Conmutador Mosfet práctico de baja potencia, transistor multifuncional de baja tensión

Lugar de origen Guangdong, NC
Nombre de la marca REASUNOS
Precio Confirm price based on product
Detalles de empaquetado Envases tubulares a prueba de polvo, agua y antistáticos, colocados en una caja de cartón en cartone
Tiempo de entrega 2-30 días (depende de la cantidad total)
Condiciones de pago 100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de la fuente 5KK/mes

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Datos del producto
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, controlador de motor, convertidor CC/CC, interruptor de alta frecue Resistencia RDS bajo (ENCENDIDO)
Capacidad EAS Alta capacidad EAS Ventajas de proceso de SGT Optimización de la brecha FOM, cubriendo más uso.
Consumo de energía Pérdida de la energía baja eficiencia Alta eficiencia y confiable
Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie como en paralelo, se pueden combinar y utilizar libremente. Proceso de estructura Trinchera/SGT
Resaltar

Interruptor de baja potencia Mosfet

,

Mosfet práctico de baja potencia

,

Transistores de bajo voltaje multifunción

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descripción de producto

MOSFET de trinchera/SGT con baja Rds ((ON) con alta capacidad EAS

Descripción del producto:

El MOSFET de bajo voltaje es un tipo de transistor de potencia, que es un dispositivo semiconductor utilizado para controlar el alto voltaje y la potencia.Está diseñado para funcionar a baja tensión y ofrece una amplia gama de características y ventajasEl MOSFET de bajo voltaje se basa en el proceso de estructura Trench y SGT, que ofrecen una optimización FOM innovadora con una alta capacidad EAS.como el conductor del motor, Estación Base 5G, Almacenamiento de Energía, Conmutador de Alta Frecuencia y Rectificación Sincrónica, lo que hace que este producto sea una opción ideal para la gestión y control de energía.El MOSFET de bajo voltaje es una gran opción para aplicaciones de electrónica de potencia que requieren un voltaje de puerta bajo, MOSFET de baja tensión y alta capacidad EAS.

 

Parámetros técnicos:

Nombre del producto MOSFET de baja tensión
Ventajas del proceso SGT La optimización de FOM, que cubre más aplicaciones.
Consumo de energía Baja pérdida de energía
Aplicación del proceso SGT El conductor del motor, la estación base 5G, el almacenamiento de energía, el interruptor de alta frecuencia, la rectificación síncrona.
Proceso de estructura En el caso de las empresas de transporte de mercancías
Eficiencia Alta eficiencia y fiabilidad
Aplicación del proceso de zanja Carga inalámbrica, carga rápida, conductor del motor, convertidor de CC/CC, interruptor de alta frecuencia, rectificación síncrona.
Ventajas del proceso de zanja RSP más pequeño, tanto en serie y configuraciones paralelas se pueden combinar y utilizar libremente.
Capacidad de EAS Capacidad EAS elevada
Resistencia Bajo Rds ((ON)
MOSFET de baja VGS MOSFET de baja tensión de umbral, MOSFET de potencia de baja tensión
 

Aplicaciones:

REASUNOS introduce un nuevo avance en los transistores de baja tensión.El nuevo Mosfet de baja tensión está diseñado para proporcionar un alto nivel de eficiencia y fiabilidad en una amplia gama de aplicaciones, como los conductores de motor., estación base 5G, almacenamiento de energía, conmutador de alta frecuencia y rectificación síncrona.Ofrece una alta capacidad de EAS para garantizar un rendimiento superior con su optimización FOM innovadora y que cubre más aplicacionesEl Mosfet de bajo voltaje con sus características de potencia de bajo voltaje, viene con un embalaje tubular a prueba de polvo, a prueba de agua y antiestático, y colocado dentro de una caja de cartón en cartones.Tiene un precio muy competitivo y un suministro garantizado de 5KK/mes.Con un plazo de pago del 100% T/T por adelantado (EXW) y un tiempo de entrega de 2-30 días, es una gran propuesta de valor para todos los usuarios.

 

Apoyo y servicios:

Apoyo técnico y servicios de MOSFET de baja tensión

En el núcleo de nuestros productos está nuestro compromiso de proporcionar soporte técnico y servicios de alta calidad para nuestros clientes.Nuestro equipo de profesionales altamente capacitados y experimentados se dedica a proporcionar a los clientes la mejor experiencia posible..

Ofrecemos una variedad de servicios de soporte técnico para productos MOSFET de bajo voltaje, incluyendo:

  • Instalación y configuración del producto
  • Solución de problemas y diagnóstico
  • Servicios de reparación y mantenimiento
  • Actualizaciones de software y firmware
  • Soluciones de recuperación y copia de seguridad de datos

Proporcionamos a nuestros clientes soporte técnico las 24 horas del día, los 7 días de la semana y estamos siempre disponibles para responder a cualquier pregunta o inquietud que puedan tener.Nuestro objetivo es asegurarnos de que nuestros clientes estén satisfechos con su compra y obtengan el máximo provecho de su producto.

 

Embalaje y envío:

Embalaje y envío de MOSFET de bajo voltaje:

Nuestros MOSFET de Bajo Voltado están empaquetados de forma segura y enviados en envases antistaticos.Todos los paquetes están etiquetados con el nombre del producto y el número del artículo para facilitar su identificación a su llegadaNuestros paquetes se envían a través de UPS, FedEx u otros transportistas confiables y llegan dentro de 5-7 días hábiles.

 

Preguntas frecuentes:

P1. ¿Cuál es el nombre comercial de MOSFET de bajo voltaje?

A1. ¿Qué quieres decir?El nombre comercial de MOSFET de Bajo Voltado es REASUNOS.

¿Dónde está el lugar de origen?

A2. ¿Qué quieres decir?El lugar de origen es Guangdong, CN.

¿Cuál es el precio del producto?

A3. ¿Qué quieres decir?El precio del producto es el precio de confirmación basado en el producto.

P4. ¿Cuáles son los detalles del embalaje?

A4. ¿Qué quieres decir?Los detalles del embalaje son embalajes tubulares a prueba de polvo, a prueba de agua y antistáticos, colocados dentro de una caja de cartón en cartones.

¿Cuál es el plazo de entrega?

A5. ¿Qué quieres decir?El tiempo de entrega es de 2 a 30 días, que depende de la cantidad total.