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Função multi MOSFET de baixa tensão SGT durável com RSP menor

  • Durable SGT Low Voltage MOSFET Multi Function With Smaller RSP
Lugar de origem Guangdong, NC
Marca REASUNOS
Preço Confirm price based on product
Detalhes da embalagem Embalagens tubulares impermeáveis ao pó, à água e antistáticas, colocadas numa caixa de cartão em ca
Tempo de entrega 2-30 dias (depende da quantidade total)
Termos de pagamento 100% T/T adiantado (EXW)
Habilidade da fonte 5KK/mês

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Detalhes do produto
Aplicação do processo de SGT Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre Resistência Baixo RDS (SOBRE)
Aplicação de processo de vala Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre processo de estrutura Trincheira/SGT
Nome do produto MOSFET de baixa tensão Capacidade EAS Alta capacidade de EAS
Consumo de energia Perda de baixa potência Vantagens do processo de vala RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas.
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MOSFET de baixa tensão durável

,

MOSFET de baixa tensão multifunção

,

MOSFET RSP SGT menor
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RS2301E P -2.3 -20 70 110 SOT-23 3000
2 RS3415E P -4 -20 33 50 SOT-23 3000
3 RS2302E N 2.1 20 32 45 SOT-23 3000
4 RS2300E N 4.5 20 21 32 SOT-23 3000
5 RS2N7002E N 0.34 60 1300 5000 SOT-23 3000
6 RS20N90D N 90 20 3.7 5 TO-252 2500
7 RS3401E P -4.2 -30 50 65 SOT-23 3000
8 RS4435 P -10 -30 15 20 SOP-8 4000
9 RS3400E N 5.8 30 27 35 SOT-23 3000
10 RS30N30K N 30 30 5.8 9 DFN3*3 5000
11 RS30N50K N 50 30 3.8 5.5 DFN3*3 5000
12 RS30N60D N 60 30 6.2 7.5 TO-252 2500
13 RS30N86D N 86 30 4.7 5.5 TO-252 2500
14 RS30N120G N 120 30 3 4 DFN5*6 5000
15 RS30N150D N 150 30 3 4 TO-252 2500
16 RS30N150T N 150 30 3 4 TO-220 1000
17 RS40N100G N 100 40 2.8 3.5 DFN5*6 5000
18 RS40N120D N 120 40 2.8 3.5 TO-252 2500
19 RS40N120T N 120 40 2.8 3.5 TO-220 1000
20 RS150N105T N 105 150 9.8 11 TO-220 1000
21 RS76N20T N 76 200 17 20 TO-220 1000
22 RS2310E N 3 60 70 105 SOT-23 3000
23 RS60N30D N 30 60 22 35 TO-252 2500
24 RS60N50D N 50 60 14 22 TO-252 2500
25 RS60N50T N 50 60 14 22 TO-220 1000
26 RS80N25W N 80 250 30 35 TO-247 600
27 RS630D N 9 200 250 300 TO-252 2500
28 RS630T N 9 200 250 300 TO-220 1000
29 RS640D N 18 200 120 150 TO-252 2500
30 RS640T N 18 200 120 150 TO-220 1000
31 RS40N130G N 130 40 1.45 1.75 DFN5*6 5000
32 RS40N180T N 180 40 1.6 2 TO-220 1000
33 RS60N130G N 130 60 2.1 2.5 DFN5*6 5000
34 RS60N200T N 200 60 2.5 3.2 TO-220 1000
35 RS85N140T N 140 85 4.5 5.3 TO-220 1000
36 RS85N140S N 140 85 4.5 5.3 TO-263 800
37 RS85N150T N 150 85 2.8 3.6 TO-220 1000
38 RS85N150S N 150 85 2.7 3.4 TO-263 800
39 RS100N78HT N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
40 RS100N78T N 78 100 8.2 9.5 TO-220 1000
41 RS100N100T N 100 100 7 8.5 TO-220 1000
42 RS100N135T N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
43 RS100N135HT N 135 100 3.7 4.2 TO-220 1000
44 RS100N135HS N 135 100 4.2 5 TO-263 800
45 RS100N180T N 180 100 3 3.8 TO-220 1000
46 RS100N180S N 180 100 2.9 3.6 TO-263 800
47 RS100N190T N 190 100 2.3 3 TO-220 1000
48 RS100N190S N 190 100 2.2 2.8 TO-263 800
49 RS110N200T N 200 110 3.4 4 TO-220 1000
50 RS110N200S N 200 110 3.4 4 TO-263 800
51 RS100N210S N 200 100 1.9 2.4 TO-263 800
52 RS100N210T N 210 100 1.9 2.4 TO-220 1000
53 RS100N300I N 300 100 1.7 2.2 TOLL 2000
54 RS100N60G N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
55 RS100N60HG N 60 100 7.5 8.5 DFN5*6 5000
56 RS100N85G N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
57 RS100N85HG N 85 100 6 7.5 DFN5*6 5000
58 RS100N125G N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
59 RS100N125HG N 125 100 4 4.6 DFN5*6 5000
60 RS100N150HG N 150 100 3.5 4.2 DFN5*6 5000
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Descrição de produto

MOSFET de baixa tensão de trincheira com RSP menor para retificação síncrona

Descrição do produto:

O MOSFET de baixa tensão é um tipo de transistor de efeito de campo de baixa tensão de limiar (FET) que fornece alta capacidade de EAS, alta eficiência e perda de energia confiável.Pode ser usado em uma variedade de aplicações, incluindo motor driver, estação base 5G, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, retificação síncrona, carregamento sem fios, carregamento rápido, conversor DC/DC, etc.MOSFET de baixa tensão apresenta baixa tensão limite, permitindo um baixo consumo de energia e um melhor desempenho. Com a sua excelente capacidade EAS, pode ser utilizado em aplicações de comutação de alta frequência, como estações base 5G, armazenamento de energia,motoristaAlém disso, pode fornecer perda de energia confiável e baixo consumo de energia para carregamento sem fio, carregamento rápido e aplicações de conversor DC / DC.

 

Parâmetros técnicos:

Nome do produto MOSFET de baixa tensão
Processo de estrutura Tranche/SGT
Processo SGT Vantagens Otimização FOM avançada, cobrindo mais aplicações.
Eficiência Alta eficiência e fiabilidade
Capacidade de EAS Alta capacidade de EAS
Vantagens do processo de trincheira RSPs menores, com configurações em série e paralelas, podem ser combinadas e utilizadas livremente.
Processo SGT Application Motorista, Estação Base 5G, Armazenamento de Energia, Comutador de Alta Frequência, Rectificação Sincrónica.
Aplicação do processo de trincheira Carregamento sem fio, carregamento rápido, motorista, conversor DC/DC, interruptor de alta frequência, retificação síncrona.
resistência Baixa Rds ((ON)
Consumo de energia Baixa perda de potência
 

Aplicações:

MOSFET de baixa tensão da REASUNOS, Guangdong

O transistor de efeito de campo de baixa tensão (MOSFET) da REASUNOS é a escolha ideal para aplicações de energia de baixa tensão.Estes FETs de baixa tensão vêm em ambos os processos de estrutura SGT e TrenchO processo SGT oferece uma otimização FOM inovadora e abrange mais aplicações,enquanto o processo de Trench oferece RSP menor e permite livremente combinado e utilizado séries e configurações paralelas.

Os MOSFETs de baixa tensão da REASUNOS são oferecidos a preços competitivos e são embalados com embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas,colocados dentro de uma caixa de papelão em caixas de cartão para entrega seguraCom uma capacidade de fornecimento de 5KK/mês, as encomendas podem ser cumpridas dentro de 2-30 dias, dependendo da quantidade total.

 

Apoio e Serviços:

O suporte técnico e o serviço para MOSFETs de baixa tensão estão disponíveis para garantir o desempenho ideal de nossos produtos.Os nossos especialistas estão disponíveis para prestar assistência técnica para quaisquer perguntas ou questões relacionadas com a instalação, operação e manutenção de MOSFETs de baixa tensão.

Também fornecemos serviços gratuitos, como reparo, substituição e atualização de produtos.Os nossos técnicos e engenheiros altamente experientes estão sempre disponíveis para ajudar com qualquer problema técnico que possa surgir.

Na Low Voltage MOSFETs, nos esforçamos para fornecer aos nossos clientes suporte técnico e serviço superiores.

 

Embalagem e transporte:

Os MOSFETs de baixa tensão devem ser embalados e enviados de forma a maximizar sua proteção contra choque mecânico, abrasão e outros riscos ambientais.As embalagens devem ser concebidas de modo a reduzir o risco de choque elétrico e outros perigos. Ao serem enviados, os MOSFETs de baixa tensão devem ser colocados em recipientes selados que são projetados para proteger contra vibrações e temperaturas extremas.

 

Perguntas frequentes:

FAQs sobre MOSFET de baixa tensão
P1: Qual é a marca do MOSFET de baixa tensão?

R1: A marca do MOSFET de baixa tensão é REASUNOS.

Q2: Onde está o local de origem do MOSFET de baixa tensão?

A2: O local de origem do MOSFET de baixa tensão é Guangdong, CN.

Q3: Qual é o preço do MOSFET de baixa tensão?

A3: O preço do MOSFET de baixa tensão é o preço confirmado com base no produto.

Q4: Quais são os detalhes da embalagem do MOSFET de baixa tensão?

A4: Os Detalhes da Embalagem do MOSFET de Baixa Tensão é uma embalagem tubular à prova de poeira, à prova de água e antiestática, colocada dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.

Q5: Quanto tempo dura o tempo de entrega do MOSFET de baixa tensão?

R5: O prazo de entrega do MOSFET de baixa tensão é de 2 a 30 dias (depende da quantidade total).

Q6: Quais são os termos de pagamento do MOSFET de baixa tensão?

R6: Os termos de pagamento do MOSFET de baixa tensão são 100% T/T antecipadamente ((EXW).

Q7: Qual é a capacidade de fornecimento do MOSFET de baixa tensão?

A: A capacidade de abastecimento do MOSFET de baixa tensão é de 5KK/mês.

Etiquetas:

N Canal Mosfet Baixa Tensão de limiar

Mosfet de canal P estável de baixa potência

MOSFET de baixa tensão da estação base