนุนทางเทคนิคกับลูกค้าของเราตลอด 24 ชั่วโมง และพร้อมตอบทุกคําถามและข้อสงสัยที่ลูกค้าอาจมีเป้าหมายของเราคือการทําให้ลูกค้าของเราพอใจกับการซื้อของตน และได้รับผลประโยชน์สูงสุดจากสินค้าของตน.

 

การบรรจุและการขนส่ง

การบรรจุและการจัดส่ง MOSFET ความดันต่ํา:

MOSFET ความดันต่ําของเราถูกบรรจุไว้อย่างปลอดภัยและส่งไปในบรรจุแบบต่อต้านความจืด ก่อนการส่ง MOSFET ความดันต่ําถูกทดสอบเพื่อการรับประกันคุณภาพสะพานทุกชิ้นถูกติดป้ายด้วยชื่อสินค้าและหมายเลขสินค้า เพื่อการระบุตัวอย่างง่าย ๆ เมื่อมาถึง. สัมภาระของเราถูกส่งผ่าน UPS, FedEx, หรือผู้ขนส่งที่น่าเชื่อถืออื่น ๆ และมาถึงภายใน 5-7 วันทําการ

 

FAQ:

Q1. ชื่อแบรนด์ของ MOSFET ความดันต่ําคืออะไร?

A1.ชื่อแบรนด์ของ MOSFET ความดันต่ําคือ REASUNOS

คําถามที่ 2 สถานที่กําเนิดอยู่ที่ไหน?

A2.สถานที่กําเนิดคือ กวางดง, CN

Q3. ราคาของสินค้าคืออะไร?

A3ราคาของสินค้าคือ ราคายืนยันขึ้นอยู่กับสินค้า

Q4. รายละเอียดการบรรจุคืออะไร?

A4รายละเอียดการบรรจุคือการบรรจุท่อกันฝุ่น กันน้ํา และกันสแตติก ตั้งอยู่ในกล่องกระดาษกล่อง

Q5. เวลาในการจัดส่งคืออะไร?

A5ระยะเวลาในการจัดส่ง 2-30 วัน ซึ่งขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด

แท็ก:

N Channel Mosfet ความดันขั้นต่ําต่ํา

โมสเฟตช่อง P ที่มั่นคงพลังงานต่ํา

สถานีฐาน MOSFET ความดันต่ํา

แนะนำผลิตภัณฑ์