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Funzione multi MOSFET a bassa tensione SGT resistente con RSP più piccolo

  • Durable SGT Low Voltage MOSFET Multi Function With Smaller RSP
Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
Prezzo Confirm price based on product
Imballaggi particolari Imballaggi tubulari antipolvere, impermeabili e antistatici, collocati all'interno di una scatola di
Tempi di consegna 2-30 giorni (a seconda della quantità totale)
Termini di pagamento 100% T/T in anticipo (EXW)
Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
Applicazione trattata di SGT Driver del motore, 5G stazione base, immagazzinamento dell'energia, commutatore ad alta frequenza, r Resistenza RDS basso (SOPRA)
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz Processo di struttura Trincea/SGT
Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione Funzionalità EAS Elevata capacità EAS
Consumo di energia Perdita di potere basso Vantaggi del processo di trincea RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili
Evidenziare

MOSFET a bassa tensione resistente

,

MOSFET multifunzione a bassa tensione

,

MOSFET RSP SGT più piccolo
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrizione di prodotto

MOSFET a bassa tensione a trincea con RSP più piccolo per rettifica sincrona

Descrizione del prodotto:

Il MOSFET a bassa tensione è un tipo di transistor a effetto campo a bassa tensione di soglia (FET) che fornisce elevate capacità EAS, elevata efficienza e perdite di potenza affidabili.Può essere utilizzato in varie applicazioni, compresa la guida motrice, la stazione base 5G, lo stoccaggio dell'energia, l'interruttore ad alta frequenza, la rettifica sincrona, la ricarica wireless, la ricarica rapida, il convertitore DC/DC, ecc.Il MOSFET a bassa tensione presenta una tensione di soglia bassa, che consente un basso consumo di energia e prestazioni migliorate. Con la sua eccellente capacità EAS, può essere utilizzato in applicazioni di commutazione ad alta frequenza, come stazioni base 5G, stoccaggio di energia,autistaInoltre, può fornire una perdita di potenza affidabile e un basso consumo di potenza per la ricarica wireless, la ricarica rapida e le applicazioni di convertitore DC / DC.

 

Parametri tecnici:

Nome del prodotto MOSFET a bassa tensione
Processo di struttura Fossa/SGT
Processo SGT Vantaggi Ottimizzazione FOM rivoluzionaria, che copre più applicazioni.
Efficienza Alta efficienza e affidabilità
Capacità EAS Capacità elevata di EAS
Processo di trincea Vantaggi RSP più piccole, sia le configurazioni in serie che parallele possono essere liberamente combinate e utilizzate.
Processo SGT Applicazione Motor Driver, Stazione base 5G, Immagazzinamento di energia, Interruttore ad alta frequenza, Rettifica sincrona.
Applicazione del processo di trincea Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenza, rettifica sincrona.
resistenza Basso Rds ((ON)
Consumo di energia Basse perdite di potenza
 

Applicazioni:

MOSFET a bassa tensione di REASUNOS, Guangdong

Il transistor a effetto campo a bassa tensione (MOSFET) di REASUNOS è la scelta ideale per applicazioni di potenza a bassa tensione.questi FET a bassa tensione vengono in entrambi i processi di struttura SGT e TrenchIl processo SGT offre ottimizzazione FOM innovativa e copre un maggior numero di applicazioni,mentre il processo Trench offre RSP più piccoli e consente di serie liberamente combinate e utilizzate e configurazioni parallele.

I MOSFET a bassa tensione di REASUNOS sono offerti a prezzi competitivi e sono confezionati in un imballaggio tubulare antipolvere, impermeabile e antistatico.immessi in una scatola di cartone in cartone per una consegna sicuraCon una capacità di fornitura di 5KK/mese, gli ordini possono essere soddisfatti entro 2-30 giorni a seconda della quantità totale.

 

Supporto e servizi:

Il supporto tecnico e il servizio per i MOSFET a bassa tensione sono disponibili per garantire le prestazioni ottimali dei nostri prodotti.I nostri esperti sono disponibili per fornire assistenza tecnica per qualsiasi domanda o problema relativo all'installazione, funzionamento e manutenzione dei MOSFET a bassa tensione.

Forniamo anche servizi complementari come la riparazione, la sostituzione e l'aggiornamento dei prodotti.I nostri tecnici e ingegneri altamente esperti sono sempre disponibili per aiutare con qualsiasi problema tecnico che possa sorgere.

In Low Voltage MOSFETs, ci sforziamo di fornire ai nostri clienti un supporto tecnico e un servizio superiori.

 

Imballaggio e trasporto:

I MOSFET a bassa tensione dovrebbero essere confezionati e spediti in modo da massimizzarne la protezione da urti meccanici, abrasioni e altri rischi ambientali.L'imballaggio deve essere progettato in modo da ridurre il rischio di scosse elettriche e altri rischiQuando vengono spediti, i MOSFET a bassa tensione devono essere collocati in contenitori sigillati progettati per proteggerli dalle vibrazioni e dalle temperature estreme.

 

FAQ:

FAQ sul MOSFET a bassa tensione
Q1: Qual è il marchio del MOSFET a bassa tensione?

R1: Il marchio del MOSFET a bassa tensione è REASUNOS.

D2: Qual è il luogo di origine del MOSFET a bassa tensione?

A2: Il luogo di origine del MOSFET a bassa tensione è Guangdong, CN.

Q3: Qual è il prezzo del MOSFET a bassa tensione?

A3: Il prezzo del MOSFET a bassa tensione è il prezzo confermato in base al prodotto.

D4: Quali sono i dettagli dell'imballaggio del MOSFET a bassa tensione?

A4: I dettagli di imballaggio del MOSFET a bassa tensione è un imballaggio tubolare antipolvere, impermeabile e antistatico, collocato all'interno di una scatola di cartone in cartone.

Q5: Quanto tempo dura la consegna del MOSFET a bassa tensione?

R5: Il tempo di consegna del MOSFET a bassa tensione è di 2-30 giorni (dipende dalla quantità totale).

Q6: Quali sono i termini di pagamento del MOSFET a bassa tensione?

R6: I termini di pagamento del MOSFET a bassa tensione sono 100% T/T in anticipo ((EXW).

Q7: Qual è la capacità di approvvigionamento del MOSFET a bassa tensione?

R7: La capacità di approvvigionamento del MOSFET a bassa tensione è di 5KK/mese.

Etichette:

N canale Mosfet bassa tensione di soglia

Mosfet di canale P stabile a bassa potenza

MOSFET a bassa tensione della stazione base