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Comutador Prático Mosfet Transistor de Baixa Potência Multifuncional de Baixa Tensão

  • Switch Practical Mosfet Low Power , Multifunctional Low Voltage Transistor
Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
Preço Confirm price based on product
Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
Tempo de entrega 2-30 dias (depende da quantidade total)
Termos de pagamento 100% T/T adiantado (EXW)
Habilidade da fonte 5KK/mês

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Detalhes do produto
Aplicação de processo de vala Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre Resistência Baixo RDS (SOBRE)
Capacidade EAS Alta capacidade de EAS Vantagens do processo de SGT Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação.
Consumo de energia Perda de baixa potência eficiência Alta eficiência e confiável
Vantagens do processo de vala RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas. processo de estrutura Trincheira/SGT
Destacar

Comutação de baixa potência Mosfet

,

Mosfet prático de baixa potência

,

Transistores de baixa tensão multifuncionais
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

MOSFET de trincheira/SGT com baixa Rds ((ON) com alta capacidade EAS

Descrição do produto:

O MOSFET de baixa tensão é um tipo de transistor de potência, que é um dispositivo semicondutor usado para controlar alta tensão e potência.É projetado para funcionar a baixa tensão e oferece uma ampla gama de características e vantagensO MOSFET de baixa tensão é baseado no processo de estrutura Trench e SGT, que oferecem otimização FOM inovadora com alta capacidade EAS. O processo SGT tem uma ampla gama de aplicações,como Motor Driver, Estação Base 5G, Armazenamento de Energia, Interruptor de Alta Frequência e Rectificação Sincrónica, tornando este produto uma escolha ideal para gestão e controlo de energia.O MOSFET de baixa tensão é uma ótima escolha para aplicações de eletrônica de potência que exigem uma baixa tensão de porta, MOSFET de baixa tensão e alta capacidade EAS.

 

Parâmetros técnicos:

Nome do produto MOSFET de baixa tensão
Vantagens do processo SGT Otimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações.
Consumo de energia Baixa perda de potência
Aplicação do processo SGT Motorista, Estação Base 5G, Armazenamento de Energia, Comutador de Alta Frequência, Rectificação Sincrónica.
Processo de estrutura Tranche/SGT
Eficiência Alta eficiência e fiabilidade
Aplicação do processo de trincheira Carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona.
Vantagens do processo de trincheira RSPs menores, com configurações em série e paralelas, podem ser combinadas e utilizadas livremente.
Capacidade do EAS Alta capacidade de EAS
Resistência Baixa Rds ((ON)
MOSFET de baixo VGS MOSFET de baixa tensão de limiar, MOSFET de potência de baixa tensão
 

Aplicações:

A REASUNOS introduz um novo avanço nos transistores de potência de baixa tensão.O novo Mosfet de baixa tensão foi concebido para proporcionar um elevado nível de eficiência e fiabilidade numa ampla gama de aplicações, tais como motoristas, estação base 5G, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência e retificação síncrona.Oferece uma alta capacidade de EAS para garantir um desempenho superior com sua otimização FOM inovadora e cobrindo mais aplicaçõesO Mosfet de baixa tensão, com as suas características de mosfet de baixa tensão, vem com uma embalagem tubular à prova de poeira, à prova de água e antistática, e colocado dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.Ele vem a um preço muito competitivo e fornecimento garantido de 5KK/mêsCom um prazo de pagamento de 100% T/T adiantado (EXW) e tempo de entrega de 2-30 dias, é uma grande proposta de valor para todos os utilizadores.

 

Apoio e Serviços:

Apoio técnico e serviços de MOSFET de baixa tensão

O núcleo dos nossos produtos é o nosso compromisso de fornecer apoio técnico e serviços de alta qualidade para os nossos clientes.A nossa equipa de profissionais altamente qualificados e experientes dedica-se a proporcionar aos clientes a melhor experiência possível..

Oferecemos uma variedade de serviços de suporte técnico para produtos MOSFET de baixa tensão, incluindo:

  • Instalação e configuração do produto
  • Solução de problemas e diagnóstico
  • Serviços de reparação e manutenção
  • Atualizações de software e firmware
  • Soluções de recuperação e backup de dados

Fornecemos aos nossos clientes suporte técnico 24 horas por dia, 7 dias por semana e estamos sempre disponíveis para responder a quaisquer perguntas ou preocupações que possam ter.O nosso objectivo é garantir que os nossos clientes estejam satisfeitos com a sua compra e estejam a tirar o máximo partido do seu produto.

 

Embalagem e transporte:

Embalagem e transporte de MOSFET de baixa tensão:

Os nossos MOSFETs de Baixa Tensão são embalados de forma segura e enviados em embalagens antiestáticas.Todas as embalagens são rotuladas com o nome do produto e o número do item para facilitar a identificação na chegadaOs nossos pacotes são enviados via UPS, FedEx ou outros transportadores confiáveis e chegam dentro de 5-7 dias úteis.

 

Perguntas frequentes:

Q1. Qual é o nome comercial do MOSFET de baixa tensão?

A1.A marca do MOSFET de Baixa Tensão é REASUNOS.

Q2. Onde é o local de origem?

A2.O local de origem é Guangdong, CN.

Q3. Qual é o preço do produto?

A3.O preço do produto é o preço confirmado com base no produto.

Q4. Quais são os detalhes da embalagem?

A4.Os detalhes da embalagem são embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.

Q5. Qual é o prazo de entrega?

A5.O prazo de entrega é de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total.

Etiquetas:

N Canal Mosfet Baixa Tensão de limiar

Mosfet de canal P estável de baixa potência

MOSFET de baixa tensão da estação base