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छोटे आरएसपी के साथ टिकाऊ एसजीटी कम वोल्टेज एमओएसएफईटी मल्टी फंक्शन

  • Durable SGT Low Voltage MOSFET Multi Function With Smaller RSP
उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
एसजीटी प्रक्रिया आवेदन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन। प्रतिरोध कम आरडीएस(चालू)
ट्रेंच प्रक्रिया आवेदन वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ़्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस संरचना प्रक्रिया ट्रेंच/एसजीटी
उत्पाद का नाम कम वोल्टेज MOSFET ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता
बिजली की खपत कम बिजली हानि ट्रेंच प्रक्रिया के लाभ छोटे आरएसपी, श्रृंखला और समानांतर दोनों विन्यासों को स्वतंत्र रूप से संयोजित और उपयोग किया जा सकता ह
प्रमुखता देना

टिकाऊ निम्न वोल्टेज मोस्फेट

,

निम्न वोल्टेज MOSFET मल्टी फंक्शन

,

छोटा आरएसपी एसजीटी मोस्फेट
आप अपनी ज़रूरत के उत्पादों को टिक कर सकते हैं और हमारे साथ संदेश बोर्ड में संचार कर सकते हैं।
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
उत्पाद विवरण

सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन के लिए छोटे आरएसपी के साथ ट्रेंच लो वोल्टेज एमओएसएफईटी

उत्पाद का वर्णन:

कम वोल्टेज MOSFET एक प्रकार का कम थ्रेशोल्ड वोल्टेज फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) है जो उच्च EAS क्षमता, उच्च दक्षता और विश्वसनीय शक्ति हानि प्रदान करता है।इसका उपयोग विभिन्न अनुप्रयोगों में किया जा सकता है, जिसमें मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन, वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, डीसी/डीसी कन्वर्टर आदि शामिल हैं।निम्न वोल्टेज MOSFET में निम्न सीमा वोल्टेज हैइसकी उत्कृष्ट ईएएस क्षमता के साथ, इसका उपयोग उच्च आवृत्ति स्विच अनुप्रयोगों में किया जा सकता है, जैसे कि 5 जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण,मोटर चालकइसके अतिरिक्त, यह वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग और डीसी/डीसी कनवर्टर अनुप्रयोगों के लिए विश्वसनीय बिजली हानि और कम बिजली की खपत प्रदान कर सकता है।

 

तकनीकी मापदंडः

उत्पाद का नाम कम वोल्टेज MOSFET
संरचना प्रक्रिया खाई/एसजीटी
एसजीटी प्रक्रिया लाभ अधिक अनुप्रयोगों को कवर करने के लिए सफलतापूर्वक FOM अनुकूलन।
दक्षता उच्च दक्षता और विश्वसनीयता
ईएएस क्षमता उच्च ईएएस क्षमता
खाई की प्रक्रिया के फायदे छोटे आरएसपी, दोनों श्रृंखला और समानांतर विन्यास को स्वतंत्र रूप से जोड़ा और उपयोग किया जा सकता है।
एसजीटी प्रक्रिया आवेदन मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस सुधार।
खाई प्रक्रिया आवेदन वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन
प्रतिरोध कम आरडीएस (ऑन)
बिजली की खपत कम शक्ति हानि
 

अनुप्रयोग:

रेसुनोस, गुआंग्डोंग से निम्न वोल्टेज मोस्फेट

REASUNOS का कम वोल्टेज फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) कम वोल्टेज बिजली अनुप्रयोगों के लिए आदर्श विकल्प है। उच्च दक्षता और विश्वसनीय प्रदर्शन प्रदान करता है,इन कम वोल्टेज FET दोनों SGT और ट्रेंच संरचना प्रक्रियाओं में आते हैं, ग्राहक की जरूरतों के आधार पर। एसजीटी प्रक्रिया FOM अनुकूलन में सफलता प्रदान करती है और अधिक अनुप्रयोगों को कवर करती है,जबकि ट्रेंच प्रक्रिया छोटे आरएसपी प्रदान करती है और स्वतंत्र रूप से संयुक्त और उपयोग की गई श्रृंखला और समानांतर विन्यास की अनुमति देती है.

REASUNOS के कम वोल्टेज MOSFET प्रतिस्पर्धी कीमतों पर उपलब्ध हैं, और धूल, पानी और एंटी-स्टेटिक ट्यूबलर पैकेजिंग के साथ पैक किए जाते हैं,सुरक्षित वितरण के लिए एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखे गए5KK/माह की आपूर्ति क्षमता के साथ, कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिनों के भीतर आदेशों को पूरा किया जा सकता है। भुगतान की शर्तें 100% टी/टी अग्रिम (एक्सडब्ल्यू) हैं।

 

सहायता एवं सेवाएं:

हमारे उत्पादों के इष्टतम प्रदर्शन को सुनिश्चित करने के लिए निम्न वोल्टेज MOSFET के लिए तकनीकी सहायता और सेवा उपलब्ध है।हमारे विशेषज्ञ स्थापना से संबंधित किसी भी प्रश्न या मुद्दों के लिए तकनीकी सहायता प्रदान करने के लिए उपलब्ध हैंकम वोल्टेज MOSFET का संचालन और रखरखाव।

हम उत्पाद की मरम्मत, प्रतिस्थापन और अद्यतन जैसी मुफ्त सेवाएं भी प्रदान करते हैं।हमारे अत्यधिक अनुभवी तकनीशियनों और इंजीनियरों को किसी भी तकनीकी समस्याओं के साथ मदद करने के लिए हमेशा उपलब्ध हैं जो उत्पन्न हो सकता है.

कम वोल्टेज MOSFETs में, हम अपने ग्राहकों को बेहतर तकनीकी सहायता और सेवा प्रदान करने का प्रयास करते हैं। हम एक सुरक्षित, विश्वसनीय और कुशल उत्पाद अनुभव प्रदान करने के लिए समर्पित हैं।

 

पैकिंग और शिपिंगः

निम्न वोल्टेज मोस्फेट को पैकेज और ऐसे तरीके से शिप किया जाना चाहिए जो यांत्रिक सदमे, घर्षण और अन्य पर्यावरणीय खतरों से उनकी सुरक्षा को अधिकतम करता है।पैकेजिंग को विद्युत शॉक और अन्य खतरों के जोखिम को कम करने के लिए डिज़ाइन किया जाना चाहिएशिपिंग के समय, निम्न वोल्टेज MOSFET को सील कंटेनरों में रखा जाना चाहिए जो कंपन और चरम तापमान से बचाने के लिए डिज़ाइन किए गए हैं।

 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

निम्न वोल्टेज एमओएसएफईटी FAQs
प्रश्न 1: निम्न वोल्टेज मोस्फेट का ब्रांड नाम क्या है?

A1: निम्न वोल्टेज MOSFET का ब्रांड नाम REASUNOS है।

Q2: निम्न वोल्टेज MOSFET का मूल स्थान कहाँ है?

A2: निम्न वोल्टेज MOSFET का मूल स्थान गुआंग्डोंग, CN है।

Q3: निम्न वोल्टेज MOSFET की कीमत क्या है?

A3: कम वोल्टेज MOSFET की कीमत है उत्पाद के आधार पर मूल्य की पुष्टि करें।

Q4: निम्न वोल्टेज MOSFET का पैकेजिंग विवरण क्या है?

A4: लो वोल्टेज MOSFET का पैकेजिंग विवरण धूलरोधी, जलरोधी और एंटी-स्टेटिक ट्यूबलर पैकेजिंग है, जिसे एक कार्डबोर्ड बॉक्स में कार्टन में रखा गया है।

Q5: निम्न वोल्टेज MOSFET का वितरण समय कितना है?

A5: कम वोल्टेज MOSFET का वितरण समय 2-30 दिन है (कुल मात्रा पर निर्भर करता है) ।

Q6: निम्न वोल्टेज MOSFET के भुगतान की शर्तें क्या हैं?

A6: कम वोल्टेज MOSFET के भुगतान की शर्तें 100% T/T अग्रिम हैं।

Q7: निम्न वोल्टेज MOSFET की आपूर्ति क्षमता क्या है?

उत्तर: निम्न वोल्टेज मोस्फेट की आपूर्ति क्षमता 5KK/माह है।

टैग:

एन चैनल मोस्फेट निम्न सीमा वोल्टेज

स्थिर निम्न शक्ति पी चैनल मोस्फेट

बेस स्टेशन कम वोल्टेज MOSFET

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